전계 효과 트랜지스터 센서 어레이 및 그 제조 방법
    181.
    发明公开
    전계 효과 트랜지스터 센서 어레이 및 그 제조 방법 有权
    场效应晶体管传感器阵列及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020110060704A

    公开(公告)日:2011-06-08

    申请号:KR1020090117374

    申请日:2009-11-30

    Abstract: PURPOSE: A field effect transistor sensor array and a manufacturing method thereof are provided to simultaneously measure a plurality of materials by increasing the number of gate electrodes of a field effect transistor according to the kind of materials. CONSTITUTION: An n x n sensor array is arranged on a substrate. A plurality of gate electrodes corresponds to materials. A common source electrode commonly connects n sources comprising each row of the n x n sensor array. A common drain electrode commonly connects n drains comprising each row of the n x n sensor array. A nano wire channel is formed between the common source electrode and the common drain electrode.

    Abstract translation: 目的:提供场效应晶体管传感器阵列及其制造方法,以通过根据材料的种类增加场效应晶体管的栅电极的数量来同时测量多种材料。 构成:一个n x n传感器阵列布置在基片上。 多个栅电极对应于材料。 公共源电极通常连接包括n×n个传感器阵列的每一行的n个源。 公共漏电极通常连接包括n×n个传感器阵列的每行的n个漏极。 在公共源电极和公共漏电极之间形成纳米线通道。

    테라헤르츠파 생성기 및 이를 이용한 고출력 테라헤르츠파 생성방법
    182.
    发明授权
    테라헤르츠파 생성기 및 이를 이용한 고출력 테라헤르츠파 생성방법 有权
    太赫兹波发生器和太赫兹波发生方法使用相同

    公开(公告)号:KR101017938B1

    公开(公告)日:2011-03-04

    申请号:KR1020090072426

    申请日:2009-08-06

    CPC classification number: H01S1/06

    Abstract: 본 발명은 테라헤르츠파 생성기 및 이를 이용한 고출력 테라헤르츠파 생성 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 내부가 비어있는 구체와, 상기 구체의 소정 부위가 절개되어 설치되는 포커싱렌즈 또는 상기 구체의 소정 부위가 절개된 개구를 포함하고, 상기 구체의 내면이 금속으로 코팅된 테라헤르츠파 생성기와, 상기 포커싱렌즈 또는 상기 개구로 준위가 다른 2개의 주파수를 입사시켜 다수의 에어플라즈마(air plasma)를 생성하고, 상기 다수의 에어플라즈마가 상기 구체의 금속으로 코팅된 내면과 빈공간을 이용해 계속적인 포커싱(focusing)을 해줌으로써 고출력의 테라헤르츠파를 생성하는 방법이 제시된다. 본 발명에 의하면 계속적인 에어플라즈마를 생성함으로써 하나의 에어플라즈마를 이용하여 생성되는 테라헤르츠파의 광세기가 낮게 되는 것을 극복할 수 있다.
    테라헤르츠파, 펨토초, 광신호

    반도체 광증폭기를 이용한 전광 OR 논리소자의 구현장치
    183.
    发明授权
    반도체 광증폭기를 이용한 전광 OR 논리소자의 구현장치 失效
    반도체광증폭기를이용한전광或논리소자의구현장치

    公开(公告)号:KR100452617B1

    公开(公告)日:2004-10-12

    申请号:KR1020010059367

    申请日:2001-09-25

    Abstract: The present invention is related to an all-optical OR device embodied by using the gain saturation and wavelength conversion characteristics of semiconductor optical amplifier (SOA), and more particularly, to a technique to embody an all-optical OR gate that performs all-optical logic operation by utilizing optical signals transmitted at arbitrary points of optical circuits such as optical computing circuits as the pump signal and the probe signal.

    Abstract translation: 本发明涉及通过使用半导体光放大器(SOA)的增益饱和和波长转换特性来体现的全光OR器件,并且更具体地涉及一种体现执行全光学 通过利用在诸如光计算电路的光电路的任意点传输的光信号作为泵信号和探测信号进行逻辑操作。

    반도체 광증폭기를 이용한 전광 XOR 논리소자의 구현방법
    184.
    发明授权
    반도체 광증폭기를 이용한 전광 XOR 논리소자의 구현방법 失效
    반도체광증폭기를이용한전광XOR논리소자의구현방반

    公开(公告)号:KR100418654B1

    公开(公告)日:2004-02-11

    申请号:KR1020010058131

    申请日:2001-09-20

    CPC classification number: G02F3/00

    Abstract: A method for forming an electrooptic XOR logic device using an semiconductor optical amplifier is provided to form an electrooptic XOR logic device by using a characteristic of an inverter of an semiconductor optical amplifier. Characteristics of inverters of semiconductor optical amplifiers(SOA1,SOA2) are controlled by current, incident irradiation signals, and pump signals applied to the semiconductor optical amplifiers(SOA1,SOA2). The characteristics of inverters of semiconductor optical amplifiers(SOA1,SOA2) are obtained by increasing the amount of current, inputting the irradiation signals, and changing intensity of the pump signals. In the first semiconductor optical amplifiers(SOA1), B signal becomes the pump signal and A signal becomes the irradiation signal. In the second semiconductor optical amplifiers(SOA2), A signal becomes the pump signal and B signal becomes the irradiation signal. An XOR logic device is formed by adding two output signals of the semiconductor optical amplifiers(SOA1,SOA2). In the XOR logic device, the output signal has logic 1 if any one of A signal and B signal is logic 1 and the output signal has logic 0 if A signal and B signal have the same logic level.

