公开(公告)号：KR1020030088422A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：KR1020037008307

申请日：2001-12-13

Applicant: 로베르트 보쉬 게엠베하

Inventor： 벤첼후베르트 ,  베버헤리베르트 ,  아르트만한스 ,  쉐퍼프랑크

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0178

Abstract: 본 발명은 기판(1)과, 박막 영역(10a)을 포함하고 기판(1) 상부에 제공되는 단결정층(10)과, 박막 영역(10a)의 하부에 제공된 중공실(50)과, 둘러싸인 층(10)에 비해 상승된 도핑(n
+ , p
+ )을 포함하는 단결정층(10) 내에 제공된 하나 이상의 다공 영역(150, 150')을 포함하는 마이크로 기계식 구성 요소를 제공한다.

公开(公告)号：TW201002089A

公开(公告)日：2010-01-01

申请号：TW098114039

申请日：2009-04-28

Applicant: 佳能股份有限公司

Inventor： 張建六

IPC: H04R

CPC classification number: B06B1/0292 ,  B81B2201/038 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0114

Abstract: 在電容性機電轉換器之製造方法中，在基底（4）上形成第一電極（8）、在第一電極（8）上形成具有通至第一電極的開口（6）之絕緣層（9）、以及在絕緣層上形成犧牲層。在犧牲層上形成具有第二電極（1）的隔膜（3），以及，在隔膜中設置孔洞以作為蝕刻劑入口。蝕刻犧牲層以形成穴（10），然後，密封作為蝕刻劑入口的孔洞。以電解蝕刻執行蝕刻，其中，使流電經由開口（6）及隔膜的孔洞而於第一電極（8）與外部配置的對立電極之間流動。

Abstract in simplified Chinese: 在电容性机电转换器之制造方法中，在基底（4）上形成第一电极（8）、在第一电极（8）上形成具有通至第一电极的开口（6）之绝缘层（9）、以及在绝缘层上形成牺牲层。在牺牲层上形成具有第二电极（1）的隔膜（3），以及，在隔膜中设置孔洞以作为蚀刻剂入口。蚀刻牺牲层以形成穴（10），然后，密封作为蚀刻剂入口的孔洞。以电解蚀刻运行蚀刻，其中，使流电经由开口（6）及隔膜的孔洞而于第一电极（8）与外部配置的对立电极之间流动。

公开(公告)号：TWI224578B

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：TW090127015

申请日：2001-10-31

Applicant: 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： 密雪兒 迪斯龐 MICHEL DESPONT ,  尤特 德崔斯勒 UTE DRECHSLER ,  羅伊H. 瑪格紐森 ROY H. MANGUSON

IPC: B81C

CPC classification number: H01L21/30604 ,  B81B2201/12 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0133 ,  C23F13/14

Abstract: 一種在製造期間保護微結構材料免於不想要電蝕刻之方法，該微結構包含該材料與貴金屬層(8)，此方法包括在結構上形成具有氧化還原電位比該材料低之犧牲性金屬層(12)，該犧牲性金屬層(12)係電連接至該貴金屬層(8)。

Abstract in simplified Chinese: 一种在制造期间保护微结构材料免于不想要电蚀刻之方法，该微结构包含该材料与贵金属层(8)，此方法包括在结构上形成具有氧化还原电位比该材料低之牺牲性金属层(12)，该牺牲性金属层(12)系电连接至该贵金属层(8)。

公开(公告)号：EP3144271A1

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：EP16186997.9

申请日：2016-09-02

Applicant: Point Engineering Co., Ltd.

Inventor： AHN, Bum Mo ,  PARK, Seung Ho ,  BYUN, Sung Hyun

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00825 ,  B81C1/00888 ,  B81C2201/0114 ,  H01L21/78

Abstract: An anodic oxide film structure cutting method is provided. The method includes: an etching step of forming an etched groove by etching one surface of an anodic oxide film having a plurality of anodizing pores along a predetermined cutting line and forming increased-diameter pores by enlarging entrances of the anodizing pores positioned on an inner bottom surface of the etched groove; and a cutting step of cutting the anodic oxide film along the etched groove. Also provided is a unit anodic oxide film structure produced by the cutting method.

Abstract translation: 提供了一种阳极氧化膜结构切割方法。 该方法包括：蚀刻步骤，通过沿着预定切割线蚀刻具有多个阳极化孔的阳极氧化膜的一个表面形成蚀刻槽，并通过扩大位于内底上的阳极氧化孔的入口形成增大直径的孔 刻蚀槽表面; 以及沿着蚀刻槽切割阳极氧化膜的切割步骤。 还提供了通过切割方法制造的单元阳极氧化膜结构。

公开(公告)号：EP2767504A1

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：EP14155613.4

申请日：2014-02-18

Applicant: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

Inventor： Ollier, Eric

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00515 ,  B81C1/00206 ,  B81C1/00412 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/038

Abstract: Procédé de fabrication d'une structure micromécanique et/ou nanomécanique comportant les étapes à partir d'un élément comportant un substrat support et une couche sacrificielle :
a) formation d'une première couche dont au moins une partie est poreuse,
b) formation, sur la première couche, d'une couche en un (ou plusieurs) matériau(x) assurant les propriétés mécanique de la structure, dite couche intercalaire,
c) formation, sur la couche intercalaire, d'une deuxième couche dont au moins une partie est poreuse,
d) formation de ladite structure dans l'empilement de la première couche, de la couche intercalaire et de la deuxième couche,
e) libération de ladite structure par retrait au moins partielle de la couche sacrificielle.

