대상체 관찰 방법 및 그를 위한 광학장치
    141.
    发明授权
    대상체 관찰 방법 및 그를 위한 광학장치 有权
    用于观察目标物体和光学装置的方法

    公开(公告)号:KR101092376B1

    公开(公告)日:2011-12-09

    申请号:KR1020100093366

    申请日:2010-09-27

    Abstract: PURPOSE: A method for observing a target object and an optical device thereof are provided to observe a target object using a phase difference of lights which have vibration directions of different magnetic fields. CONSTITUTION: A light generating unit(110) applies first and second light signals, which are vertically polarized, to a target object through one light path. A reflective light processing unit(130) forms an image per wavelength of a target object. A reflective mirror(120) transmits first and second reflective signals to the reflective light processing unit. An image observing unit(160) provides an image by wavelength to a user.

    Abstract translation: 目的:提供用于观察目标物体的方法及其光学装置,以使用具有不同磁场的振动方向的光的相位差观察目标物体。 构成:光产生单元(110)通过一个光路向对象物体施加垂直极化的第一和第二光信号。 反射光处理单元(130)每个目标对象的波长形成图像。 反射镜(120)将第一和第二反射信号传输到反射光处理单元。 图像观察单元(160)通过波长向用户提供图像。

    염료감응형 태양전지 및 그의 제조 방법
    142.
    发明授权
    염료감응형 태양전지 및 그의 제조 방법 有权
    DYE SENSITIZED SOLAR CELL及其制备方法

    公开(公告)号:KR101085953B1

    公开(公告)日:2011-11-22

    申请号:KR1020100040571

    申请日:2010-04-30

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02P70/521

    Abstract: 유리기판 위에 전도성막을 형성하고 그 위에 염료 분자가 흡착된 나노 반도체 산화물 입자를 전극 소재로 사용하는 염료감응형 태양전지 및 그의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 염료감응형 태양전지는 홈(구멍)이 형성된 전도성막의 표면에 부착되는 반도체 입자들 및 이들 상에 적층되는 반도체 입자들을 상기 홈 내 또는 홈 상부에 구비하는 나노 산화물 전극층을 포함한다. 이때 홈의 반경은 20 마이크로미터 이하일 수 있고, 홈의 깊이는 20 마이크로미터 이상일 수 있다. 홈은, 벽 구조, 격벽 구조, 기둥 구조 중 어느 하나이다.
    이러한 염료감응형 태양전지는, 유리기판 위에 전도성막을 입히고, 전도성막에 적어도 하나의 홈(구멍)을 형성한 후, 홈 내 또는 홈의 상부까지 나노 산화물 전극층을 형성함으로써, 제조 가능하다. 또는, 유리기판 위에 적어도 하나의 홈(구멍)을 형성하고, 홈의 측면 및 홈의 하부에 전도성막을 입힌 후(홈의 기둥 상부에 전도성막을 추가적으로 입힐 수도 있음), 홈 내 또는 홈의 상부까지 나노 산화물 전극층을 형성함으로써, 제조 가능하다.

    발열부 일체형 진공 박막 증착용 분자빔 증발원, 그 제작 방법 및 증발기
    143.
    发明公开
    발열부 일체형 진공 박막 증착용 분자빔 증발원, 그 제작 방법 및 증발기 有权
    真空蒸发源与直接在可溶性表面上沉积的加热器,制造和蒸发器的方法

    公开(公告)号:KR1020110057604A

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:KR1020090114068

    申请日:2009-11-24

    Abstract: PURPOSE: A heater-integrated molecular beam evaporation source for vacuum deposition, a manufacturing method thereof, and an evaporator using the same are provided to minimize the thermal load of a vacuum system by controlling the temperature of a heater to be similar to the temperature of a crucible. CONSTITUTION: A heater-integrated molecular beam evaporation source for vacuum deposition comprises a PBN(Pyrolytic Boron Nitride) crucible(10), a first heater(20), and a first protective film. The PBN crucible accepts materials. The first heater is deposited on the outer surface of the PBN crucible and forms a pattern proper for heating without influence of magnetic field on a specimen. The first protective film is deposited on the inner surface of the PBN crucible to protect the crucible from the specimen easy to adhere to PBN and partially removed for insulation from the first heater.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于真空沉积的加热器集成分子束蒸发源,其制造方法和使用其的蒸发器,以通过将加热器的温度控制为与加热器的温度相似来最小化真空系统的热负荷 一个坩埚 构成:用于真空沉积的加热器集成分子束蒸发源包括PBN(热解氮化硼)坩埚(10),第一加热器(20)和第一保护膜。 PBN坩埚接受材料。 第一个加热器沉积在PBN坩埚的外表面上,并形成适合加热的图案,而不影响样品上的磁场。 第一保护膜沉积在PBN坩埚的内表面上,以保护坩埚容易粘附到PBN上,并部分地从第一加热器去除绝缘。

