公开(公告)号：KR100809397B1

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：KR1020060018507

申请日：2006-02-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  채병규 ,  강광용 ,  송윤호

IPC: H01J1/312 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J31/127 ,  H01J1/316 ,  H01J2201/316 ,  H01J2201/3165 ,  H01J2329/0486 ,  H01J2329/0489

Abstract: 전자의 방출효율이 큰 전자방출소자 및 이를 포함하는 디스플레이를 제공한다. 그 소자 및 디스플레이는 기판 상에 상호 대향하며 소정의 간격만큼 이격되어 형성된 갭에 의해 분리된 금속-절연체 전이 물질층과, 분리된 전이 물질층의 각각에 연결되어 전이 물질층의 갭으로 전자를 방출시키기 위한 전극들을 포함한다
전자방출, 금속-절연체 전이, 갭

公开(公告)号：KR100744551B1

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：KR1020060015636

申请日：2006-02-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  이용욱 ,  채병규 ,  김봉준 ,  최상국 ,  윤선진

IPC: G08B17/06 ,  G08B3/00 ,  G08B5/00

CPC classification number: G01K3/005 ,  G01K7/22

Abstract: 본 발명은 일정한 특정온도에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT) 특성을 갖는 급격한 MIT 소자를 이용한 온도센서 및 그 온도센서를 포함한 경보기를 제공한다. 그 온도센서는 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition:MIT) 박막 및 전이 박막에 컨택하는 적어도 2 개의 전극 박막을 구비한 급격한 MIT 소자를 포함하고, 급격한 MIT 소자는 일정한 전이온도에서 급격한 금속-절연체 전이를 일으키는 특성을 가진다. 또한, 경보기는 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자를 구비한 온도센서; 온도센서와 연결된 릴레이 스위치; 및 릴레이 스위치에 연결된 경보신호기;를 포함한다. 본 발명의 경보기는 급격한 MIT 소자를 이용한 온도센서를 포함함으로써, 회로적으로 간단하고 소형의 사이즈로 제작할 수 있다.
금속-절연체 전이, MIT 소자, 경보기

公开(公告)号：KR100734854B1

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：KR1020050117265

申请日：2005-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  임정욱 ,  김현탁 ,  채병규 ,  김봉준 ,  강광용

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/205

Abstract: 균일한 표면과 안정된 조성을 가진 대면적의 바나듐이산화물 박막의 제조방법을 제공한다. 그 방법은 바나듐-유기금속화합물 가스를 챔버에 주입하여, 바나듐-유기금속화합물 분자가 기판의 표면에 포화흡착된 흡착물을 형성한다. 그후, 챔버에 산소-전구체를 주입하여, 상기 흡착물과 표면포화반응(surface saturation reaction)시켜 바나듐이산화물 박막을 제조한다.
바나듐산화물, 박막, 대면적, 표면포화반응

公开(公告)号：KR100734830B1

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：KR1020050048868

申请日：2005-06-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  윤두협 ,  채병규 ,  강광용 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  윤선진 ,  임정욱 ,  김경옥 ,  맹성렬

IPC: H01M2/34

CPC classification number: H01M2/34 ,  H01M2/348 ,  H01M10/052 ,  H01M10/443 ,  H01M2200/00 ,  H01M2200/106

Abstract: 전지가 폭발하는 것을 지연시키거나 방지할 수 있는 전하방전수단을 구비하는 리튬 2차전지에 대해 개시한다. 그 리튬 2차전지는 전지 본체와 병렬적으로 배치된 전하방전수단을 구비하며, 상기 전하방전수단은 리튬 2차전지 본체의 양극에 연결된 제1 전극과, 리튬 2차전지 본체의 음극에 연결된 제2 전극 및 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되며, 특정 온도 이상에서 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층을 포함한다. 전하방전수단을 구비한 리튬 2차전지는 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층, 예컨대 급격한 MIT 물질막을 사용하여 충전된 전하량을 갑자기 방전시켜서 전지의 폭발을 방지하거나 지연시킬 수 있다.
리튬 2차전지, 전하방전수단, 급격한 MIT 물질막

公开(公告)号：KR1020070060196A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020050119217

申请日：2005-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 추혜용 ,  이정익 ,  양용석 ,  박상희 ,  황치선 ,  정승묵 ,  강광용

IPC: H05B33/20 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/3211 ,  H01L27/3218 ,  H01L51/56 ,  H05B33/10 ,  H05B33/20

Abstract: A white organic electroluminescence device and a fabricating method thereof are provided to maintain a color balance of red and blue colors by forming a thin red light emitting layer between blue light emitting layers. A first electrode(32) is formed on a substrate(31), and a first blue light emitting layer(35a) is formed on the first electrode. A red light emitting layer(35b) is formed on the first blue light emitting layer, and a second blue light emitting layer(35c) is formed on the red light emitting layer. A second electrode(38) is formed on the second blue light emitting layer, and a hole injection layer(33) is formed on the first electrode. A hole transfer layer(34) is formed on the hole injection layer. An electron transfer layer(36) is formed on the second blue light emitting layer, and an electron injection layer(37) is formed under the second electrode.

