公开(公告)号：US20130251631A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13897330

申请日：2013-05-17

Applicant: Forschungsverbund Berlin E.V. ,  The Government of the United States of America as represented by the Secretary of the Department of

Inventor： Marvin C. Gershengorn ,  Susanne Neumann ,  Bruce M. Raaka ,  Craig J. Thomas ,  James Inglese ,  Noel T. Southall ,  Steven Titus ,  Wei Zheng ,  Wenwei Huang ,  Gerd Krause ,  Gunnar Kleinau

IPC: C07D405/06 ,  A61K51/00 ,  A61K31/517

CPC classification number: C07D405/06 ,  A61K31/517 ,  A61K49/0004 ,  A61K51/00 ,  C07D239/91 ,  C07D401/06 ,  C07D405/14 ,  C07D487/04

Abstract: Disclosed are oxo-hydroquinazolines that are useful as selective TSHR agonists. The compounds may be used for detecting or treating thyroid cancer, or treating a bone degenerative disorder.

Abstract translation: 公开了可用作选择性TSHR激动剂的氧代 - 氢喹唑啉。 该化合物可用于检测或治疗甲状腺癌或治疗骨退行性疾病。

公开(公告)号：WO2022073820A1

公开(公告)日：2022-04-14

申请号：PCT/EP2021/076794

申请日：2021-09-29

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： ERNST, Owen ,  UEBEL, David ,  LANGE, Felix ,  TEUBNER, Thomas ,  SCHRAMM, Hans-Peter ,  BOECK, Torsten

IPC: B81C1/00

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Mikrostrukturierung und insbesondere ein Verfahren zur Erzeugung lokal definierter Mikrostrukturen (24) aus Metallen (20) auf Substratoberflächen (12). Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Erzeugung lokal definierter Mikrostrukturen (24) auf Substratoberflächen (12) umfasst das Bereitstellen einer Substratoberfläche (12) mit einem Bereich festgelegter Rauheit (14), das lokale Verringern der Rauheit der Substratoberfläche (12) im Bereich festgelegter Rauheit (14) zur Ausbildung mindestens eines Bereichs verminderter Rauheit (16), das Abscheiden eines Metalls (20) bei einer Temperatur der Substratoberfläche (12) oberhalb des Schmelzpunktes des Metalls (20) zur Ausbildung von lokalisierten Metalltropfen (22) in Bereichen verminderter Rauheit (16) sowie das Abkühlen der Substratoberfläche (12) zum Erstarren der lokalisierten Metalltropfen zu Mikrostrukturen (24) in Bereichen verminderter Rauheit (16).

公开(公告)号：WO2020104519A1

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：PCT/EP2019/081913

申请日：2019-11-20

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： WERNER, Nils ,  HOFMANN, Julian ,  BEGE, Roland ,  SAHM, Alexander ,  PASCHKE, Katrin

IPC: H01S5/14 ,  H01S3/109 ,  H01S5/028

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Erzeugung von Laserstrahlung. Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung zur Erzeugung von Laserstrahlung unter Verwendung eines nichtlinearen Kristalls anzugeben, die einen einfachen Aufbau und geringe optische Verluste aufweist. Die erfindungsgemäße Vorrichtung umfasst einen optischen Verstärker (1) mit einer aktiven Zone (17); wobei der optische Verstärker (1) eine Frontfacette (4) und eine Rückfacette (2) aufweist, zwischen denen sich die aktive Zone (17) erstreckt; und einen Resonator mit einem ersten Resonatorelement (21) und einem zweiten Resonatorelement (22), zwischen denen sich der optische Verstärker (1) erstreckt, wobei das erste Resonatorelement (21) auf einer der Frontfacette (4) abgewandten Seite der aktive Zone (17) und das zweite Resonatorelement (22) auf einer der Frontfacette (4) zugewandten Seite der aktive Zone (16) angeordnet ist, wobei das zweite Resonatorelement (22) einen nichtlinearen Kristall (5, 11) mit einer periodischen Polung (W5) umfasst.

