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公开(公告)号：KR1020000014501A
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019980033967
申请日：1998-08-21
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01M10/425 , H01M6/40 , H01M10/0436 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115
Abstract: PURPOSE: An electric element having stacked thin film type cell and the manufacturing method thereof are provided to minimize the space which the element takes and enhance the integration rate of the element by removing the space of the cell. CONSTITUTION: The electric element having stacked thin film type cell which is contacted on said element. The manufacturing method of the element comprises: a step depositing nonconductor on the top of the electric element positioned on a semiconductor substrate to form a encapsulation film in periphery of the element; a step removing the portion of said encapsulation film covering the electrode of said element by photoresistor deposition and selective etching process to expose the electrode; a step extending said electrode to the outer surface of said encapsulation film by depositing conductive material on the etched encapsulation film portion; and a step forming a thin film cell on the top of the element consisted of said encapsulation film and electrode.
Abstract translation: 目的：提供具有堆叠薄膜型电池的电气元件及其制造方法，以通过去除电池的空间来最小化元件所占用的空间并提高元件的积分率。 构成：具有与所述元件接触的层叠薄膜型电池的电气元件。 该元件的制造方法包括：在位于半导体衬底上的电气元件的顶部上沉积非导体以在元件的周边形成封装膜的步骤; 通过光敏电阻沉积和选择性蚀刻工艺去除覆盖所述元件的电极的所述封装膜的部分以暴露电极的步骤; 通过在蚀刻的封装膜部分上沉积导电材料将所述电极延伸到所述封装膜的外表面的步骤; 以及在由所述封装膜和电极组成的元件的顶部上形成薄膜电池的步骤。
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公开(公告)号：KR1019990047679A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970066184
申请日：1997-12-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/32
Abstract: 본 발명은 이온 빔을 이용한 재료의 표면 처리 장치에 관한 것으로, 표면 처리되는 시편에 전압을 인가하고 조절하여 시편에 조사되는 이온 빔 에너지를 조절할 수 있고, 이온 도움 반응 장치에 이용되는 반응성 가스의 진공도를 이온 빔이 조사되는 부분과 이온 빔이 발생되는 부분에서 차별화시킬 수 있고, 양면 조사 방식 내지 연속 프로세스에 적용될 수 있는 표면 처리 장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1019990041209A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970061766
申请日：1997-11-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01J37/00
Abstract: 본 발명은 에너지를 가지는 반응성 이온입자를 기판표면에 조사함으로써, 산화물 기판표면을 질화물로 개질시키는 방법이며, 이렇게 표면개질된 기판에 성장하는 박막의 성질을 변화시킬 수 있으며, 결정성등 그 특성이 뛰어난 박막을 형성할 수 있다. 특별히 예를 들면, 종래의 열처리로 이루어지는 기판처리에 의해서는 고품위 GaN박막을 형성하기에는 Al
2 O
3 기판이 한계를 가지고 있었으나, Al
2 O
3 기판에 본 발명에 의한 이온빔 표면처리를 하여 우선 기판상에 AlN을 형성시키고, 그 위에 GaN을 증착시키므로써 물성이 우수한 고품위 GaN박막을 형성시킬 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100203377B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960028714
申请日：1996-07-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/10
CPC classification number: C23C14/5833 , C23C14/185 , C23C14/58
Abstract: 본 발명은 유리기판 상에 증착되는 금속박막의 접착력을 향상시키는 방법에 관한 것으로, 이온주입장치와 거대한 장치를 사용하지 않으면서 저에너지의 고전류 이온을 이용하여 소재 특성의 열화를 없애고, 금속박막과 유리기판의 접착력을 향상시키는 방법이다.
본 발명은 유리기판을 초음파 용기에서 아세톤으로 세척하고, 증류수로 세척한 후에 질소분위기에서 소정의 온도로 일정시간 건조하며, 건조된 유리기판을 진공조에 넣고 고전류 이온원을 사용하여 수 keV 이온을 만들어 금속표적에 조사함으로써 금속원자를 스퍼터링시켜 유리기판에 금속을 증착하고, 이와 같이 증착된 금속박막을 다시 1keV의 Ar이온으로 조사하여 금속박막을 밀한 상태로 만들어 금속박막과 유리기판의 접착력을 향상시키도록 하였다.
본 발명에 의한 접착방법에 의하여 금속박막과 유리기판의 접착력이 최대 9배까지 증가함을 보임으로써 상온에서도 고전류의 낮은 에너지를 이용하여 접착력이 우수한 박막을 제작할 수 있었다.-
公开(公告)号：KR100182373B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019960028938
申请日：1996-07-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C16/54
CPC classification number: H01J37/32422 , C23C14/32
Abstract: 본 발명은 고품질 박막을 제작하기 위한 PIBD(Partially Ionized Beam Deposition)용 이온건에 관한 것으로, 본 발명은 금속을 증기상태로 만드는 도가니부와 증기상태의 금속을 이온화시키는 이온화부를 하나의 원통형 챔버 내에 형성하며, 상기 원통형 챔버외측에 이온화 효율을 높이기 위하여 자석을 배치하며, 상기 원통형 챔버의 하부에는 W-Re선으로 된 도가니 가열용 필라멘트와 도가니를 설치하고, 원통형 챔버의 상부에는 필라멘트와 양극을 설치하며, 상기 필라멘트를 용이하게 교체하기 위하여 상하단부에 플랜지를 설치한 구조이다. 또한, 도가니부와 이온화부 사이의 열차폐와 전자기장의 차폐를 위하여 몰리브덴판 또는 탄탈륨판과 같이 고융점 물질의 판을 설치하고, 이온원이 과열되는 것을 방지하기 위하여 수냉관을 도가니 가열부 외측에 설치하며, 상단부 플랜지와 진공 챔버 사이에 접지된 판을 설치함으로써 낮은 전력으로 도가니의 온도를 높일 수 있어 제품의 유지 비용이 절감되는 효과가 있고, 거리에 따른 전류밀도의 변화가 적어 제작된 박막의 성질이 균일하게 됨으로써 박막소자의 신뢰성을 향상시키도록 한 것이다.
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公开(公告)号：KR100170601B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019960028026
申请日：1996-07-11
Applicant: 주식회사 삼양홀딩스 , 한국과학기술연구원
IPC: C09J5/02 , C09J123/00
Abstract: 본 발명은 폴리올레핀계 수지의 접착력 증대방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 불활성 기체 또는 반응성 기체 단독이나 이들의 혼합물을 이온건에 주입하여 이온을 생성하고 이를 폴리올레핀 시료에 조사(照射)하면서 반응성 기체를 수지의 표면주위로 불어넣어 줌으로써 폴리올레핀계 수지의 접착력을 향상시키며 단시간내에 접착을 가능케할 수 있는 폴리올레핀계 수지의 접착력을 증대하는 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019960039135A
公开(公告)日：1996-11-21
申请号：KR1019960011996
申请日：1996-04-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/265
Abstract: 본 발명은 진공 상태하에, 반응성 가스를 고분자 또는 질화물 표면에 직접 불어 넣어주면서, 에너지를 가진 이온 입자를 고분자 또는 질화물 표면에 조사하여 그 표면의 접촉각을 감소시켜 고분자 또는 질화물 표면을 개질하는 방법 및 상기 방법에 의해 얻어진 질화물에 구리 박막을 성막시켜 얻어지는 구리 직접결합 질화알루미늄 재료에 관한 것이다.
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