公开(公告)号：JP2014531614A

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：JP2014529775

申请日：2012-08-30

Applicant: クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド

Inventor： チュアン・プ ,  イ・タオ ,  チャンドラ・エス・トゥペリ ,  コスタディン・ディー・ドョルディエフ ,  ファン・ジョン ,  リフイ・ヒ ,  ウェンユエ・チャン

IPC: G02B26/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H02N11/00

CPC classification number: G02B26/001 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/019 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017

Abstract: 本開示は、可動層を制御するためのシステム、方法、および装置を提供する。一態様では、電気機械システムデバイスは、基板と、ギャップを画定するために基板の上に配置された可動層とを含む。可動層は、ギャップ中で作動位置と緩和位置との間で可動であり、ミラー層と、キャップ層と、ミラー層とキャップ層との間に配設された誘電体層とを含む。可動層は、可動層が緩和位置にあるとき、基板から離れる方向に湾曲を有するように構成される。いくつかの実施態様では、可動層は、犠牲層が除去されるときに可動層の湾曲を上方へ向けることができる、基板のほうへ向けられた正の応力勾配を有するように形成され得る。

Abstract translation: 本发明提供了一种系统，用于控制可移动层，方法，和装置。 在一个实施例中，机电系统器件包括衬底，位于所述衬底以界定间隙在可移动层。 可移动层是在工作位置和在所述间隙中的松弛位置，包括一个反射镜层，和盖层，以及设置在所述反射镜层和覆盖层之间的电介质层之间移动。 所述可移动层时所述可移动层处于松弛位置，配置成具有的方向上的曲率远离衬底。 在一些实施例中，可移动层可以被引导向上当牺牲层被移除所述可移动层的弯曲，也可以形成为具有朝向基底引导的正应力梯度。

公开(公告)号：JP2014184513A

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：JP2013060652

申请日：2013-03-22

Applicant: Toshiba Corp ,  株式会社東芝

Inventor： OBARA KEI ,  SUGIZAKI YOSHIAKI ,  SHIMOOKA YOSHIAKI

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01G5/014 ,  H01L23/02 ,  H01L23/10

CPC classification number: B81B7/0051 ,  B81B7/0032 ,  B81B7/0035 ,  B81B7/0038 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2203/0136

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electric component improved in reliability.SOLUTION: The electric component includes: a substrate 100; a functional element 120 formed on the substrate; a first layer 109 forming a cavity 130 for storing the functional element on the substrate and having a plurality of through holes; and a second layer 110 formed on the first layer and blocking the plurality of the through holes 109d. The first layer is provided with a first film 109a, a second film 109b on the first film, and a third film 109c on the second film. The first film and the third film have compression stress larger than that of the second film.

Abstract translation: 要解决的问题：提供可靠性提高的电气部件。解决方案：电气部件包括：基板100; 形成在基板上的功能元件120; 形成用于将功能元件存储在基板上并具有多个通孔的空腔130的第一层109; 以及形成在第一层上并阻挡多个通孔109d的第二层110。 第一层设置有第一膜109a，第二膜109b和第二膜上的第三膜109c。 第一膜和第三膜具有比第二膜更大的压缩应力。

公开(公告)号：JP2013510987A

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：JP2012538349

申请日：2010-11-12

Applicant: コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ

Inventor： イヴ・フイエ ,  フランソワ・バルラ ,  マルティン・コシュット ,  サンドリーン・モベール

IPC: F04B43/02

CPC classification number: F04B43/046 ,  A61M5/14586 ,  B81B2201/036 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/019 ,  F04B43/02 ,  F04B43/043 ,  F05C2203/02 ,  F05C2203/06 ,  Y10T29/494

Abstract: A method for producing at least one deformable membrane micropump including a first substrate and a second substrate assembled together, the first substrate including at least one cavity and the second substrate including at least one deformable membrane arranged facing the cavity. In the method: the cavity is produced in the first substrate; then the first and second substrates are assembled together; then the deformable membrane is produced in the second substrate.