公开(公告)号：WO2018197096A1

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：PCT/EP2018/056165

申请日：2018-03-13

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： HOFFMANN, Thomas

IPC: H03F1/02 ,  H03K17/06 ,  H03K17/687 ,  H03F3/21 ,  H03F3/217

Abstract: Eine Vorrichtung (100) zur Ansteuerung eines selbstleitenden n-Kanal Endstufenfeldeffekttransistors (V1) umfasst einen Steuersignaleingang (110), einen Steuersignalausgang (120) zur Verbindung mit einer Gate-Elektrode (V1G) des Endstufenfeldeffekttransistors (V1), einen ersten Knotenpunkt (N1), der an den Steuersignalausgang (120) angeschlossen ist, einen zweiten Knotenpunkt (N2), und einen ersten Transistor (V4). Eine Source-Elektrode (V4S) des ersten Transistors (V4) ist an den ersten Knotenpunkt (N1), eine Gate-Elektrode (V4G) des ersten Transistors (V4) ist an den zweiten Knotenpunkt (N2) angeschlossen und eine Drain-Elektrode (V4D) des ersten Transistors (V4) ist entweder mit der Source-Elektrode des Endstufenfeldeffekttransistors (V1) verbunden, oder an eine Versorgungsspannung (+Vdd) angeschlossen. Ein Widerstand (R1) ist mit einem Ende an den zweiten Knotenpunkt (N2) angeschlossen. Die Vorrichtung (100) ist dadurch gekennzeichnet, dass der Widerstand (R1) mit dem anderen Ende an den ersten Knotenpunkt (N1) angeschlossen ist. Mithilfe des ersten Transistors (V4) lässt sich so bewirken, dass am Steuersignalausgang die Versorgungsspannung(Vdd), anliegt wenn am Steuersignaleingang (110) ein Low-Level Signal anliegt.

公开(公告)号：WO2018108970A3

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：PCT/EP2017/082530

申请日：2017-12-13

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： GIUNTONI, Ivano ,  GEELHAAR, Lutz

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/34 ,  H01S5/10 ,  H01S5/125 ,  H01S5/40

Abstract: Eine Laservorrichtung (100) umfasst ein Substrat (10), auf dessen Oberfläche ein optischer Wellenleiter (11) angeordnet ist, der einen optischen Resonator (12, 13) mit einer derartigen Resonatorlänge enthält, dass mindestens eine Resonatormode im Resonator (12, 13) eine stehende Welle bildet, und ein Verstärkungsmedium, das auf einer Oberfläche des optischen Wellenleiters (11) angeordnet ist, wobei das Verstärkungsmedium einen photonischen Kristall (20) mit einer Vielzahl von säulen- und/oder wandförmigen Halbleiterelementen (21) umfasst, die periodisch, von dem optischen Wellenleiter (11) abstehend auf der Oberfläche des optischen Wellenleiters (11) angeordnet sind, und der photonische Kristall (20) für eine optische Wechselwirkung mit der mindestens einen Resonatormode des optischen Resonators (12, 13) und für eine Verstärkung von Licht mit einer Wellenlänge der mindestens einen Resonatormode des optischen Resonators (12, 13) eingerichtet ist. Es werden auch Verfahren zum Betrieb und zur Herstellung der Laservorrichtung beschrieben.

