公开(公告)号：KR1020060012686A

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：KR1020040061275

申请日：2004-08-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정문연 ,  신동호 ,  김용준 ,  박세호 ,  표현봉 ,  최창억

IPC: G02F1/13

CPC classification number: G03F7/70291 ,  G02F1/1393 ,  G03F7/70566

Abstract: 본 발명은 생체분자 어레이 형성을 위한 광 리소그라피 공정에 사용되는 프로그래머블 마스크 및 이를 이용한 생체분자 어레이 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 외부의 평행광 노광장치에서 발생된 평행한 UV(ultraviolet)광을 특정 셀에 조사함과 아울러 수직 배향된 액정패널 또는 스페이서가 없는 액정패널을 사용함으로써, 각 화소를 이루는 액정에 입사된 빛의 투과 대 차단의 콘트라스트 비가 증가될 수 있도록 한 프로그래머블 마스크 및 이를 이용한 생체분자 어레이 형성방법에 관한 것이다.
생체분자 어레이, 고분자 어레이, DNA칩, 프로그래머블 마스크, 평행광 노광장치, 수직 배향막, 스페이서

公开(公告)号：KR100489810B1

公开(公告)日：2005-05-17

申请号：KR1020030029763

申请日：2003-05-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김창규 ,  이명래 ,  최창억 ,  전치훈

IPC: G02B26/00

CPC classification number: G02B6/29358 ,  G02B6/29389 ,  G02B6/29395 ,  G02B6/32

Abstract: 본 발명은 외부 자기장에 대해 수직 방향으로 흐르는 전류의 방향에 따라 전자기력의 방향이 바뀌는 원리를 이용하여 두 반사경 사이의 거리가 가까워지는 방향과 멀어지는 방향으로 구동되도록 한 파장가변 필터에 관한 것이다. 본 발명의 파장가변 필터는 한쪽 방향으로만 구동되는 기존의 파장가변 필터와 동일한 기계적 구조 및 파장가변 범위을 필요로 하는 경우에는 필터 구동에 필요한 힘을 절반으로 낮추고 고착현상이 발생할 가능성을 줄일 수 있으며, 같은 구동력으로 동일한 파장가변 범위를 구현하는 경우에는 공진 주파수를 높게 하여 소자의 구동 시간을 줄일 수 있다. 또한 정전기력으로 구동되는 구조에 비하여 낮은 전압으로 구동이 가능하다.

公开(公告)号：KR100449069B1

公开(公告)日：2004-09-18

申请号：KR1020010056159

申请日：2001-09-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 양해식 ,  전치훈 ,  최창억 ,  김윤태

IPC: B81B7/04

CPC classification number: B01J19/0093 ,  B01J2219/00783 ,  B01J2219/00822 ,  B01J2219/00853 ,  B01J2219/00873 ,  G01N27/403

Abstract: The present invention relates to a microelectrode, a microelectrode array, and a method of manufacturing the microelectrode of which temperature can be controlled. The microelectrode comprises a sealed cavity formed in a silicon substrate for thermal isolation, a microheater formed on the sealed cavity, and an electrode heated indirectly by the microheater. According to the present invention, it is possible to manufacture with CMOS process the microelectrode and the microelectrode array which have excellent electric insulation and thermal isolation between a microheater and a silicon substrate, which has a small power consumption, which has high heating and cooling speed and which has no corrosion.

Abstract translation: 微电极，微电极阵列及其制造方法技术领域本发明涉及一种微电极，微电极阵列以及能够控制温度的微电极的制造方法。 微电极包括形成在用于热绝缘的硅衬底中的密封腔，形成在密封腔上的微加热器和由微加热器间接加热的电极。 根据本发明，能够利用CMOS工艺来制造具有高加热和冷却速度的功耗小的微加热器和硅衬底之间具有优异的电绝缘和热隔离的微电极和微电极阵列 并且没有腐蚀。

公开(公告)号：KR100434430B1

公开(公告)日：2004-06-07

申请号：KR1020010010254

申请日：2001-02-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 양해식 ,  김윤태 ,  최창억

IPC: G01N27/30

Abstract: PURPOSE: A micro reference electrode using metal oxide and manufacturing method of the same are provided to be simply manufactured and to minimize fluctuation of reference electric potential. CONSTITUTION: An electrode includes an electrode metal film(24) formed on an insulating board, a silicon board(21), a glass board, a ceramic board or a plastic board with insulating films(22,23), silicon oxide films or silicon nitride films; a metal oxide film(25) formed on the metal film; and a polymer film(26) formed on the oxidized metal film. The metal film and the metal oxide film are installed in a groove on the insulating films.

