NANO-ELEKTROMECHANISCHE STRUKTUR UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
    158.
    发明公开
    NANO-ELEKTROMECHANISCHE STRUKTUR UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR 审中-公开
    纳米机电结构及其制造方法

    公开(公告)号:EP2172416A1

    公开(公告)日:2010-04-07

    申请号:EP08779181.0

    申请日:2008-05-28

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine nanoelektromechanische Struktur für verschiedene Anwendungen in der Sensortechnik und der Mikrotechnik sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung. Ist dabei vorgesehen, dass sie folgende Elemente einschließt: mindestens ein steuerbares, stromleitfähiges Element, wenigstens eine Eingangselektrode, die im elektrischen Kontakt mit dem steuerbaren Element steht und wenigstens eine Ausgangselektrode, die vom steuerbaren Element getrennt und mit dem steuerbaren Element elektrostatisch gekoppelt ist, wobei entweder mindestens ein Teil der Ausgangselektrode aus einem Material ausgebildet ist, welches irreversible physikalische oder chemische Änderungen bei physikalischer oder chemischer und durch das steuerbare Element vermittelter Einwirkung bewirkt oder mindestens ein Teil des steuerbaren Elements aus einem Material ausgebildet ist, welches irreversible physikalische oder chemische Änderungen bei physikalischer oder chemischer und durch die Ausgangselektrode vermittelter Einwirkung bewirkt, dann können die Integrationsstufe und die Betriebsfrequenz, die Stabilität, die Empfindlichkeit und die Selektivität erhöht werden.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于传感器技术和微工程的各种应用和它们的制备的方法的纳米机电结构。 由此,只要其包括以下元件:至少一个可控的,电流传导元件,至少一个输入电极,其是在与从所述可控元件分开和静电耦合到所述可控元件的可控元件和至少一个输出电极的电接触, 任一个输出电极的一部分被至少一个材料,这会导致在物理或化学不可逆的物理或化学变化的形成,并通过所述可控元件的动作或可控元件的一部分介导的材料来在至少该不可逆的物理或化学变化而形成 物理或化学和由输出电极作用的原因介导的,集成的水平和工作频率,稳定性,灵敏度和选择性可以增加。

    SILICON STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SENSOR CHIP
    159.
    发明公开
    SILICON STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SENSOR CHIP 有权
    SILIUM-STRUKTUR UND METHODS ZU DEREN HERSTELLUNG

    公开(公告)号:EP2172415A1

    公开(公告)日:2010-04-07

    申请号:EP08830937.2

    申请日:2008-09-04

    Abstract: A silicon structure of the present invention is provided with a silicon substrate (1) to become a base, and a plurality of fibrous projections (2) made of silicon dioxide and directly joined to a silicon-made surface (1a) of the silicon substrate (1). By arbitrarily constructing an area where these fibrous projections (2) are formed in a predetermined area, it is possible to render the area to have at least either hydrophilicity or water retentivity, so as to provide a silicon structure useful for a variety of devices.

    Abstract translation: 本发明的硅结构设置有成为基底的硅衬底(1)和由二氧化硅制成并直接接合到硅衬底的硅制表面(1a)的多个纤维突起(2) (1)。 通过任意地构成这些纤维状突起(2)形成在预定区域的区域,可以使该区域具有至少亲水性或保水性,以提供对各种装置有用的硅结构。

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