公开(公告)号：WO2018059965A1

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：PCT/EP2017/073232

申请日：2017-09-15

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： LIERO, Armin ,  KLEHR, Andreas ,  HOFFMANN, Thomas

IPC: G01S7/484 ,  G01R1/04 ,  H01L27/15

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen optischen Pulsgenerator und ein Verfahren zum Betrieb eines optischen Pulsgenerators. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen optischen Pulsgenerator für eine Hochfrequenz (HF)-Pulsweitenmodulation in LiDAR-Systemen. Der erfindungsgemäße optische Pulsgenerator umfasst ein aktives optisches Bauelement (10), dazu ausgebildet, optische Strahlung zu emittieren, wobei das optische Bauelement (10) Kontaktflächen (12, 14) für eine elektrische Kontaktierung aufweist; ein Mittel zur elektronischen Ansteuerung (20) des optischen Bauelements (10), dazu ausgebildet, das optische Bauelement (10) zu einer gepulsten Emission optischer Strahlung anzuregen, wobei das Mittel zur elektronischen Ansteuerung (20) Kontaktflächen (22, 24) für eine elektrische Kontaktierung aufweist; einen ersten Baugruppenträger (30), wobei das Mittel zur elektronischen Ansteuerung (20) auf dem ersten Baugruppenträger (30) angeordnet ist; einen zweiten Baugruppenträger (40), wobei das optische Bauelement (10) auf dem zweiten Baugruppenträger angeordnet ist. Der erfindungsgemäße optische Pulsgenerator ist dadurch gekennzeichnet, dass das optische Bauelement (10) zwischen dem ersten Baugruppenträger (30) und dem zweiten Baugruppenträger (40) angeordnet ist, wobei mindestens eine Kontaktfläche (22, 24) des Mittels zur elektronischen Ansteuerung (20) direkt oder mittels Lotpunkt mit mindestens einer Kontaktfläche (12, 14) des optischen Bauelements (10) verbunden ist. Das erfindungsgemäße Verfahren zum Betrieb eines optischen Pulsgenerators basiert auf einer Anwendung des erfindungsgemäßen optischen Pulsgenerators.

Abstract translation: 光脉冲发生器和操作光脉冲发生器的方法技术领域本发明涉及光脉冲发生器和操作光脉冲发生器的方法。 特别地，本发明涉及用于LiDAR系统中的高频（RF）脉宽调制的光脉冲发生器。 根据本发明的光学脉冲发生器包括被设计为发射光辐射的有源光学部件（10），光学部件（10）具有用于电接触的接触表面（12,14） 光学部件（10），适于将所述光学部件（10）的电子匹配装置（20），以鼓励光辐射，的脉冲发射，其中，所述电子匹配装置（20）Kontaktfl BEAR表面（22，24），用于导航使用 具有电接触; 第一子机架（30），所述电子控制机构（20）设置在所述第一子机架（30）上; 第二子机架（40），其中光学装置（10）设置在第二子机架上。 本发明BEAR ROAD光脉冲发生器的特征在于：所述第一框和AUML之间的光部件（10）; GER（30）和所述第二框＆AUML; GER（40），所述至少一个Kontaktfl BEAR表面（22，24 ）的电子控制装置（20）直接或通过焊点与光学部件（10）的至少一个接触表面（12,14）连接。 根据本发明操作光脉冲发生器的方法基于根据本发明的光脉冲发生器的应用。

公开(公告)号：WO2018036964A1

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：PCT/EP2017/071030

申请日：2017-08-21

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： ERBERT, Götz ,  FRICKE, Jörg ,  MÜLLER, Andre ,  WENZEL, Hans ,  SUMPF, Bernd ,  PASCHKE, Katrin

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/125 ,  G02B6/124 ,  G02B6/122

