一种基于异质结的增强型光辅助场发射电子源及其制备方法

    公开(公告)号:CN107564784A

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201710550808.0

    申请日:2017-07-07

    Abstract: 本发明提供了一种基于异质结构的增强型光辅助场发射电子源的器件,包括:阴极电极,在阴极电极上制备的场发射材料层,和覆盖在场发射材料层表面的超薄介质薄膜;所述光辅助场发射电子源将光致电子发射和场致电子发射相结合,发射材料内部电子吸收入射光能量,提升了电子能级,降低了场发射的驱动电场,提高了驱动电场的工作频率和调制灵敏度;所述光辅助场发射电子源的制备方法是在场发射材料层表面覆盖一层超薄超薄介质薄膜,在入射光的激发下,发射材料内部电子获得能量形成热电子,越过肖特基势垒注入到超薄介质薄膜的导带,降低表面真空势垒,进而提高场发射电流,电子的场发射性能得到提升。

    低能量电子枪
    172.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104319217B

    公开(公告)日:2017-11-17

    申请号:CN201410558790.5

    申请日:2014-10-20

    Abstract: 本发明公开了一种低能量电子枪,其包括:发射电子的电子发射装置;加速引导上述电子,用于控制电子的数量和速度的栅极装置;对上述电子形成的电子束进行形状约束的聚焦装置;将上述装置容纳于其腔体内的电子枪壳;以及将上述电子发射装置、栅极装置以及聚焦装置固定于上述电子枪壳腔体内,起固定支撑作用的支撑装置;所述聚焦装置由三个相互配合的环形电极构成;其中一个环形电极为正电位电极,其前端通过绝缘球与其余两个环形电极绝缘隔开,其后端同样通过绝缘球与栅极装置绝缘隔开;其余两个环形电极相互配合构成一电极结构,且该电极结构处于零电位。本发明提供的电子枪具有低能量、电子数量和能量等级可调、结构紧凑和使用方便等优点。

    一种电子枪引线支架结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN107146750A

    公开(公告)日:2017-09-08

    申请号:CN201710447769.1

    申请日:2017-06-14

    Inventor: 王鹏康 余亮亮

    CPC classification number: H01J3/027 H01J9/18

    Abstract: 本发明公开一种电子枪引线支架结构及其制造方法,电子枪引线支架结构包括绝缘子陶瓷(1)和角铁(3),所述的绝缘子陶瓷(1)上设有若干个用于安装Mo‑Re合金丝(2)的孔,Mo‑Re合金丝(2)釉封在绝缘子陶瓷(1)上,且绝缘子陶瓷(1)的两端设有经金属化处理后的金属化层,金属化层上设有电镀镍层;角铁(3)通过钎焊的方式焊接到绝缘子陶瓷(1)的两端。具有上述结构的该种电子枪引线支架结构及其制造方法通过结构及工艺改进,保证引线支架结构具有焊接牢固度高、抗震动、电子枪装配尺寸更容易控制的优点,避免因整个阴极组件和/或角铁从阳极板上脱落而导致管子报废。

    场发射电子源装置
    175.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106960773A

    公开(公告)日:2017-07-18

    申请号:CN201710271213.1

    申请日:2017-04-24

    CPC classification number: H01J3/021 H01J9/44 H01J9/445

    Abstract: 本发明涉及场致电子发射领域。为了解决场发射阴极测试与老化过程中电流发射稳定性等问题,本发明提供了一种场发射电子源装置,其包括二极式场发射电子源、真空腔、真空泵机组、高压电源、高压脉冲驱动单元、真空环境监测单元和控制平台。二极式场发射电子源设置于真空腔内,并且,高压电源和高压脉冲单元经真空腔法兰分别连接至二极式场发射电子源的阳极与阴极。控制平台经通讯线缆分别连接至高压电源、真空环境监测单元以及高压脉冲驱动单元。本发明通过对场发射电压进行反馈补偿,从而实现发射电流的稳定控制,具有较强的实用性。本发明还提供了一种利用该装置控制场发射阴极测试与老化过程中电流稳定性的方法。

    一种直流光阴极超快电子枪

    公开(公告)号:CN106816349A

    公开(公告)日:2017-06-09

    申请号:CN201710012788.1

    申请日:2017-01-09

    CPC classification number: H01J3/026 H01J3/021 H01J3/027

    Abstract: 本发明提供一种光阴极超快电子枪,其中,所述阴极为轴对称结构,包括第一圆柱形侧面、圆形底面以及连接所述第一圆柱形侧面和所述圆形底面的第一连接面,所述圆形底面的中心具有通光孔,以及所述圆形底面的外侧具有用于容纳金属膜的圆形凹槽,所述阳极为轴对称结构,包括圆形顶面、第二圆柱形侧面、圆环形底面、以及连接所述圆形顶面和所述第二圆柱形侧面的第二连接面,所述圆环形底面从所述第二圆柱形侧面的下边缘径向向外延伸,所述圆形顶面中心具有通孔,所述第一连接面具有圆形倒角,以及所述第二连接面具有椭圆形倒角。

    一种电磁辐射源
    177.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106601573A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201710060856.1

    申请日:2017-01-25

    CPC classification number: H01J3/14 H01J3/02

    Abstract: 本发明提供一种电磁辐射源,利用电子枪产生环形电子注,利用靠近电子枪一侧的第一光栅使所述电子枪产生的环形电子注产生预群聚,利用靠近与电子枪对应的收集极一侧的第二光栅使群聚的电子团产生相干的特异史密斯‑帕赛尔(Smith‑Purcell)辐射,辐射频率为电子团群聚频率的5到6倍,该辐射频率在太赫兹频段,特异史密斯‑帕赛尔辐射的电磁辐射强度比普通史密斯‑帕赛尔辐射强度高一到两个数量级,因而利用该方法能够产生具有高辐射频率和高辐射强度的太赫兹频段的电磁波。

    一种碳纳米管阵列与吸光材料复合的场发射电子源

    公开(公告)号:CN106158552A

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201610670248.8

    申请日:2016-08-15

    Inventor: 刘开辉 戴庆

    CPC classification number: H01J1/304 H01J3/021

    Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管阵列与吸光材料复合的场发射电子源,所述电子源包括激发光源和电极,所述电极包括导电基体以及由碳纳米管组成的阵列,碳纳米管阵列生长在所述导电基体上;在所述碳纳米管上生长用于吸收光子产生的能量活电子的吸光材料,所述吸光材料将所述碳纳米管固定于所述导电基体上。本发明场发射电子源利用连续激光或者超快激光照射碳纳米管诱导发射电流,降低了电流发射开启电压,提高了工作效率。

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