准同轴传输线
    163.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1645668A

    公开(公告)日:2005-07-27

    申请号:CN200410070456.1

    申请日:2004-08-02

    Abstract: 本发明涉及一种准同轴传输线。在电介质层上沉积多个导线,所述电介质层位于第一接地屏蔽上方。然后,在每一导线上面沉积电介质堆。此后,第二接地屏蔽被沉积在所述电介质堆上面。准同轴传输线因此形成。沉积在所述电介质堆“下面”的所述导线可以以比密封在电介质堆“内部”的导线更大的密度沉积。例如,通过所述电介质层中的导电过孔来耦合所述第一和第二接地屏蔽,可以提供所述导线的额外的屏蔽。

    通路结构
    168.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1247635A

    公开(公告)日:2000-03-15

    申请号:CN97181871.1

    申请日:1997-12-19

    Abstract: 一种通路结构,它是通过在衬底(1)中的通路位置处蚀刻一个通孔(3)并且在孔(3)的倾斜侧壁(8)上设置传输线(25)获得的。传输线(25)通过通路(29)延续至衬底(1)另一表面上的导体(17),通路(29)设置在衬底底侧的一个薄膜结构的自由部分中。此自由部分是如此的强大,以致于其中可以制备多个通路(29),从而连接至形成例如一个总线结构的多个平行传输线(25)。大的自由部分可以由一个厚的支撑层(33)辅助支撑,支撑层敷设在孔(3)中各层的顶部。通过在衬底(1)和传输线(25)之间敷设一个隔离的接地平面(19)和一个电介质层(23),通路孔结构的倾斜侧壁(8)上的传输线可以做成阻抗匹配的。对于单晶硅衬底(1),通路孔的倾斜侧壁(8)可以采用V型槽蚀刻技术容易地获得。所获得的通路结构特别适于数据传输总线,这不需要降低其通过通路结构的传输线密度。

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