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公开(公告)号：CN104944360B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410113760.3
申请日：2014-03-25
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/0038 , B81C2203/01 , G01L9/0042 , G01P15/0802 , G01P15/125
Abstract: 一种MEMS器件及其形成方法，其中所述MEMS器件，包括：衬底，所述衬底中形成有集成电路；位于衬底上的第一介质层，所述第一介质层中形成有若干第一金属连接端和第二金属连接端，第一金属连接端和第二金属连接端与集成电路电相连；位于第一介质层上的第二介质层，所述第二介质层中形成有加速度传感器，所述加速度传感器与第一金属连接端电连接；位于第二介质层中若干第一金属插塞，第一金属插塞与第二金属连接端电连接；位于第二介质层上的压力传感器，所述压力传感器与第一金属插塞电连接。本发明的MEMS器件实现压力传感器和加速度传感器的集成，并且MEMS器件的体积较小。
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公开(公告)号：CN106505056A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610804266.0
申请日：2016-09-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/528 , H01L21/768 , B81B7/02 , B81C1/00
CPC classification number: H01L43/12 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/07 , B81C2201/019 , H01L43/08 , H01L23/488 , B81C1/00015 , H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 半导体结构包括第一衬底、第二衬底、位于第一衬底上方并且位于第一衬底和第二衬底之间的第一感测结构、穿过第二衬底延伸的通孔以及位于第二衬底上方的第二感测结构，并且该第二感测结构包括与通孔电连接的互连结构以及至少部分地覆盖互连结构的感测材料。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN106467288A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610609220.3
申请日：2016-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B3/0005 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/092 , B81C1/00269 , B81C1/00293 , B81C2201/112 , B81C2203/0145 , B81C2203/0785 , B81C2203/0792 , B81B7/0041 , B81C3/001
Abstract: 一种半导体结构包括：第一衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第二衬底，设置在第一表面上方并包括第一器件和第二器件；第一覆盖结构，设置在第二衬底上方，并且包括延伸穿过第一覆盖结构到达第二器件的通孔；第一腔，环绕第一器件并通过第一覆盖结构和第一衬底限定；第二腔，环绕第二器件并通过第一覆盖结构和第一衬底限定；以及第二覆盖结构，设置在第一覆盖结构上方并覆盖通孔，其中，通过第二覆盖结构密封第二腔和通孔。本发明还提供了半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN103539061B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310297234.2
申请日：2013-07-16
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B3/00 , B81B7/02 , G01C19/5733 , G01P15/08
CPC classification number: B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81C1/00246 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , B81C2203/0792 , G01P2015/0877
Abstract: 本发明实现一种微机械结构、尤其是传感器装置和一种对应的运行方法。所述微机械结构、尤其是传感器装置包括至少一个微机械的功能层(100,101)；设置在所述至少一个微机械的功能层(100,101)下方的、具有至少一个可配置的电路装置(PS)的CMOS衬底区域(700")；设置在所述至少一个微机械的功能层(100,101)和所述CMOS衬底区域(700")之间并且电连接到所述微机械的功能层(100,101)和所述电路装置(PS)上的一个或多个接触元件(30,30',30")的装置。所述可配置的电路装置(PS)被设计为，使得所述一个或多个接触元件(30、30',30")可选择性地与CMOS衬底区域(700")中的电连接线路(L1,L2,L3)连接。
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公开(公告)号：CN106145024A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510783708.3
申请日：2015-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B2201/0235 , B81B2207/012 , B81C1/00984 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , B81C2203/036 , B81C2203/0785 , B81C2203/0792 , H01L2224/81805 , H01L2924/1461 , H01L2924/16235
Abstract: 本发明涉及一种具有抗粘滞层的微机电系统(MEMS)封装件及相关形成方法。在一些实施例中，MEMS封装件包括器件衬底和CMOS衬底。器件衬底包括具有可移动的或灵活的部分的MEMS器件，该可移动的或灵活的部分相对于器件衬底是可移动的或灵活的。可移动的或灵活的部分的表面涂覆有由多晶硅制成的共形抗粘滞层。本发明也提供了一种用于制造MEMS封装件的方法。本发明实施例涉及运动微机电系统(MEMS)封装件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104981425B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201380071982.7