Abstract translation: 目的：提供使用金属氧化物的微参比电极及其制造方法，以简单制造并且使参考电势的波动最小化。 构成：电极包括在绝缘基板，硅基板（21），玻璃基板，陶瓷基板或塑料基板上形成的带绝缘膜（22,23）的电极金属膜（24），氧化硅膜或硅 氮化物膜; 形成在金属膜上的金属氧化物膜（25） 和在氧化金属膜上形成的聚合物膜（26）。 金属膜和金属氧化物膜安装在绝缘膜上的凹槽中。

公开(公告)号：KR1020040015497A

公开(公告)日：2004-02-19

申请号：KR1020020047763

申请日：2002-08-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 하두영 ,  류호준 ,  최창억 ,  전치훈 ,  김윤태

IPC: G02B26/08

CPC classification number: G02B6/3518 ,  G02B6/3556 ,  G02B6/357 ,  G02B6/3584 ,  G02B26/0841 ,  Y10S359/90

Abstract: PURPOSE: A scanning micromirror for use in an optical communication and a method for manufacturing the same are provided to have a large usable rotational angle and to have a rapid response speed due to a small air braking. CONSTITUTION: A scanning micromirror for use in an optical communication includes an outer frame(114), an inner frame(112), an optical reflection member(110), a plurality of first distortion recover members(122), a plurality of second distortion recover members(118), a first comb type electrostatic driving member(118) and a second comb type electrostatic driving member(116). The outer frame(114) has a hole inside. The inner frame(112) is placed inside of the hole of the outer frame(114) and has a hole inside thereof. The optical reflection member(110) is placed inside of the hole of the inner frame(112). The plurality of first distortion recover members(122) is connected between the inner wall of the outer frame(114) and the outer wall of the inner frame(112) for supporting the inner frame(112). The plurality of second distortion recover members(118) is connected between the inner wall of the inner frame(112) and the optical reflection member(110) for supporting the optical reflection member(110). The first comb type electrostatic driving member(118) gives an electrostatic driving force so as to rotate the inner frame(112) along the first distortion recover members(122) as an axis. And, the second comb type electrostatic driving member(116) gives an electrostatic driving force so as to rotate the optical reflection member(110) along the second distortion recover members(118) as an axis.

Abstract translation: 目的：提供用于光通信的扫描微镜及其制造方法，以具有大的可用旋转角度并且由于小的空气制动而具有快速的响应速度。 构成：用于光通信的扫描微镜包括外框架（114），内框架（112），光反射构件（110），多个第一失真恢复构件（122），多个第二失真 回收构件（118），第一梳状静电驱动构件（118）和第二梳状静电驱动构件（116）。 外框（114）内有孔。 内框架（112）被放置在外框架（114）的孔的内部并且在其内部具有孔。 光学反射构件（110）被放置在内框架（112）的孔的内部。 多个第一变形恢复构件（122）连接在外框架（114）的内壁和用于支撑内框架（112）的内框架（112）的外壁之间。 多个第二失真恢复构件（118）连接在内框架（112）的内壁和用于支撑光反射构件（110）的光反射构件（110）之间。 第一梳型静电驱动构件（118）产生静电驱动力，以沿着作为轴的第一失真恢复构件（122）旋转内框架（112）。 并且，第二梳状静电驱动构件（116）产生静电驱动力，以使光学反射构件（110）沿着作为轴的第二畸变恢复构件（118）旋转。

公开(公告)号：KR1020020037088A

公开(公告)日：2002-05-18

申请号：KR1020000067065

申请日：2000-11-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장원익 ,  최창억 ,  전치훈 ,  김윤태 ,  이명래 ,  김윤태

IPC: H01L21/205

CPC classification number: B81C1/00936 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116

