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公开(公告)号：KR1020050112677A
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：KR1020040037836
申请日：2004-05-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03G9/12
CPC classification number: G03G9/122
Abstract: 본 발명은 전자사진용 습식 흑색토너 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 습식 흑색토너 조성물은 오가노졸; 대전제어제; 캐리어 액체; 및 착색제;를 포함하고, 착색제는 그의 전기전도성을 감소시키는 무기질 충진재를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 무기질 충진제를 첨가시킴으로써, 착색제의 전기 전도성을 낮추어 화상형성단계 중에 발생하는 통전현상을 감소시켜 우수한 화상농도를 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100512740B1
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：KR1020030039822
申请日：2003-06-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67126 , B01J3/03 , H01L21/6719 , Y10T16/532 , Y10T16/5323
Abstract: 본 발명은, 상부개구부를 갖는 반응실이 형성된 본체와, 상기 본체에 덮개힌지부에 의해 결합되어 상기 상부개구부를 회동개폐하는 덮개를 포함하는 반응장치에 관한 것으로, 일단이 상기 덮개의 회동축선으로부터 이격된 위치에서 상기 덮개와 회동가능하게 결합되고, 타단이 상기 본체에 회동가능하게 결합되어, 상기 덮개의 개폐방향을 따라 신축 가능한 신축개폐부재와; 상기 신축개폐부재를 신축구동시키는 구동부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 덮개를 간단한 조작으로 개폐할 수 있으며 덮개의 폐쇄시에 실링부재에 수평하게 밀착되어 용이하게 진공이 형성되기 위한 진공반응장치가 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020050071760A
公开(公告)日：2005-07-08
申请号：KR1020040000055
申请日：2004-01-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76844 , H01L21/76876 , H01L21/76879 , H01L2221/1089
Abstract: 콘택홀 채움 정도(contact fill capability)를 개선할 수 있는 텅스텐을 이용한 반도체 소자의 콘택 플러그 형성방법에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은 반도체 기판의 절연막에 콘택홀을 형성하고 블랭킷 방식의 장벽층을 형성한 후, 절연막 상부에만 스텝 커패리지 특성이 나쁘고, 산소 함유량이 많은 증착선택비 조절막을 추가로 형성하여 절연막 상부와 콘택홀 내부의 막질 특성을 다르게 만든 후, 텅스텐막을 증착한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040110486A
公开(公告)日：2004-12-31
申请号：KR1020030039822
申请日：2003-06-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67126 , B01J3/03 , H01L21/6719 , Y10T16/532 , Y10T16/5323
Abstract: PURPOSE: A reaction apparatus is provided to facilitate a vacuum formation in the reaction apparatus by attaching a cover to a sealing member with a small amount of force. CONSTITUTION: A reaction apparatus includes a body(10), a cover(20), a expansible open/close member(40), and a driver(50). The body forms a reaction chamber having an upper aperture. The cover is coupled with the body via a hinge portion(30) to open/close the upper aperture. One terminal of the expansible open/close member is rotatably coupled with movable hinge portion(60) while the other terminal is coupled rotatably with a driving portion(50). The driving portion contracts/extracts the expansible open/close member with motion transformation device that changes rotation to translation.
Abstract translation: 目的：提供一种反应装置，通过以少量的力将盖子附接到密封构件来促进反应装置中的真空成形。 构成：反应装置包括主体（10），盖（20），可膨胀打开/关闭构件（40）和驱动器（50）。 身体形成具有上孔的反应室。 所述盖通过铰链部分（30）与所述主体联接以打开/关闭所述上部孔。 可膨胀打开/关闭构件的一个端子可旋转地联接到可动铰链部分（60），而另一个端子可旋转地与驱动部分（50）联接。 驾驶部分通过将旋转改变为平移的运动变换装置收缩/提取可膨胀的打开/关闭构件。
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公开(公告)号：KR1020040035417A
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：KR1020020064554
申请日：2002-10-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/0245 , H01L21/02063 , H01L21/76814 , Y10S438/905
Abstract: PURPOSE: A method for cleaning a chamber and a method for fabricating a semiconductor device are provided to minimize damage of a source/drain region and perform easily a preliminary cleaning process by using hydrogen in the first high frequency etch process. CONSTITUTION: An etch process for impurities of a semiconductor substrate(10) is performed within a process chamber by using plasma of the first mixing gas including hydrogen. The semiconductor substrate(10) is removed from the process chamber. The etch process for the process chamber is performed by using the plasma of the second mixing gas including a non-hydrogen element. An inner wall of the process chamber is formed with silicon oxide. The first mixing gas is formed with the same ingredient as the mixing gas including the second mixing gas and the hydrogen. The second mixing gas includes argon.