申请日：2013-01-31
IPC: B81B7/00 , G01P1/02 , G01P15/125 , G01C19/5769
CPC classification number: G01P15/125 , B81B7/0029 , B81B2201/0221 , B81B2201/0235 , G01C19/5769 , G01P1/023 , G01P15/0802 , Y10T29/417
Abstract: 描述了一种具有微粒屏障的传感器。在一示例中，传感器包括：分别被设置在平坦的支承表面上和检测质量块上的第一电极组和第二电极组，所述检测质量块能沿着大体平行于所述平坦的支承表面的第一轴线顺从地移位；和第一屏障，该第一屏障被设置在所述平坦的支承上围绕所述第一电极组，并且具有的高度小于所述平坦的支承与所述检测质量块之间的间隙，以减轻向所述第一电极组或所述第二电极组中的微粒迁移。
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公开(公告)号：CN104045050B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310359584.7
申请日：2013-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00182 , B81C1/00238 , B81C2201/013 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , H01L23/10 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/291 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/32145 , H01L2224/83193 , H01L2224/83805 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2224/3012 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了具有各向同性腔的MEMS集成压力传感器及其制造方法，其中该方法实施例包括提供具有氧化物层、MEMS衬底、多晶硅层的MEMS晶圆。将包括使用各向同性蚀刻形成的第一腔的载体晶圆接合至MEMS，第一腔与多晶硅层暴露的第一部分对准。图案化MEMS衬底，并且去除部分牺牲氧化层以形成第一和第二MEMS结构。将包括第二腔的帽晶圆接合至MEMS晶圆，这种接合生成包括与第一MEMS结构对准的第二腔的第一密封腔，并且第二MEMS结构设置在多晶硅层的第二部分与帽晶圆之间。去除部分帽晶圆，以使第一腔用作第一MEMS结构的环境压力的通道。
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公开(公告)号：CN104370272B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410599134.X
申请日：2014-10-30
Applicant: 无锡微奥科技有限公司
CPC classification number: B81B3/0037 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/042 , B81B2203/0118 , B81B2203/0136 , B81C1/00 , B81C1/0015 , B81C2201/013 , H01G5/16
Abstract: 本发明公开了一种MEMS自对准高低梳齿及其制造方法，属于MEMS技术领域。自对准高低梳齿包括一端固定在衬底上而另一端与活动梳齿或者固定梳齿连接的抬升结构，抬升结构在生长应力作用下产生垂直方向的位移带动其连接的活动梳齿或者固定梳齿移动。采用SOI硅片，SOI的正面单晶硅器件层即为MEMS结构的机械结构层，引入的抬升机构与梳齿对依次形成于机械结构层上，由同一步刻蚀工艺形成固定梳齿和活动梳齿，由抬升结构中的应力将固定梳齿与活动梳齿在垂直方向上产生一定位移，从而形成了自对准高低梳齿，相对于多层机构的MEMS省去了多次键合的工艺，简化了制造工艺，大大降低加工成本和加工难度，提高成品率。
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公开(公告)号：CN103193193B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210556596.4
申请日：2012-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00515 , B81B7/0006 , B81B7/0077 , B81B2201/0235 , B81B2203/0315 , B81B2207/07 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C1/00293 , B81C1/00301 , B81C2201/0132 , B81C2201/014 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/0145 , B81C2203/035 , H01L2224/11
Abstract: 微机电系统(MEMS)器件及其形成方法。该MEMS器件可以包括位于第一衬底上方的MEMS结构。该MEMS结构包括可移动元件。在第一衬底上方沉积第一导电材料并在第二衬底中蚀刻沟槽。用第二导电材料填充沟槽并在第二导电材料和第二衬底上方沉积第三导电材料。接合第一衬底和第二衬底并减薄第二衬底的背面，所述减薄暴露沟槽中的第二导电材料。
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公开(公告)号：CN105408240A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480026952.9
申请日：2014-05-05
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: G01P1/00 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81C1/00301 , G01C19/56 , G01P15/02
Abstract: 提出一种微机械装置，其具有传感器晶片、中间晶片和分析处理晶片，其中所述微机械装置具有主延伸面，其中传感器晶片、中间晶片和分析处理晶片如此重叠地布置，使得中间晶片布置在传感器晶片和分析处理晶片之间，其中分析处理晶片具有至少一个专用集成电路，其中传感器晶片和/或中间晶片包括第一传感器元件并且传感器晶片和/或中间晶片包括与第一传感器元件在空间上分离的第二传感器元件，其中第一传感器元件位于第一腔体中，第一腔体通过中间晶片和传感器晶片构成，并且第二传感器元件位于第二腔体中，第二腔体通过中间晶片和传感器晶片构成，其中第一腔体中的第一气压不同于第二腔体中的第二气压，并且中间晶片至少在一个位置处在垂直于所述主延伸面延伸的方向上具有开口。
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