Abstract: PURPOSE: A method for floating a micro-structure for fabricating devices of MEMS(Micro Electro Mechanical System) without stiction is provided to float a micro-structure without stiction and residues by etching a sacrificial layer as an intermediate layer. CONSTITUTION: Anhydrous fluoride and bubbled alcohol vapor supply process is performed. An anhydrous fluoride supply portion, an alcohol supply portion, an anhydrous fluoride transfer path, and an alcohol transfer path are maintained under a temperature higher than a boiling point of an alcohol vapor. A vapor etch process is performed by controlling the temperature and a pressure to a vapor phase region of a phase equilibrium diagram of water. A sacrificial layer is removed from a lower portion of a micro-structure layer. In the vapor etch process, an etch pressure is maintained under 25 to 75 Torr and an etch temperature is maintained under 25 to 80 degrees centigrade.

Abstract translation: 目的：提供一种用于浮动用于制造MEMS（微机电系统）的器件的微结构而不具有静电的方法，以通过蚀刻作为中间层的牺牲层来浮动微结构而不产生粘结和残留。 构成：进行无水氟化物和鼓泡酒精蒸气供给过程。 无水氟化物供给部，醇供给部，无水氟化物传递路径和醇传递路径保持在高于醇蒸气的沸点的温度。 通过控制水的相平衡图的气相区域的温度和压力来进行蒸气蚀刻工艺。 从微结构层的下部去除牺牲层。 在蒸气蚀刻工艺中，蚀刻压力保持在25至75托和蚀刻温度保持在25至80摄氏度之间。

公开(公告)号：KR1020010053854A

公开(公告)日：2001-07-02

申请号：KR1019990054394

申请日：1999-12-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최창억 ,  전치훈 ,  장원익 ,  김윤태

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2203/033 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0178 ,  B81C2203/0136

Abstract: PURPOSE: A method for forming a micro cavity structure hermetically sealed with a planar silicon oxide layer on a silicon substrate is provided with a simplified process and an improved planarity. CONSTITUTION: In the method, the silicon substrate(1) is selectively etched to form a plurality of narrow trenches in a region where a cavity(6) will be formed. The first silicon oxide layer is then formed in the trenches by the first thermal oxidation. Next, a portion of the first silicon oxide layer growing on a surface of the silicon substrate(1) is removed by etch. After that, a polysilicon layer is deposited on an entire resultant structure and then selectively etched to form a plurality of small apertures exposing the region of the cavity(6). Thereafter, the first silicon oxide layer is removed by wet etch through the apertures in the polysilicon layer, so that the cavity(6) is formed in the silicon substrate(1). Next, by the second thermal oxidation, the polysilicon layer is turned into the planar silicon oxide layer(2), while the apertures are clogged up by cubical expansion.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成在硅衬底上用平面氧化硅层密封的微腔结构的方法，其具有简化的工艺和改进的平面度。 构成：在该方法中，选择性地蚀刻硅衬底（1）以在将形成空腔（6）的区域中形成多个窄沟槽。 然后通过第一次热氧化在沟槽中形成第一氧化硅层。 接下来，通过蚀刻去除在硅衬底（1）的表面上生长的第一氧化硅层的一部分。 之后，在整个所得结构上沉积多晶硅层，然后选择性地蚀刻以形成暴露空腔（6）的区域的多个小孔。 此后，通过湿蚀刻通过多晶硅层中的孔去除第一氧化硅层，使得在硅衬底（1）中形成空腔（6）。 接下来，通过第二热氧化，多晶硅层变成平面氧化硅层（2），而孔被立方膨胀堵塞。

公开(公告)号：KR1020010004464A

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019990025141

申请日：1999-06-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종현 ,  이명래 ,  장원익 ,  최창억

IPC: G02B6/00

Abstract: PURPOSE: An optical filter by using a micro structure is provided to simplify a manufacturing progress, reduce the unit cost of manufacturing, and to materialize a filter which has the selectivity of excellent wavelength and the wave variation of a wide field. CONSTITUTION: An optical filter by using a micro structure includes an optical fiber(12) for inputting light, an optical fiber(18) for outputting light, a micro ball lens(14) for the incident light, a micro ball lens(17) for the output light, two silicone mirrors(15, 16), an actuator(111), a support(11) of the optical fiber and fixed electrodes(19) etc. The optical fiber(12) for inputting light and the optical fiber(18) for outputting light are opposite to each other. The micro ball lens(14) for the incident light and the micro ball lens(17) for the output light are installed between the optical fiber. Two silicon mirrors(15, 16) are installed between each micro ball lens and consist of a pair of silicone board. The actuator(111) is connected with the support (11) of the optical fiber and is located between the fixed electrodes(19) and is also connected with a silicone mirrors(15.16).