公开(公告)号：JP5129136B2

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：JP2008527198

申请日：2006-08-17

Applicant: クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド

Inventor： クイ，チェンビン ,  照夫 笹川 ,  ツン，ミン−ハウ ,  ワン，チュン−ミン ,  ジー，ステファン

IPC: G02B26/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: G02B26/0841 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/0163 ,  B81B2203/019 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/053 ,  B81C1/00142 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0167 ,  G02B26/001 ,  Y10S359/90

公开(公告)号：JP2007225362A

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：JP2006044870

申请日：2006-02-22

Applicant: Omron Corp ,  オムロン株式会社

Inventor： KASAI TAKASHI ,  WAKABAYASHI SHUICHI

IPC: G01H11/06 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01C19/56 ,  G01C19/574 ,  G01C19/5769 ,  G01L9/00 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81C2201/0167 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming a thin film structure having weak tensile stress controlled in mechanical stress and making an electrical continuity. SOLUTION: After formation of lower layer film 35 of polysilicon film on the substrate 32 of Si etc., the lower layer film 35 is doped with impurity such as P and thermally diffused so as to make continuity. Then, on the lower layer film 35, the upper layer film 36 of polysilicon film which is only formed and not yet makes an electrical continuity, is formed. The upper layer film 36 is provided with tensile stress comparable with compressive stress of the lower layer film 35, and the thin film structure A composed of the lower layer film 35 and the upper layer film 36 is regulated so as to have a weak tensile stress as a whole. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种在机械应力控制下形成具有弱拉伸应力并具有电连续性的薄膜结构的方法。 解决方案：在Si等的基板32上形成多晶硅膜的下层膜35之后，下层膜35掺杂有诸如P的杂质并且热扩散以使其连续。 然后，在下层膜35上形成仅形成并未形成电连续性的多晶硅膜的上层膜36。 上层膜36具有与下层膜35的压缩应力相当的拉伸应力，由下层膜35和上层膜36构成的薄膜结构A被调节为具有弱的拉伸应力 作为一个整体。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2003501274A

公开(公告)日：2003-01-14

申请号：JP2001500902

申请日：2000-05-19

Applicant: エムシーエヌシー

Inventor： グッドウィン‐ヨハンソン，スコット・ホールデン

IPC: B81B7/04 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G02B6/35 ,  G02B26/02 ,  H01H59/00 ,  H02N1/00

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0167 ,  G02B6/353 ,  G02B6/3566 ,  G02B6/357 ,  G02B6/3594 ,  H01H59/0009 ,  H01H2059/0081

Abstract: (57)【要約】 より低くより予測可能な動作電圧で動作するＭＥＭＳ静電装置を提供する。 静電アクチュエータ、電磁放射線の静電減衰器、及び電磁放射線を減衰する方法を提供する。 改善された動作電圧特性は、静電装置内の基板電極とフレキシブル複合材電極との間に増大しないエアギャップを定めることによって実現される。 エレクトロメカニカル基板上に重なる多層のフレキシブル複合材の中間部分は、静電力の印加に関係なく所定に位置に保持され、定められたエアギャップが維持される。 中間部分が片持されるときに、エアギャップが、下に横たわるマイクロ電子面からの分離について比較的一定である実施態様を提供する。 あるいは、中間部分が下に横たわるマイクロ電子面に近づいて接触するときにゼロまで減少するエアギャップが与えられる実施態様も更に提供する。 フレキシブル複合材の可動性の末端部分は、複合材層の間の熱膨張係数の違いによって一方に偏って自然にカールする。 静電力に応答して、末端部分が動いて、その結果、フレキシブル複合材が下に横たわるマイクロ電子面から離れる距離が変化する。 中間部分において一方への偏りを制御するための構造と技術、そして結果として生じるエアギャップを提供する。 静電装置は、電磁放射線の経路を選択的に通過させたり遮ったりするように配置できる。 減衰器に使用される材料は、様々なタイプの電磁放射線を通過させたり、反射したり、あるいは吸収したりするよう選択できる。 複数の電磁減衰器がアレイに配置され、そして選択的にそのサブセットを作動することができる。

公开(公告)号：KR101668835B1

公开(公告)日：2016-10-28

申请号：KR1020137033278

申请日：2012-05-11

Applicant: 테크놀로지안 투트키무스케스쿠스 브이티티 오와이

Inventor： 프룬닐라,미카 ,  자콜라,안티 ,  펜살라,투오마스

IPC: B81B3/00 ,  H03H9/02

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0177 ,  G06F17/5045 ,  H03H9/02448 ,  H03H9/2447 ,  H03H2009/2442

