公开(公告)号：CN101248519B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200680014752.7

申请日：2006-02-24

Applicant: 硅源公司

Inventor： 佛朗克斯·J·海恩勒 ,  哈丽·罗伯特·柯克 ,  詹姆斯·安德鲁·苏利凡

IPC: H01L21/46 ,  H01L21/30 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/2007 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/019 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76254 ,  H01L2221/68359

Abstract: 本发明公开了一种包含一个或多个器件(例如，光电器件、集成电路)的多层衬底结构。该结构具有操作衬底，该操作衬底具有预定厚度并且杨氏模量为约1MPa-约130GPa。该结构还具有连接至操作衬底的充分结晶材料层。优选地，该充分结晶材料层的厚度为约100μm-约5mm。该结构在充分结晶材料层上具有分裂表面，并且分裂膜的表面粗糙度小于200。在材料层上设置有至少一个或更多个光电器件。

公开(公告)号：CN101401199B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200780006928.9

申请日：2007-02-26

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·阿斯帕尔 ,  C·拉加赫-布朗夏尔

IPC: H01L21/762

CPC classification number: B81C1/00357 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/019 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254 ,  Y10T428/12674

Abstract: 本发明涉及一种用于生产包含表面层(20’)，至少一个埋入层(36，46)，以及支撑(30)的半导体结构的方法，该方法包括：采用第一材料在第一支撑上形成图形(23)的步骤；在所述图形之间和之上形成半导体层的步骤；组装所述半导体层与第二支撑(30)的步骤。

公开(公告)号：CN102086015A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN201010574369.5

申请日：2003-02-25

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 河添宏 ,  中祖昭士 ,  有家茂晴

IPC: B81B1/00 ,  B81C3/00 ,  G01N37/00 ,  B01J19/00

CPC classification number: B01L3/502707 ,  B01J19/0093 ,  B01J2219/00783 ,  B01J2219/00788 ,  B01J2219/00822 ,  B01J2219/00833 ,  B01J2219/0086 ,  B01J2219/00869 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0838 ,  B01L2300/0874 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2400/0481 ,  B01L2400/0655 ,  B81B2201/051 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/032 ,  Y10T156/10

Abstract: 本发明涉及微型流体系统用支撑单元及其制造方法。所述微型流体系统用支撑单元的制造方法的特征在于，包含：在第一支撑体的表面形成第一粘合剂层的步骤；在该第一粘合剂层的表面，通过施加载荷及超声波振动或者通过施加载荷和进行激光照射，从而敷设中空细丝的步骤。

公开(公告)号：CN102030307A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010510987.3

申请日：2010-10-08

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： S·魏斯 ,  A·赫希斯特

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00238 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0792 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/084

Abstract: 本发明涉及用于制造微机械构件的制造方法，包括：以第一绝缘层(14)至少部分地覆盖衬底的第一侧面(11)，由至少一个第一导电材料构成至少一个致动器板电极(12)、至少一个接触接头(34)和至少一个弹簧部件(32)，以第二绝缘层(36)覆盖至少所述至少一个致动器板电极(12)、至少一个接触接头(34)和至少一个弹簧部件(32)，由至少一个第二导电材料构成至少一个定子接触接头(16)，在衬底中构成至少一个第一沟道(38)来形成可移动质量(10)和保持结构的一框架(30)，其中，在第一方向上蚀刻，和去除第二绝缘层(36)的至少一个位于至少一个致动器板电极(12)与至少一个定子板电极(16)之间的部分质量，其中，在第二方向上蚀刻。本发明还涉及微机械构件。

公开(公告)号：CN102009946A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN201010273807.4

申请日：2010-09-03

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·库格勒 ,  R·埃伦普福特 ,  M·布鲁恩德尔 ,  F·哈格 ,  F·桑德迈耶 ,  U·肖尔茨

IPC: B82B3/00 ,  B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01L9/00 ,  G01F1/684 ,  G01D5/12 ,  G01P15/08

CPC classification number: H01L21/568 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2203/0154 ,  G01F1/6845 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于制造包含微结构化或纳米结构化的元器件的构件的方法，包括步骤：提供载体(1)，其包括施加在载体(1)上的连接层(2)，在连接层(2)的表面上施加另一个层(3)，其中该另一个层(3)包括导电的区域，该另一个层(3)包括至少两个上下设置的不同的层并且在一个层中存在的导电区域面对着载体，在该另一个层(3)的顶面上施加至少一个微结构化或纳米结构化的元器件(4，4’)，用包封材料(6)至少部分地包封微结构化或纳米结构化的元器件(4，4’)并且从连接层(2)上分离所获得的、包括包封材料(6)，至少一个微结构化或纳米结构化的元器件(4，4’)和另一个层(3)的复合体。

公开(公告)号：CN101952731A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200980104904.6