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Wellenleiterstruktur und ein optisches System mit einer Wellenleiterstruktur. Die erfindungsgemäße Wellenleiterstruktur (100) umfasst einen ersten Wellenleiterbereich (10) mit einer konstanten ersten Breite (w 1 ), dazu ausgebildet, elektromagnetische Wellen modenerhaltend entlang seiner Längsachse (L10) zu führen; einen zweiten Wellenleiterbereich (20), dazu ausgebildet, elektromagnetische Wellen modenerhaltend entlang seiner Längsachse (L20) zu führen, wobei die Längsachse (L10) des ersten Wellenleiterbereichs (10) und die Längsachse (L20) des zweiten Wellenleiterbereichs (20) eine gemeinsame Längsachse (L10, L20) der Wellenleiterstruktur (100) ausbilden, wobei eine erste Stirnfläche des ersten Wellenleiterbereichs (10) und eine erste Stirnfläche des zweiten Wellenleiterbereichs (20) zueinander ausgerichtet sind, wobei die Breite der ersten Stirnfläche des zweiten Wellenleiterbereichs (20) der ersten Breite (w 1 ) entspricht, und sich die Breite (w) des zweiten Wellenleiterbereichs (20) entlang seiner Längsachse (L20) von der ersten Stirnfläche zu einer zweiten Stirnfläche auf eine zweite Breite (w 2 ) größer als die erste Breite (w 1 ) aufweitet; und ein Gitter (40) mit einer Vielzahl von Stegen (42) und Gräben (44), wobei das Gitter (40) entlang der gemeinsamen Längsachse (L10, L20) im zweiten Wellenleiterbereich (20) angeordnet ist.

Abstract translation: 本发明涉及波导结构和具有波导结构的光学系统。 本发明BEAR ROAD波导结构（100）包括以恒定的第一宽度的第一波导区（10）（瓦特<子> 1 ），适于将所述电磁波模式沿其L-保持BEAR纵向轴线（L10）至f导航用途 ;铅; 第二波导区（20），适合于沿着它的L＆AUML模式电磁波防腐剂，铅，其中L- BEAR;纵向轴线（L20）至f导航用途纵向轴线（L10）的第一波导区（10）和L＆AUML的;纵向轴线（L20），第二的 形成波导结构（100），其特征在于，一个第一端面BEAR的纵向轴线（L10，L20）;具有所述第一波导区域的公共L＆AUML表面（10）和第二波导区域的第一端面BEAR面波导区（20）（20）彼此，其特征在于，对准 第二波导区（20）的所述第一端面BEAR表面的宽度，所述第一宽度（w <子> 1 ），并沿着它的L中的第二波导区域（20）的宽度（w）BEAR纵向轴线（L20） 从第一端面BEAR表面到第二端面BEAR表面至第二宽度（w <子> 2 ）GR＆ouml;道路它比所述第一宽度（w <子> 1 ）膨胀; 和具有多个焊盘（42）和Gr＆AUML网格（40）;沿着共同大号BEAR纵向轴线（L10，L20）本（44），所述光栅（40）设置在所述第二波导区域（20）

公开(公告)号：WO2017186793A1

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：PCT/EP2017/059930

申请日：2017-04-26

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： KRAUSE, Gerd ,  HOYER, Inna ,  SPECKER, Edgar ,  FURKERT, Jens ,  MARCINKOWSKI, Patrick ,  VON KRIES, Jens-Peter ,  NEUENSCHWANDER, Martin ,  NAZARE, Marc

IPC: A61K31/429 ,  A61K31/495 ,  A61P5/14 ,  A61P35/00

Abstract: The invention relates to chemical compounds that are useful in the treatment of a subject afflicted by a thyroid disease, in particular to compounds that exhibit activity as thyroid-stimulating hormone receptor (TSHR) antagonists and their use in the treatment of hyperthyroidism, Graves' disease, Graves' Ophthalmopathy and thyroid cancer.