    포토리소그래피 공정만을 이용한 나노 물질의 선택적 조립 방법 및 이를 이용한 나노구조 다중채널 FET 소자 제조 방법
    144.
    发明公开
    포토리소그래피 공정만을 이용한 나노 물질의 선택적 조립 방법 및 이를 이용한 나노구조 다중채널 FET 소자 제조 방법 无效
    选择性组装纳米材料的方法,仅使用其使用的纳米结构多通道FET器件的光刻技术和制造方法

    公开(公告)号:KR1020110032466A

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:KR1020090089968

    申请日:2009-09-23

    CPC classification number: H01L29/66477 G03F7/162 G03F7/422 H01L21/0274

    Abstract: PURPOSE: A selective assembled method of nano-materials by using only photolithography and a fabrication method of a nano-structure multichannel FET devices using thereof are provided to reduce a process step by enabling nano particles to be attached to a substrate through a photolithography and a solution process. CONSTITUTION: In a selective assembled method of nano-materials by using only photolithography and a fabrication method of a nano-structure multichannel FET devices using thereof, an oxide film(SiO2) is formed on a silicon substrate. A random PR pattern is formed on the oxide film through the photo lithography process(S110). A nano-material is absorbed to the surface of a sample through a solution process(S120). A photoresist pattern on the surface of the sample having the nano particles is removed(S130). A multichannel FET device is manufactured by using selectively patterned nano-material.

    Abstract translation: 目的:提供通过仅使用光刻法的纳米材料的选择性组装方法和使用其的纳米结构多通道FET器件的制造方法,以通过使纳米颗粒通过光刻和 解决过程。 构成:在仅使用光刻法的纳米材料的选择性组装方法和使用其的纳米结构多通道FET器件的制造方法中,在硅衬底上形成氧化膜(SiO 2)。 通过光刻工艺在氧化膜上形成随机的PR图案(S110)。 通过溶液法将纳米材料吸收到样品的表面(S120)。 除去具有纳米颗粒的样品表面上的光刻胶图案(S130)。 通过使用选择性图案化的纳米材料制造多通道FET器件。

    근거리 무선통신을 이용한 위치정보 검출 시스템
    145.
    发明公开
    근거리 무선통신을 이용한 위치정보 검출 시스템 有权
    使用无线短距离通信测量移动设备的位置的系统

    公开(公告)号:KR1020100081643A

    公开(公告)日:2010-07-15

    申请号:KR1020090000960

    申请日:2009-01-06

    CPC classification number: H04W64/00 H04W84/18 H04W88/02

    Abstract: PURPOSE: A system for measuring a position of a mobile device using a wireless short range communication is provided to measure the position of a mobile device by calculating the distance between devices based on the returning time of a wireless communication frame. CONSTITUTION: A position measurement sensor network includes a position detection unit and a position information server. The position detection unit detects a position of a wireless communication unit(10) located in a certain area by using short range wireless communication. The location information management server processes the position information data to create location information contents, and an output device outputs the location information contents.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用无线短距离通信来测量移动设备的位置的系统,用于通过基于无线通信帧的返回时间计算设备之间的距离来测量移动设备的位置。 构成:位置测量传感器网络包括位置检测单元和位置信息服务器。 位置检测单元通过使用短距离无线通信来检测位于特定区域中的无线通信单元(10)的位置。 位置信息管理服务器处理位置信息数据以创建位置信息内容,输出设备输出位置信息内容。

    다중 양자우물 구조의 집적광소자용 에피박막의 제조방법
    146.
    发明授权
    다중 양자우물 구조의 집적광소자용 에피박막의 제조방법 失效
    制造多量子阱结构的光器件外延层的方法