Abstract: 본발명은편향또는공진할수 있고상이한재료속성들을갖는적어도 2개의영역들을포함하는반도체소자, 상기반도체소자에기능적으로결합된구동또는감지수단을포함하는마이크로기계장치에관한것이다. 본발명에따르면, 상기영역들의적어도하나는하나이상의 n-형도핑제들을포함하고, 상기영역들의상대적인체적들, 도핑농도들, 도핑제들및/또는결정방위들은일반화된강성의온도감도들이적어도영역들에대한하나의온도에서부호가반대이고, 상기반도체소자의일반화된강성의전체적인온도드리프트가 100 ℃의온도범위상에서 50 ppm 이하이도록구성된다. 상기장치는공진기일수 있다. 또한, 상기장치를설계하는방법이개시되어있다.

公开(公告)号：KR1020130119986A

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：KR1020137024777

申请日：2012-02-24

Applicant: 하르팅 아게 운트 코. 카게

Inventor： 갓첸한스-하인리히 ,  그리스바흐팀

IPC: B81C1/00 ,  G11B5/31

CPC classification number: H05K1/0271 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/11 ,  B81C2201/0167 ,  H05K3/303 ,  Y10T29/49133

Abstract: 본 발명에 따라 공간 절약형 마이크로 부품들과 나노 부품들 및 이들의 제조 방법이 제안된다. 이러한 부품들의 특징은, 상기 부품들이 상당한 두께의 경성 기판을 갖지 않는다는 점이다. 이 경우, 기계적으로 응력 보상이 이루어지는 구조를 이용하여, 그리고/또는 적절한 응력 보상층들의 증착을 통한 능동적인 기계적 응력 보상에 의해, 부품 내에서 변형 및/또는 휨을 야기하는 기계적 응력이 보상되므로, 비교적 두꺼운 기판에 대한 필요성이 없어진다. 그럼으로써 상기 부품들의 전체 두께가 감소하고, 기술적 시스템 내에서의 집적 가능성이 향상된다. 추가로 이와 같은 부품들의 사용 분야가 확장된다.

公开(公告)号：KR1020130118228A

公开(公告)日：2013-10-29

申请号：KR1020127033926

申请日：2011-06-08

Applicant: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 던바,조지,에이. ,  허,중-샹 ,  몰링,제프리,씨. ,  머피,윌리암,제이. ,  스탬퍼,앤서니,케이.

IPC: H01L29/84

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 적어도 하나의 미세전자기계시스템 (MEMS)를 형성하는 방법은 기판상에 하부 배선 층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 하부 배선 층으로부터 복수의 분리된 와이어들 (14)를 형성하는 단계를 더 포함한다. 상기 방법은 상기 복수의 분리된 와이어들 위에 전극빔 (38)을 형성하는 단계를 더 포함한다. 상기 전극빔과 상기 복수의 분리된 와이어들을 형성하는 단계 중 적어도 하나는 후속 실리콘 증착 (50)에서 힐록(hillock)들과 트리플 포인트(triple point)들을 최소화하는 레이아웃으로 형성된다.

公开(公告)号：KR1020090010930A

公开(公告)日：2009-01-30

申请号：KR1020080071856

申请日：2008-07-23

Applicant: 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드

Inventor： 디트리제임스에프

IPC: H01L21/20

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81C1/00365 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2203/031

Abstract: A boron doped shell for a MEMS(micro-electromechanical system) device is provided to endure a big epitaxial layer without being bent due to lattice pressure caused by boron doping of large amount. A manufacturing method of a wafer for a micro-electromechanical system comprises: a step for providing a silicon substrate; a step for depositing a first doped silicon layer on the silicon substrate; a step for depositing an undoped silicon core layer on the doped silicon layer; and a step for depositing a sencon doped silicon layer on the undoped silicon substrate.

Abstract translation: 提供了用于MEMS（微机电系统）器件的硼掺杂壳体，以承受由于大量硼掺杂引起的晶格压力而不会弯曲的大外延层。 一种用于微机电系统的晶片的制造方法包括：提供硅基板的步骤; 用于在所述硅衬底上沉积第一掺杂硅层的步骤; 用于在掺杂硅层上沉积未掺杂的硅芯层的步骤; 以及在未掺杂的硅衬底上沉积掺杂硅的硅层的步骤。