Abstract translation: 提供一种白色有机电致发光器件及其制造方法，通过在蓝色发光层之间形成一个薄的红色发光层来保持红色和蓝色的颜色平衡。 在基板（31）上形成第一电极（32），在第一电极上形成第一蓝色发光层（35a）。 在第一蓝色发光层上形成红色发光层（35b），在红色发光层上形成第二蓝色发光层（35c）。 在第二蓝色发光层上形成第二电极（38），在第一电极上形成空穴注入层（33）。 在空穴注入层上形成空穴转移层（34）。 在第二蓝色发光层上形成电子转移层（36），在第二电极下形成电子注入层（37）。

公开(公告)号：KR100659974B1

公开(公告)日：2006-12-22

申请号：KR1020060007915

申请日：2006-01-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이수재 ,  류한철 ,  문승언 ,  김영태 ,  곽민환 ,  강광용

IPC: H01L21/31 ,  H01P1/18

Abstract: A paraelectric thin film for a super high frequency turnable device and a super high frequency turnable device comprising the same are provided to obtain high tuning ratio and low dielectric loss by using an improved paraelectric thin film. A paraelectric thin film for a super high frequency turnable device includes an oxide single crystalline substrate(10) and a paraelectric film(20) formed on the oxide single crystalline substrate. The paraelectric film is one selected from a group consisting of Ba(Zrx, Ti1-x)O3 (0

Abstract translation: 提供了一种用于超高频可转动装置的顺电薄膜以及包括该装置的超高频可转动装置，以通过使用改进的顺电薄膜获得高调谐比和低介电损耗。 一种用于超高频可转动器件的顺电薄膜包括氧化物单晶衬底（10）和形成在氧化物单晶衬底上的顺电膜（20）。 顺电膜是选自由Ba（Zr x，Ti 1-x）O 3（0

公开(公告)号：KR100651724B1

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：KR1020040104918

申请日：2004-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 문승언 ,  류한철 ,  김영태 ,  곽민환 ,  이수재 ,  강광용

IPC: H01G7/06 ,  H01G7/00

CPC classification number: H01L28/82 ,  H01L27/0808

Abstract: 수평 구조의 가변 축전기 및 이를 구비한 초고주파 가변 소자에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 초고주파 가변 소자는 기판과, 상기 기판상에 형성된 신호선과, 상기 신호선의 양측에서 상기 신호선의 길이 방향을 따라 주기적으로 형성되어 있는 복수의 가변 축전기와, 상기 가변 축전기에 DC 전압을 인가하기 위하여 상기 기판상에 형성되어 있는 전극을 포함한다. 상기 가변 축전기는 상기 기판상에 형성된 유전체막과, 상기 기판상에서 상기 유전체막의 양 측에 각각 형성된 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극을 구비하고, 상기 제1 축전기 전극, 유전체막, 및 제2 축전기 전극이 차례로 상기 기판에 평행하게 배열되어 있다.
가변 축전기, 초고주파 가변 소자, 분포 정수형 아날로그 위상 변위기, 수평 구조

公开(公告)号：KR1020060093266A

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：KR1020050111882

申请日：2005-11-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  채병규 ,  김봉준 ,  윤선진 ,  이용욱 ,  김경옥 ,  윤두협 ,  임정욱

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L49/003 ,  H01L27/0248

Abstract: 정격표준전압 이상의 고주파수 잡음이 전기전자시스템의 전원 라인 혹은 신호라인을 타고 들어올 때 상기 잡음을 효과적으로 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로 및 그 보호회로를 포함한 전기전자시스템을 개시한다. 그 전기전자시스템 보호회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬 연결되는 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition:MIT) 소자를 포함한다. 전기전자시스템 보호회로는 정격표준전압 이상의 전압이 인가될 때 발생하는 잡음전류의 대부분을 급격한 MIT 소자 쪽으로 바이패스(bypass) 시킴으로써, 전기전자시스템을 보호한다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로

公开(公告)号：KR100609699B1

公开(公告)日：2006-08-08

申请号：KR1020040055096

申请日：2004-07-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  윤두협 ,  채병규 ,  강광용 ,  임용식 ,  김경옥 ,  맹성렬 ,  김성현

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625

Abstract: 본 발명의 급격한 금속-절연체 전이 반도체물질을 이용한 2단자 반도체 소자는, 제1 전극막과, 제1 전극막 위에 배치되는 2eV 이하의 에너지 갭과 정공 준위내의 정공을 갖는 급격한 금속-절연체 전이 반도체 물질막과, 그리고 급격한 금속-절연체 전이 반도체 물질막 위에 배치되는 제2 전극막을 구비한다. 이에 따르면 제1 전극막 및 제2 전극막 사이에 인가되는 전계에 의해 상기 급격한 금속-절연체 전이 반도체 물질막에서는 구조적 상전이가 아닌 정공 도핑에 의한 급격한 금속-절연체 전이가 발생한다.
금속-절연체 전이, 반도체 소자, 온도센서, 광전센서, 메모리 소자

公开(公告)号：KR1020060062299A

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020040101087

申请日：2004-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이수재 ,  문승언 ,  류한철 ,  곽민환 ,  강광용

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01G7/06 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/0226 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56 ,  H01P1/181

Abstract: A ferroelectric/paraelectric multilayer thin film having a high tuning rate of a dielectric constant and small dielectric loss to overcome limitations of a tuning rate of a dielectric constant and dielectric loss of a ferroelectric thin film, a method of forming the same, and a high frequency variable device having the ferroelectric/paraelectric multilayer thin film are provided. The ferroelectric/paraelectric multilayer thin film includes a perovskite ABO 3 structure paraelectric seed layer formed on a substrate, and an epitaxial ferroelectric (Ba x Sr 1-x )TiO 3 thin film formed on the paraelectric seed layer. The high frequency variable device can realize a RF frequency/phase variable device having a high speed, low power consumption, and low prices and excellent microwaves characteristics.