Abstract translation: 该方法包括：形成第一层，即 硅层（6），其一部分是多孔的，并且在所述第一层上的层间（16）形成，以确保结构的机械性能。 第二层被形成在层间，其中所述第二层的一部分是多孔的上。 在第一层中，层间和第二层，其中第一层和第二层由多孔硅锗和在层间的由非多孔硅锗的堆叠的结构被形成。 该结构是通过牺牲层（4）的部分撤回释放。

公开(公告)号：EP1378486B1

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：EP03019482.3

申请日：1999-03-25

Applicant: CANON KABUSHIKI KAISHA

Inventor： Iwasaki, Tatsuya ,  Den, Tohru

IPC: B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  B82B3/00 ,  H01J1/30

CPC classification number: H01F1/009 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0114 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/743 ,  G11B5/855 ,  G11C2213/81 ,  H01F1/0081 ,  H01J1/304 ,  H01J1/3042 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/778 ,  Y10S977/78 ,  Y10S977/939

公开(公告)号：EP2367969A1

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：EP09831303.4

申请日：2009-12-08

Applicant: University Of South Australia

Inventor： LOSIC, Dusan

IPC: C25C3/00 ,  C25C5/00 ,  C25D1/16 ,  C25B9/06 ,  C25C7/00 ,  H01M4/04 ,  C25C3/06 ,  C25D1/00 ,  C25C3/20 ,  C25D1/08

CPC classification number: C25D1/08 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  C25D1/00 ,  C25D1/006 ,  C25D11/02 ,  C25D11/045

Abstract: A process for forming a porous metal oxide or metalloid oxide material, the process including: - providing an anodic substrate including a metal or metalloid substrate;- providing a cathodic substrate; - contacting the anodic substrate and the cathodic substrate with an acid electrolyte to form an electrochemical cell; - applying an electrical signal to the electrochemical cell;- forming shaped pores in the metal or metalloid substrate by: (c) time varying the applied voltage of the electrical signal to provide a voltage cycle having a minimum voltage period during which a minimum voltage is applied, a maximum voltage period during which a maximum voltage is applied, and a transition period between the minimum voltage period and the maximum voltage period, wherein the voltage is progressively increased from the minimum voltage to the maximum voltage during the transition period, or (d) time varying the current of the electrical signal to provide a current cycle having a minimum current period during which a minimum current is applied, a maximum current period during which a maximum current is applied, and a transition period between the minimum current period and the maximum current period, wherein the voltage is progressively increased from the minimum current to the maximum current during the transition period.

公开(公告)号：EP1347937B1

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：EP01990295.6

申请日：2001-12-13

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  ARTMANN, Hans ,  SCHAEFER, Frank

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0178

Abstract: The invention relates to a micromechanical component comprising: a substrate (1); a monocrystalline layer (10), which is provided above the substrate (1) and which has a membrane region (10a); a cavity (50) that is provided underneath the membrane region (10a), and; one or more porous regions (150; 150'), which are provided inside the monocrystalline layer (10) and which have a doping (n ; p ) that is higher than that of the surrounding layer (10).

Abstract translation: 本发明涉及一种微机械部件，该微机械部件包括：衬底（1）; 设置在所述衬底（1）上方并且具有膜区域（10a）的单晶层（10）; 设置在膜区域（10a）下方的空腔（50），以及; 设置在单晶层（10）内并且具有比周围层（10）高的掺杂（n +; p +）的一个或多个多孔区域（150; 150'）， 。

公开(公告)号：EP1334060B1

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：EP01992685.6

申请日：2001-10-06

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  ARTMANN, Hans ,  SCHAEFER, Frank

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/036 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2203/0136

Abstract: The invention relates to the production of a micromechanical component, comprising a substrate (10), made from a substrate material with a first doping type (p), a micromechanical functional structure arranged in the substrate (10) and a cover layer for the at least partial covering of the micromechanical functional structure. The micromechanical functional structure comprises regions (15; 15a; 15b; 15c; 730; 740; 830) made from the substrate material with a second doping type (n), at least partially surrounded by a cavity (50; 50a-f) and the cover layer comprises a porous layer (30) made from the substrate material.

公开(公告)号：EP1403211A3

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：EP03255693.8

申请日：2003-09-11

Applicant: PTS Corporation

Inventor： Staple, Bevan ,  Buriak, Jilian

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0139 ,  B81C2201/053

Abstract: A microelectromechanical structure is formed by depositing sacrificial and structural material over a substrate to form a structural layer on a component electrically attached with the substrate (step 102). The galvanic potential of the structural layer is greater than the galvanic potential of the component. At least a portion of the structural material is covered with a protective material that has a galvanic potential less than or equal to the galvanic potential of the component (step 104 or 106). The sacrificial material is removed with a release solution (step 108 or 110). At least one of the protective material and release solution is surfactanated, the surfactant functionalizing a surface of the component.