申请日：2009-01-21

Applicant: 柯尼卡美能达精密光学株式会社

Inventor： 平山博士 ,  波多野卓史

IPC: G01N35/08 ,  B81B1/00 ,  G01N37/00

CPC classification number: B81C1/00071 ,  B01L3/502707 ,  B01L2200/0689 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0887 ,  B29C65/1406 ,  B29C65/1612 ,  B29C65/1648 ,  B29C65/1683 ,  B29C65/18 ,  B29C65/48 ,  B29C65/4845 ,  B29C65/8223 ,  B29C65/8246 ,  B29C66/112 ,  B29C66/1122 ,  B29C66/3452 ,  B29C66/53461 ,  B29C66/71 ,  B29C66/919 ,  B29C66/929 ,  B29L2031/756 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0338 ,  B81C2201/019 ,  B29K2009/00 ,  B29K2023/06 ,  B29K2023/12 ,  B29K2023/38 ,  B29K2025/06 ,  B29K2027/06 ,  B29K2027/08 ,  B29K2031/04 ,  B29K2033/12 ,  B29K2033/20 ,  B29K2067/003 ,  B29K2069/00 ,  B29K2077/00 ,  B29K2083/00

Abstract: 本发明提供一种微芯片及其制造方法，所述微芯片是在树脂基板上接合有树脂膜的微芯片，其可以防止由于周边部的剥离而导致的漏液，并同时防止微细流路的变形和堵塞。本发明所提供的微芯片，其包括：具有形成有流路用槽的第1表面和与所述第1表面相反侧的第2表面的树脂基板，以及接合在所述树脂基板的第1表面上的树脂膜，其中，所述树脂基板和所述树脂膜的接合面由下述区域构成：包含形成有所述流路用槽的区域的中央区域，及该中央区域外周的周边区域，在中央区域上树脂基板和所述树脂膜的接合强度大于0.098N/cm，且至少部分接合面的周边区域的接合强度大于中央区域的接合强度。

公开(公告)号：CN101432223A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015242.6

申请日：2007-04-26

Applicant: 电子微系统公司

Inventor： 若埃尔·科莱 ,  斯特凡娜·尼古拉 ,  克里斯蒂安·皮斯埃拉

IPC: B81C1/00 ,  F04B43/04

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2201/054 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/019 ,  F04B43/046

Abstract: 本发明涉及用于在晶片中集体制造具有给定厚度d的腔和/或膜片(24)的方法，该晶片是绝缘体上半导体层，在绝缘层上包括至少一个具有厚度d的半导体表面层，该绝缘层本身被支撑在衬底上，该方法包括：对具有厚度d的半导体表面层进行蚀刻，绝缘层形成阻止层，以在表面层中形成腔和/或膜片。

公开(公告)号：CN101405215A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780009662.3

申请日：2007-05-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山口真弓 ,  泉小波

IPC: B81C3/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01L21/762 ,  B32B38/10 ,  B81C3/008 ,  B81C2201/019 ,  Y10T428/24802

Abstract: 本发明提供一种微结构、微机械、以及微结构和微机械的制造方法。制造微结构和微机械而无需牺牲层蚀刻。分离层102被形成于衬底101上方，并且作为可移动电极的层103被形成于分离层102上方。在分离层102的界面处，作为可移动电极的层103被从衬底分离开。作为固定电极的层106被形成于另一衬底105上方。作为可移动电极的层103隔着部分地设置的间隔层103被固定到衬底105上，使得作为可移动电极的层103与作为固定电极的层106彼此相对置。

公开(公告)号：CN101401199A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200780006928.9

申请日：2007-02-26

Applicant: 特拉希特技术公司

Inventor： B·阿斯帕尔 ,  C·拉加赫-布朗夏尔

IPC: H01L21/762

CPC classification number: B81C1/00357 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/019 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254 ,  Y10T428/12674

Abstract: 本发明涉及一种用于生产包含表面层(20’)，至少一个埋入层(36，46)，以及支撑(30)的半导体结构的方法，该方法包括：采用第一材料在第一支撑上形成图形(23)的步骤；在所述图形之间和之上形成半导体层的步骤；组装所述半导体层与第二支撑(30)的步骤。

公开(公告)号：CN101359605A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810134052.2

申请日：2004-05-19

Applicant: 齐普特洛尼克斯公司

Inventor： 童勤义

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/762 ,  B81C1/00

CPC classification number: B32B7/04 ,  B32B2250/04 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/26 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08059 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/05442

Abstract: 一种粘结方法，包括使用具有氟化氧化物的粘结层。通过暴露于含氟溶液、蒸汽或者气体下或者通过植入，可将氟引入到粘结层内。也可使用其中在粘结层的形成过程中将氟引入其内的方法，从而形成粘结层。粘结层的表面用所需物种，优选NH2物种终止。这可通过将粘结层暴露于NH4OH溶液来实现。在室温下获得高的粘结强度。该方法也可包括一起粘结两层粘结层并在粘结层之间的界面附近处生成具有峰值的氟浓度。粘结层之一可包括在彼此上形成的两层氧化物层。在两层氧化物层之间的界面处，氟的浓度也可具有第二峰值。