Abstract translation: 目的：提供一种用于清洁腔室的方法和用于制造半导体器件的方法，以最小化源极/漏极区域的损伤，并且通过在第一高频蚀刻工艺中使用氢来容易地执行初步清洁工艺。 构成：通过使用包括氢的第一混合气体的等离子体，在处理室内执行用于半导体衬底（10）的杂质的蚀刻工艺。 将半导体衬底（10）从处理室中取出。 通过使用包括非氢元素的第二混合气体的等离子体来进行处理室的蚀刻工艺。 处理室的内壁由氧化硅形成。 第一混合气体与包括第二混合气体和氢气的混合气体相同的成分形成。 第二混合气体包括氩气。
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公开(公告)号：KR100271771B1
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：KR1019980039506
申请日：1998-09-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/22
Abstract: 본 발명은 특정영역의 파장을 갖는 빛에 대한 특정 박막의 굴절율, 흡수율 또는 반사율을 측정하여 박막의 불순물 도핑농도를 측정할 수 있는 반도체소자 제조용 박막의 불순물 도핑농도의 분석장치 및 이를 이용한 분석방법에 관한 것이다.
본 발명은 서로 다른 불순물 도핑농도를 갖는 기준박막이 형성된 복수의 기준웨이퍼를 제조한 후, 상기 기준웨이퍼상에 소정영역의 광원을 조사하여 상기 기준박막에 대한 특정파장영역의 광학데이터를 측정하는 단계; 상기 기준박막의 불순물 도핑농도와 상기 광학데이터의 상관관계를 도출해내는 단계; 임의의 농도를 갖는 불순물이 도핑된 분석박막이 소정두께 형성된 반도체기판상에 소정영역의 광원을 조사하여 상기 기준박막의 광학데이터 측정에 사용된 것과 동일한 파장영역에 대한 상기 분석박막의 광학데이터를 측정하는 단계; 및 상기 분석박막의 광학데이터와 상기 상관관계로부터 상기 분석박막의 불순물 도핑농도를 분석하는 단계를 구비하여 이루어진다.
따라서, 생산 웨이퍼에 직접 적용함으로서 생산성 향상과 원가절감을 할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020000004558A
公开(公告)日：2000-01-25
申请号：KR1019980026002
申请日：1998-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: PURPOSE: An analysis wafer fabrication method is provided to reduce a loss time and manufacturing cost by analyzing measuring system to form multi stepped regions on a single analysis wafer. CONSTITUTION: The method comprises the steps of dipping a semiconductor substrate(10) having predetermined layers(12) from the one end portion to the other end portion for desired time in a wet etching bath(14) contained etching solutions; and repeatedly inserting the wafer(10) to the wet etching bath(14) while the inserted length are to be different every time. Thereby, the predetermined layer(12) is wet etched so that an analysis wafer formed multi stepped regions is manufactured. Also, the impurities located on the analysis wafer are removed by cleaning process.
Abstract translation: 目的：提供分析晶片制造方法，通过分析测量系统在单个分析晶片上形成多台阶区域来减少损耗时间和制造成本。 方案：该方法包括以下步骤：在含有蚀刻溶液的湿式蚀刻浴（14）中将具有预定层（12）的半导体衬底（10）从一个端部浸入所需时间到另一端部; 并将晶片（10）反复插入到湿式蚀刻槽（14）中，同时插入的长度每次都不同。 由此，湿式蚀刻预定层（12），从而制造形成多台阶区域的分析晶片。 此外，通过清洗处理除去位于分析晶片上的杂质。
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