    公开(公告)号:KR100860603B1

    公开(公告)日:2008-09-26

    申请号:KR1020070006794

    申请日:2007-01-23

    Abstract: 본 발명은 다중 양자우물 구조의 집적광소자용 에피박막의 제조방법에 관한 것으로서, 격자 정합된(lattice-matched) InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 3파장 반도체 레이저 집적광소자를 위한 에피박막의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 격자 정합된 다중 양자우물 구조의 집적광소자용 에피박막의 제조방법에 있어서, 격자 정합된 에피박막 구조의 다중 양자우물 기판에 대하여 이온주입을 실시하는 단계와; 상기 다중 양자우물 기판의 에피박막 최상층에 300 nm의 SiO
    2 박막을 증착하여 형성하는 단계와; SiO
    2 박막이 증착된 다중 양자우물 기판을 온도를 달리하여 1차와 2차로 2단계의 열처리를 실시하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 상기와 같이 2단계로 진행되는 열처리 공정에 의해 양자우물 혼합(QWI)이 극대화되면서 최대의 파장 이동이 가능해지고, 결정 결함의 재결정화에 의해 이온주입에 의한 잡음 특성과 PL 광세기가 크게 향상되면서 크기와 전력소모가 작은 고기능 광집적회로를 쉽게 제작할 수 있는 효과가 있게 된다.
    다중 양자우물 구조, 집적광소자, 에피박막, 반도체 레이저

    편광유지 레이저 공진기를 이용한 펄스진폭 균일화방법
    147.
    发明授权
    편광유지 레이저 공진기를 이용한 펄스진폭 균일화방법 失效
    使用偏振维持激光谐振器的脉冲幅度均衡方法

    公开(公告)号:KR100587519B1

    公开(公告)日:2006-06-08

    申请号:KR1020030023559

    申请日:2003-04-15

    Abstract: 본 발명은 편광유지 레이저 공진기를 이용한 펄스진폭 균일화방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 편광모드에 의한 불안정성이 없는 편광유지 레이저 공진기를 이용하여 광변조기 대역폭보다 높은 반복율의 레이저 펄스를 얻을 수 있는 유리 고조 모드록킹에서 발생하는 펄스진폭의 불균일성을 제거함으로써 추가적인 펄스진폭 균일화 장치 없이 기존 광변조기의 변조지수의 최적화만을 통하여 펄스진폭 균일화를 구현할 수 있는 방법에 관한 것이다.
    본 발명은, 편광유지 특성을 갖는 광학부품과 광섬유로 구성되는 레이저 공진기를 이용, 유리 고조 모드록킹을 하여 변조주파수의 정수배인 레이저 펄스열을 얻되, 상기 광학부품 중에서 광변조기에 인가하는 전기변조신호의 출력을 최적화하여 펄스진폭이 균일한 유리 고조 모드록킹된 펄스를 얻음을 특징으로 한다.
    균일화, 유리 고조 모드록킹, 레이저 공진기, 편광유지

    반도체 광증폭기를 이용한 전광 AND 논리소자 구현 방법
    148.
    发明授权
    반도체 광증폭기를 이용한 전광 AND 논리소자 구현 방법 失效
    全光学实现方法 逻辑设备

    公开(公告)号:KR100537039B1

    公开(公告)日:2005-12-16

    申请号:KR1020030064638

    申请日:2003-09-18

    Abstract: 본 발명은 반도체 광증폭기의 이득포화현상 특성을 가지는 인버터 원리를 이용하여 전광 AND 논리소자를 구현하는 방법에 관한 것으로서, 하나의 반도체 광증폭기(SOA2)에는 일정한 주기의 클락신호(CLOCK)가 제1 조사신호로서 제1 펌프신호( )와 함께 입사되어 이득변조된 출력값(부울리안 )이 얻어지고, 다른 하나의 반도체 광증폭기(SOA1)에는 제2 조사신호( )와 함께 상기 이득변조된 출력값(부울리안 )이 제2 펌프신호로서 입사되어 AND 신호(

    반도체 광증폭기를 이용한 전광 NAND 논리소자 구현장치
    149.
    发明授权
    반도체 광증폭기를 이용한 전광 NAND 논리소자 구현장치 失效
    NAND闪存驱动器使用说明NAND闪存驱动器