    Abstract translation: 提供一种使用半导体光学放大器形成电光XOR逻辑器件的方法,以通过使用半导体光学放大器的反相器的特性来形成电光XOR逻辑器件。 半导体光放大器(SOA1,SOA2)的反相器的特性由施加到半导体光放大器(SOA1,SOA2)的电流,入射照射信号和泵浦信号控制。 通过增加电流量,输入照射信号和改变泵浦信号的强度来获得半导体光放大器(SOA1,SOA2)的反相器的特性。 在第一半导体光放大器(SOA1)中,B信号成为泵浦信号,A信号成为照射信号。 在第二半导体光放大器(SOA2)中,A信号成为泵浦信号,B信号成为照射信号。 XOR逻辑器件通过增加两个半导体光放大器(SOA1,SOA2)的输出信号而形成。 在XOR逻辑器件中,如果A信号和B信号中的任何一个是逻辑1,则输出信号具有逻辑1,如果A信号和B信号具有相同的逻辑电平,则输出信号具有逻辑0。

    SOA 기반의 소자를 이용한 전광 반가산기의 구현방법및 장치
    185.
    发明公开
    SOA 기반의 소자를 이용한 전광 반가산기의 구현방법및 장치 失效
    使用基于SOA的元素实现电子半导体加法器的方法和装置

    公开(公告)号:KR1020030039650A

    公开(公告)日:2003-05-22

    申请号:KR1020010070655

    申请日:2001-11-14

    CPC classification number: H01S5/50 G02F3/00 H01S3/06754 H01S5/509

    Abstract: PURPOSE: A method and device for implementing an electrooptic half adder using an element based on an SOA(Semiconductor Optical Amplifier) is provided to combine optical devices easily and to realize an independence of a polarized light and a wavelength by implementing an electrooptic XOR logic element using an inverter characteristic of the SOA and by implementing an electrooptic AND logic element using an XPM wavelength conversion. CONSTITUTION: A pulse signal having 400ps interval is created using a fiber ring laser(10) and a pulse generator(14). A coupler inputs and divides the pulse signal. An optical delay(20a) delays one portion of the divided pulse signal. A coupler combines the delayed signal with other divided portion and makes 'A' signal having 1100 pattern. An optical delay(20b) delays the 'A' signal and makes 'B' signal having 0110 pattern. The first semiconductor optical amplifier(SOA1) inputs the 'A' signal as a probe signal, inputs the 'B' signal as a pump signal, and outputs a logic signal. The second semiconductor optical amplifier(SOA2) inputs the 'A' signal as a pump signal, inputs the 'B' signal as a probe signal, and outputs a logic signal. An XPM wavelength converter(28) inputs the 'A' signal and the 'B' signal simultaneously and outputs a logic signal having 0100 pattern.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用基于SOA(半导体光放大器)的元件实现电光半加法器的方法和装置,以便容易地组合光学器件,并通过实施电光XOR逻辑元件实现偏振光和波长的独立性 使用SOA的逆变器特性,并通过使用XPM波长转换实现电光AND逻辑元件。 构成:使用光纤环形激光器(10)和脉冲发生器(14)产生具有400ps间隔的脉冲信号。 耦合器输入并分频脉冲信号。 光延迟(20a)延迟分割脉冲信号的一部分。 耦合器将延迟信号与其他分割部分相结合,使“A”信号具有1100模式。 光延迟(20b)延迟“A”信号并使具有0110模式的“B”信号。 第一个半导体光放大器(SOA1)输入“A”信号作为探测信号,输入“B”信号作为泵浦信号,并输出逻辑信号。 第二个半导体光放大器(SOA2)输入“A”信号作为泵浦信号,输入“B”信号作为探测信号,并输出逻辑信号。 XPM波长转换器(28)同时输入“A”信号和“B”信号,并输出具有0100模式的逻辑信号。

    반도체 광증폭기를 이용한 전광 OR 논리소자의 구현장치
    186.
    发明公开
    반도체 광증폭기를 이용한 전광 OR 논리소자의 구현장치 失效
    使用半导体光电放大器实现电灯或逻辑元件的设备

