公开(公告)号：EP1396470A2

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：EP03101402.0

申请日：2003-05-19

Applicant: Dalsa Semiconductor Inc.

Inventor： Ouellet, Luc ,  Antaki, Robert ,  Tremblay, Yves

IPC: B81B7/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00325 ,  B22F1/0051 ,  B81C2201/0167 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/228 ,  C23C14/325 ,  G01C19/5719 ,  G01P15/0802

Abstract: A cavity forming formed in an encapsulation structure under a vacuum in a vacuum chamber is sealed with a capping layer. A stiff protective layer under tensile stress is deposited on the capping layer prior to venting the vacuum chamber to atmospheric pressure. The capping layer is preferably aluminum or an aluminum alloy, and the protective layer is preferably δ-TiN having a suitable high Young's modulus.

Abstract translation: 在真空室中在真空下形成的封装结构中的空腔形成用封盖层密封。 在将真空室排气到大气压力之前，在覆盖层上沉积拉伸应力下的刚性保护层。 覆盖层优选为铝或铝合金，并且保护层优选为具有合适的高杨氏模量的δ-TiN。

公开(公告)号：EP1012890A4

公开(公告)日：2000-06-28

申请号：EP98915245

申请日：1998-04-01

Applicant: XROS INC

Inventor： NEUKERMANS ARMAND P ,  SLATER TIMOTHY G ,  DOWNING PHILIP

IPC: B81B3/00 ,  G01C19/56 ,  G01P9/04 ,  G02B26/08 ,  G02B26/10 ,  H01L41/09 ,  H02K33/18 ,  H01L41/08

CPC classification number: B81B3/0078 ,  B81B2203/0109 ,  B81C2201/0167 ,  G02B26/0841 ,  G02B26/085 ,  G02B26/0858 ,  G02B26/0866 ,  G02B26/101 ,  H02K33/18

Abstract: An improved micromachined structure used for beam scanners, gyroscopes, etc. includes a reference member (154, 54) from which project a first pair of axially aligned torsion bars (156, 56). A first dynamic member (54 or 52), coupled to and supported from the reference member (154, 54) by the torsion bars (156, 56), oscillates in one-dimension about the torsion bar's axis. A second dynamic member (52) may be supported from the first dynamic member (54) by a second pair of axially aligned torsion bars (56) for two-dimensional oscillation. The dynamic members (54, 52) respectively exhibit a plurality of vibrational modes each having a frequency and a Q. The improvement includes means for altering a characteristic of the dynamic member's frequency and Q. Coupling between dynamic members (54, 52) permits altering the second dynamic member's frequency and Q by techniques applied to the first dynamic member (54). Some techniques disclosed also increase oscillation amplitude or reduce driving voltage, and also increase mechanical ruggedness of the structure.

公开(公告)号：EP0574697B1

公开(公告)日：1997-08-13

申请号：EP93107595.6

申请日：1993-05-10

Applicant: MOTOROLA, INC.

Inventor： Addie, David L. ,  Gutteridge, Ronald J. ,  Ristic, Ljubisa

IPC: G01L1/14 ,  G01L9/00 ,  G01P15/08

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81C2201/0167 ,  G01L1/148 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125

公开(公告)号：JP2018515926A

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：JP2017558375

申请日：2016-05-09

Applicant: 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ,  テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド

Inventor： ニコラス ステファン デラス

IPC: B81B3/00 ,  H01L21/283 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L29/408 ,  B81B3/0072 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3245 ,  H01L21/823864 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787

Abstract: 記載される例において、マイクロ電子デバイス(102)が、高性能シリコン窒化物層を含み、これは、2原子百分率内の化学量論的であり、600MPa〜1000MPaの低応力を有し、5原子百分率未満の低水素含有量を有し、LPCVDプロセスによって形成される。LPCVDプロセスは、4:6の比のアンモニアNH 3 及びジクロロシランDCSガスを、150ミリトル〜250ミリトルの圧力で、及び800℃〜820℃の温度で用いる。

公开(公告)号：JP2017537302A

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：JP2017511858

申请日：2015-08-27

Applicant: カイオニクス・インコーポレーテッド

Inventor： アダムス，スコット・ジー ,  ブラックマー，チャールズ・ダブリュー ,  リンチ，クリスティン・ジェイ

IPC: G01L9/00 ,  G01L7/04

CPC classification number: G01L9/003 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0167 ,  G01L9/0027 ,  G01L9/0055 ,  G01L9/0073 ,  G01L9/008 ,  G01L13/00 ,  G01P15/006 ,  G01P15/08 ,  H01L21/00