    公开(公告)号:KR100458283B1

    公开(公告)日:2004-11-26

    申请号:KR1020010059368

    申请日:2001-09-25

    Abstract: PURPOSE: An apparatus for realizing an electric light NAND logic element using a semiconductor optical amplifier is provided to be easily combined with other single logic elements for controlling all optical system with only optical signals. CONSTITUTION: A pulse generator(100) generates light pulses. A DFB-LD(Distributed Feedback Laser Diode)(102) has input continuous laser light signals. A first optical divider(104) divides output light of the DFB-LD. An optical modulator(106) modulates the output light from the first optical divider. An optical delay(112) obtains quarter time delay of the output light. An attenuator(108) controls the strength of the output light. A MUX(110) multiplexes the output light of the attenuator. An EDFA(Erbium-Doped Fiber Amplifier)(116) adds the output light of the MUX and the attenuator for amplifying to a pump signal. A tunable laser diode(120) has continuous wave irradiation signals. A second optical divider(122) divides the output light of the tunable laser diode at a ratio of 50 to 50. A semiconductor optical amplifier(124) amplifies the pump signal and the continuous wave irradiation signals for gain-saturating and wavelength-converting the signals. An optical filter(126) filters tunable output light of the semiconductor optical amplifier. An optical signal analyzer(128) detects and analyzes the tunable output light of the optical filter.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于实现使用半导体光学放大器的电光NAND逻辑元件的装置,以容易地与其他单个逻辑元件组合,以仅用光学信号控制所有光学系统。 构成:脉冲发生器(100)产生光脉冲。 DFB-LD(分布式反馈激光二极管)(102)具有输入连续的激光信号。 第一分光器(104)分割DFB-LD的输出光。 光调制器(106)调制来自第一分光器的输出光。 光学延迟(112)获得输出光的四分之一时间延迟。 衰减器(108)控制输出光的强度。 MUX(110)复用衰减器的输出光。 EDFA(掺铒光纤放大器)(116)将MUX和用于放大的衰减器的输出光加到泵浦信号上。 可调激光二极管(120)具有连续波照射信号。 第二分光器(122)将可调激光二极管的输出光以50至50的比例进行分割。半导体光放大器(124)放大泵浦信号和连续波照射信号,以增益饱和和波长转换 信号。 滤光器(126)过滤半导体光放大器的可调输出光。 光信号分析器(128)检测并分析滤光器的可调输出光。

    광섬유 격자를 이용한 반도체 광증폭기의 이득조절 장치
    150.
    发明授权
    광섬유 격자를 이용한 반도체 광증폭기의 이득조절 장치 失效
    光纤光栅对半导体光放大器的增益控制

    公开(公告)号:KR100350231B1

    公开(公告)日:2002-08-27

    申请号:KR1020000005630

    申请日:2000-02-07

    Abstract: 본 발명은 광섬유 격자를 이용한 반도체 광증폭기의 이득조절 장치에 관한 것으로, 반도체 광스위칭 소자나 파장변환기에 사용되는 반도체 광증폭기를 광섬유 격자를 이용하여 그 이득을 용이하게 조절할 수 있는 광섬유 격자를 이용한 반도체 광증폭기의 이득조절 장치에 관한 것이다.
    본 발명은 광신호를 입력받는 입력부와, 증폭된 광신호를 출력하기 위한 출력부와, 상기 입력부 및 출력부에 연결되어 입력 광신호 및 출력 광신호의 경로 설정을 하기 위한 입력측 광 고립기 및 출력측 광고립기를 구비하는 광섬유 격자를 이용한 반도체 광증폭기의 이득조절 장치에 있어서, 상기 입력측 광고립기에 연결되어, 반사 중심파장을 미세 조정할 수 있는 인장 조절 가능 광섬유 격자와, 상기 인장 조절 가능 광섬유 격자와 연결되어, 광신호를 증폭시키는 반도체 광증폭기와, 상기 반도체 광증폭기에 전원을 공급해주는 광증폭기 구동용 전원 공급기와, 상기 반도체 광증폭기에 연결되어, 소정의 반사 중심파장을 가지는 광섬유 격자를 포함한다.

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