Abstract translation: 本发明涉及用于治疗患有甲状腺疾病的受试者的化合物，特别是涉及表现出作为促甲状腺激素受体（TSHR）拮抗剂的活性的化合物及其在 甲状腺功能亢进症，格雷夫斯病，格雷夫斯眼病和甲状腺癌的治疗。

公开(公告)号：WO2017041812A1

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：PCT/EP2015/001835

申请日：2015-09-11

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： GIUNTONI, Ivano ,  GEELHAAR, Lutz ,  RIECHERT, Henning ,  BRUNS, Jürgen

IPC: G02B6/124 ,  H01S5/10

CPC classification number: G02B6/124 ,  H01S5/341

Abstract: An optoelectronic device (100) comprises a waveguide device (10) being arranged for guiding light fields (1), an array (20) of semiconductor nanowires (21), which stand with a mutual spacing on the waveguide device (10), wherein the positions and spacing of the nanowires (21) are selected such that the array (20) of semiconductor nanowires (21) provides an optical grating coupler optically coupling the waveguide device (10) and the semiconductor nanowires (21), and first and second contact sections (31, 32) for electrically contacting the array (20) of semiconductor nanowires (21). Furthermore, a method of manufacturing the optoelectronic device is described.

Abstract translation: 一种光电子器件（100）包括布置成用于引导光场（1）的波导器件（10），在波导器件（10）上以相互间隔相对置的半导体纳米线阵列（20），其中 选择纳米线（21）的位置和间隔使得半导体纳米线（21）的阵列（20）提供光学耦合器光学耦合波导器件（10）和半导体纳米线（21），第一和第二 接触部分（31,32），用于电接触半导体纳米线（21）的阵列（20）。 此外，描述了制造光电子器件的方法。

公开(公告)号：WO2015128311A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：PCT/EP2015/053791

申请日：2015-02-24

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： EPPICH, Bernd

IPC: G02B19/00 ,  G02B17/00 ,  G02B17/04 ,  G02B5/04 ,  G02B27/09

CPC classification number: G02B27/0972 ,  G02B5/045 ,  G02B17/002 ,  G02B17/045 ,  G02B19/0057 ,  G02B27/0922 ,  G02B27/0977 ,  G02B27/30

Abstract: Die Lichtleitvorrichtung (60) umfasst k>1 erste zueinander parallele Umlenkvorrichtungen (U11, U21, U31, Sp1, Sp3), die entlang einer ersten Richtung (X) angeordnet sind, und k zweite zueinander parallele Umlenkvorrichtungen (U12, U22, U32, Sp2, Sp4), die entlang einer zur ersten Richtung senkrechten zweiten Richtung (Y) angeordnet sind. Eine dritte Richtung (Z) ist zur ersten und zweiten Richtung (X, Y) senkrecht. Jede der zweiten Umlenkvorrichtungen (U12, U22, U32, Sp2, Sp4) ist bezüglich einer der ersten Umlenkvorrichtungen (U11, U21, U31, Sp1, Sp3) in einer selben vierten Richtung (P) angeordnet. Die ersten Umlenkvorrichtungen (U11, U21, U31, Sp1, Sp3) weisen in eine fünfte Richtung gerichtete optische Achsen auf und die zweiten Umlenkvorrichtungen (U12, U22, U32, Sp2, Sp4) weisen entgegengesetzt zur fünften Richtung gerichtete optische Achsen auf. Die fünfte Richtung ist Winkelhalbierende eines Winkels zwischen der dritten und der vierten Richtung.

Abstract translation: 导光装置（60），其包括K> 1级第一相互平行的导向沿着第一方向（X）设置的设备（U11，U21，U31，SP1，SP3）被布置，并且k第二互相平行的导向装置（U12，U22，U32，SP2 ，它们沿着一个方向布置成垂直于所述第一方向SP4），所述第二方向（Y）。 的第三方向（Z）与第一和第二方向（X，Y）垂直。 每个第二引导装置（U12，U22，U32，SP2，SP4）相对于在同一第四方向的第一偏转装置（U11，U21，U31，SP1，SP3）（P）中的一个的。 第一偏转装置（U11，U21，U31，SP1，SP3）具有在第五方向上取向的光轴，并且所述第二偏转装置（U12，U22，U32，SP2，SP4）具有相反的面向光轴第五方向。 第五方向平分第三和第四方向之间的角度。