Procédé de réalisation d'une structure comportant au moins une partie active présentant des zones d'épaisseurs differentes
    163.
    发明公开
    Procédé de réalisation d'une structure comportant au moins une partie active présentant des zones d'épaisseurs differentes 有权
    一种用于制造具有不同厚度的可移动部件的MEMS器件的方法

    公开(公告)号:EP2599745A1

    公开(公告)日:2013-06-05

    申请号:EP12194179.3

    申请日:2012-11-26

    Abstract: Procédé de réalisation d'une structure comportant une partie active comportant une première et une deuxième zone suspendue d'épaisseurs différentes à partir d'un premier substrat comportant, ledit procédé comportant les étapes :
    a) usinage de la face avant du premier substrat pour définir les contours latéraux d'au moins une première zone suspendue suivant une première épaisseur inférieure à celle du premier substrat,
    b) formation d'une couche d'arrêt de gravure de la première zone suspendue sous ladite zone suspendue, pour cela une étape préalable de retrait du matériau semi-conducteur disposé sous la première zone suspendue a lieu ;
    c) formation sur la face avant du premier substrat d'une couche sacrificielle,
    d) usinage à partir de la face arrière du premier substrat jusqu'à dégager ladite couche sacrificielle pour réaliser au moins une deuxième zone suspendue atteindre la couche d'arrêt de la première zone suspendue,
    e) libération des première et deuxième zones suspendues.

    Abstract translation: 该方法包括加工一单晶硅衬底(2)的前表面,以限定侧轮廓,即 悬浮区的部分(9),gemäß与厚度比所述基底的更小。 用于蚀刻区A阻挡层的区域和基板的背面之间形成。 选择性相对于蚀刻至衬底的材料牺牲层形成在正面。 背面进行加工,直到确定所述牺牲层的某些区域,以形成另一悬浮区和/或到达阻挡层。 悬浮区被释放。

    Procédé de realisation d'un dispositif à membrane suspendue
    166.
    发明公开
    Procédé de realisation d'un dispositif à membrane suspendue 有权
    Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung mit eineraufgehängtenMembrane

    公开(公告)号:EP2065336A1

    公开(公告)日:2009-06-03

    申请号:EP08168303.9

    申请日:2008-11-04

    CPC classification number: B81C1/00158 B81C2201/014

    Abstract: Procédé de réalisation d'un dispositif (100) à au moins une membrane suspendue, comportant au moins les étapes suivantes :
    - réalisation d'une tranchée à travers une première couche sacrificielle (104) et une seconde couche (106) disposée sur la première couche sacrificielle (104), la tranchée entourant complètement au moins une partie de la première couche sacrificielle (104) et au moins une partie (110) de la seconde couche (106),
    - remplissage de tout ou partie de la tranchée par au moins un matériau (116) apte à résister à au moins un agent de gravure,
    - gravure de ladite partie de la première couche sacrificielle (104) par ledit agent de gravure à travers au moins une ouverture réalisée dans la seconde couche (106),

    ladite partie (110) de la seconde couche (106) formant au moins une partie de la membrane suspendue.

    Abstract translation: 该方法包括通过牺牲介电层(104)和半导体材料(例如半导体材料)产生沟槽。 碳化硅,层(106),其中沟槽分别完全围绕层(104,106)的一部分(111)和部分(110)。 沟槽的一部分填充有能够抵抗蚀刻剂的电介质材料(116)。 层(104)的部分(111)用试剂通过层(106)中的开口进行蚀刻。 悬浮膜的一部分由部分(110)形成,其中膜由单晶材料构成。

    Technique for manufacturing micro-electro mechanical structures
    167.
    发明公开
    Technique for manufacturing micro-electro mechanical structures 审中-公开
    Technik zum Herstellen von mikroelektromechanischen Strukturen

    公开(公告)号:EP1712515A2

    公开(公告)日:2006-10-18

    申请号:EP06075741.6

    申请日:2006-03-30

    Inventor: Chilcott, Dan W.

    Abstract: A technique (400) for manufacturing a micro-electro mechanical structure includes a number of steps. Initially, a cavity is formed into a first side of a handling wafer (404), with a sidewall of the cavity forming a first angle greater than about 54.7 degrees with respect to a first side of the handling wafer at an opening of the cavity. Then, a bulk etch is performed on the first side of the handling wafer to modify the sidewall of the cavity to a second angle greater than about 90 degrees (406), with respect to the first side of the handling wafer at the opening of the cavity. Next, a second side of a second wafer is bonded to the first side of the handling wafer (408).

    Abstract translation: 用于制造微机电结构的技术(400)包括多个步骤。 最初,空腔形成处理晶片(404)的第一侧,空腔的侧壁在空腔的开口处相对于处理晶片的第一侧形成大于约54.7度的第一角度。 然后,在处理晶片的第一侧上执行体蚀刻,以将腔的侧壁相对于处理晶片的开口处的第一侧相对于第二角度大于约90度(406) 腔。 接下来,将第二晶片的第二面接合到处理晶片(408)的第一侧。

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