Abstract translation: 目的：提供一种通过使用微结构的滤光器，以简化制造进度，降低单位制造成本，并实现具有优异波长选择性和宽场波动的滤波器。 构成：通过使用微结构的滤光器包括用于输入光的光纤（12），用于输出光的光纤（18），用于入射光的微球透镜（14），微球透镜（17） 对于输出光，两个硅镜（15,16），致动器（111），光纤的支撑件（11）和固定电极（19）等。用于输入光的光纤（12）和光纤 用于输出光的光（18）彼此相反。 用于入射光的微球透镜（14）和用于输出光的微球透镜（17）安装在光纤之间。 两个硅镜（15,16）安装在每个微球透镜之间并由一对硅胶板构成。 致动器（111）与光纤的支撑体（11）连接，位于固定电极（19）之间，并与硅胶镜（15.16）连接。

公开(公告)号：KR100265860B1

公开(公告)日：2000-10-02

申请号：KR1019970049432

申请日：1997-09-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이용일 ,  최창억 ,  이종현 ,  장원익 ,  백종태

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A method for removing an oxide layer by a dry etching method using an anhydrous fluoride and a methanol is provided to improve an etching ratio by increasing a pressure of an anhydrous fluoride. CONSTITUTION: A temperature of an oxide layer formed with a structure and an oxide layer is maintained under 15 to 70 degrees centigrade. The oxide layer of the wafer is etched under a condition that the amount of an anhydrous fluoride is larger than the amount of a methanol. The etching method is a dry etching method. The etching process for etching the oxide layer is performed under a pressure of 0.1 to 100 torr. The oxide layer is a PSG or BPSG or TEOS or a thermal oxide layer.

Abstract translation: 目的：提供通过使用无水氟化物和甲醇的干蚀刻法除去氧化物层的方法，通过增加无水氟化物的压力来提高蚀刻比。 构成：形成有结构和氧化物层的氧化物层的温度保持在15至70摄氏度。 在无水氟化物的量大于甲醇的量的条件下蚀刻晶片的氧化物层。 蚀刻方法是干蚀刻方法。 用于蚀刻氧化物层的蚀刻工艺在0.1至100托的压力下进行。 氧化物层是PSG或BPSG或TEOS或热氧化物层。

公开(公告)号：KR1019990027223A

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019970049653

申请日：1997-09-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종현 ,  최창억 ,  이용일 ,  백종태 ,  유형준 ,  장원익

IPC: H01L29/82

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
멤즈 소자의 형성 방법.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
진공 밀봉이 요구되는 멤즈 소자의 형성시, 웨이퍼 위에 형성된 모든 소자를 한꺼번에 진공 밀봉하고 또한 진공 성능을 높일 수 있는 진공 밀봉 방법을 사용하여 제조된 멤즈 소자의 형성 방법을 제공하고자 함을 그 목적으로 한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
하부 기판 상에 절연막, 상부 기판을 형성한후, 상기 상부 기판 및 절연막의 선택적 식각으로 상기 하부 기판을 다수군데 노출시키는 단계; 상기 노출된 하부 기판을 메우는 희생막 패턴을 형성하되, 적어도 상기 노출된 하부 기판중 두군데를 연결하여 이루어지는 희생막 패턴을 형성하는 단계; 상기 희생막 패턴 상부에 제1밀봉 박막을 형성하는 단계; 상기 제1밀봉 박막에 상기 희생부 패턴의 끝부분과, 상기 상부 기판을 노출시키는 다수의 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀을 통하여 상기 희생막 패턴을 완전히 제거하는 단계; 및 상기 콘택홀 및 제1밀봉 박막을 덮는 제2밀봉 박막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.