Abstract: 変形可能な圧力道管を含む圧力センサを使用して圧力の感知を実行する技術が、本明細書において説明される。圧力道管は、空隙を画定する断面を有する物体である。変形可能な圧力道管は、圧力道管の少なくとも一部分がその中に懸架される空洞内の空洞圧力と圧力道管内の道管圧力との間の圧力差に基づいて、構造変形(例えば曲げ変形、せん断変形、伸び変形など)するように構成された少なくとも1つの曲線部分を有する圧力道管である。【選択図】図5

公开(公告)号：JP2017215224A

公开(公告)日：2017-12-07

申请号：JP2016109795

申请日：2016-06-01

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 佐藤 公敏

IPC: H01L29/84 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81C1/00666 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0176

Abstract: 【課題】応力制御のための熱処理を必要とせず、かつ信頼性が高い半導体圧力センサを提供する。 【解決手段】半導体圧力センサ100Aは、半導体基板11の主面に位置する固定電極18と、半導体基板11の厚み方向で空隙51を介して、少なくとも固定電極18に対向した位置で厚み方向に可動であるダイアフラム61とを備える。ダイアフラム61は、可動電極39と、可動電極39の空隙51側に位置する第1絶縁膜39dと、可動電極39の空隙51とは反対側に位置して第1絶縁膜39dと同じ膜種の第2絶縁膜58と、可動電極39とともに第2絶縁膜58を挟むシールド膜59とを有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6175134B2

公开(公告)日：2017-08-02

申请号：JP2015518815

申请日：2013-06-29

Applicant: シーエスエムシー テクノロジーズ エフエイビー1 カンパニー リミテッド

Inventor： ダイ ダン ,  チャン シンウェイ ,  チョウ グオピン ,  シア チャンフェン

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00825 ,  B81B7/0029 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/053

公开(公告)号：JP5877242B2

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：JP2014510842

申请日：2012-05-11

Applicant: テクノロギアン トゥトキムスケスクス ヴェーテーテー オイ

Inventor： ミーカ プルニーラ ,  アンティ ヤーコラ ,  トゥオマス ペンサラ

IPC: H03H3/007 ,  B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  H03H9/24

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0177 ,  G06F17/5045

公开(公告)号：JP2015064614A

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：JP2015002426

申请日：2015-01-08

Applicant: クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド

Inventor： コグ, リオール ,  ゾン, ファン

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G02B26/02

CPC classification number: G02B26/0841 ,  B81B3/0072 ,  B81C1/00142 ,  B81C1/00666 ,  G02B26/001 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/0163 ,  B81B2203/019 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/053 ,  B81C2201/0167 ,  Y10S359/90

Abstract: 【課題】応力関連の変形を最小限に抑えるように構成された支持構造を有するMEMSデバイス、およびその製造方法。 【解決手段】MEMSデバイスの実施形態は、上位の支持構造によって支持される移動可能層を含み、更に、下位の支持構造を含むことができる。1つの実施形態では、上位の支持構造内の残留応力と、移動可能層内の残留応力とが、実質的に等しい。別の実施形態では、上位の支持構造内の残留応力と、下位の支持構造内の残留応力とが、実質的に等しい。特定の実施形態では、実質的に等しい残留応力は、同じ厚さを有する同じ材料で形成される層の使用を通じて得られる。更なる実施形態では、実質的に等しい残留応力は、互いの鏡像である支持構造および/または移動可能層の使用を通じて得られる。 【選択図】図11

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有支撑结构的MEMS器件，以将由于应力引起的变形减小到最小，并且其制造方法。MENS器件的实施例包括由上支撑结构支撑的可移动层， 还包括较低的支撑结构。 在一个实施例中，上支撑结构中的残余应力和可移动层中的残余应力基本相等。 在另一个实施例中，上支撑结构中的残余应力和下支撑结构中的残余应力基本相等。 在具体实施例中，通过使用由具有相同厚度的相同材料形成的层获得基本上相等的残余应力。 在另一实施例中，通过使用具有彼此具有镜像的支撑结构和/或可移动层来获得基本相等的残余应力。

公开(公告)号：JP2009513372A

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：JP2008537782

申请日：2006-10-19

Applicant: アイディーシー、エルエルシー

Inventor： ジー、スティーブン ,  トゥン、ミン−ハウ ,  ワン、シン−フ

IPC: B81B3/00 ,  G02B26/02

CPC classification number: G02B26/001 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/047 ,  B81C1/00793 ,  B81C2201/0167

Abstract: 【課題】
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスにおける金属層間の拡散バリア層の使用がここに説明されている。 拡散バリア層は、二つの金属の混合を防止する。 それは、所望の物理的特性を変え、処理を複雑にしうる。 一例では、拡散バリア層は、光干渉変調器の可動反射構造の一部として使用されてよい。
【選択図】