    公开(公告)号:KR1020030028674A

    公开(公告)日:2003-04-10

    申请号:KR1020010059367

    申请日:2001-09-25

    Abstract: PURPOSE: An apparatus for realizing an electric light OR logic element using a semiconductor optical amplifier is provided to realize the electric light OR logic element by using gain saturation and wavelength conversions characteristics. CONSTITUTION: A pulse generator(100) generates light pulses. An MLFL(Mode Locked Fiber Laser)(102) generates input signal patterns A and B of an electric light OR logic element from the pulse generator. A first FC(Fiber Combiner)(106) divides output light of the MLFL at a ratio of 50 to 50 through an optical isolator(104). A first optical delay obtains time delay of the output light from the first FC through a variable delay(108) and an SMF(Single-Mode Fiber)(110). A first optical controller controls the strength and polarization of the output light of the first FC through an attenuator(112) and a polarization controller(114). A second FC(116) combines the output light of the first optical delay and the first optical controller for generating the input signal pattern A. A third FC(118) divides the output light of the second FC at a ratio of 10 to 90. A second optical delay obtains time delay of the output light from the second FC through a variable delay(120) and an SMF(122). A fourth FC(124) detects the input signal pattern B generated from the second optical delay. A second optical controller controls the strength and polarization of the output light of the third FC through an attenuator(126) and a polarization controller(128). A fifth FC(130) combines the input signal patterns A and B for generating an input signal pattern A+B. An optical detecting and measuring element detects and measures the input signal pattern A+B.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用半导体光放大器实现电光或逻辑元件的装置,通过使用增益饱和度和波长转换特性来实现电光OR逻辑元件。 构成:脉冲发生器(100)产生光脉冲。 MLFL(模式锁定光纤激光器)(102)从脉冲发生器产生电光OR逻辑元件的输入信号模式A和B. 第一FC(光纤组合器)(106)通过光隔离器(104)将MLFL的输出光以50至50的比例分压。 第一光延迟获得来自第一FC的输出光通过可变延迟(108)和SMF(单模光纤)(110)的时间延迟。 第一光学控制器通过衰减器(112)和偏振控制器(114)来控制第一FC的输出光的强度和极化。 第二FC(116)将第一光学延迟的输出光和第一光学控制器组合以产生输入信号模式A.第三FC(118)以10至90的比例对第二FC的输出光进行分频。 第二光延迟通过可变延迟(120)和SMF(122)获得来自第二FC的输出光的时间延迟。 第四FC(124)检测从第二光延迟产生的输入信号模式B. 第二光学控制器通过衰减器(126)和偏振控制器(128)来控制第三FC的输出光的强度和极化。 第五FC(130)组合用于产生输入信号模式A + B的输入信号模式A和B. 光学检测和测量元件检测并测量输入信号模式A + B。

    반도체 레이저와 반도체-광증폭기의 수평 결합을 이용한전광 파장변환기의 구현 방법
    187.
    发明授权
    반도체 레이저와 반도체-광증폭기의 수평 결합을 이용한전광 파장변환기의 구현 방법 失效
    반체저 - 광광광광광광광광광광광광광광광광

    公开(公告)号:KR100368790B1

    公开(公告)日:2003-01-24

    申请号:KR1020010001650

    申请日:2001-01-11

    Abstract: PURPOSE: A method for implementing an electro-optic wavelength convertor by using a horizontal coupling of semiconductor laser and a semiconductor optical amplifier is provided to secure a wide range of input power since the method does not need a conventional Mach-Zender interferometer structure, thereby utilizing a characteristics of a conventional semiconductor laser such as a variable wavelength laser diode. CONSTITUTION: A method for implementing an electro-optic wavelength convertor by using a horizontal coupling of semiconductor laser and a semiconductor optical amplifier includes steps of etching end portions(100a,100b) of at least one of a first and a second waveguides(100,200), anti-reflection coating the end portions(100a,100b) and dividing the first and the second waveguides(100,200) by cleaving to thereby obtain a divided reflection surface and a divided anti-reflection surface, respectively. An active laser provided thereon with the first and the second waveguides(100,200) utilized in the method is made of InGaAsP and constructed into a multi-quantum well structure.

    Abstract translation: 目的:提供一种通过使用半导体激光器和半导体光学放大器的水平耦合来实现电光波长转换器的方法,以确保宽范围的输入功率,因为​​该方法不需要传统的Mach-Zender干涉仪结构, 利用诸如可变波长激光二极管的常规半导体激光器的特性。 本发明涉及一种通过使用半导体激光器和半导体光学放大器的水平耦合来实现电光波长转换器的方法,包括以下步骤:蚀刻第一和第二波导(100,200)中的至少一个的端部(100a,100b) ,防反射涂覆端部(100a,100b)并且通过劈开分割第一和第二波导(100,200),从而分别获得分开的反射表面和分开的防反射表面。 其上提供有用于该方法中的第一和第二波导(100,200)的有源激光器由InGaAsP制成并构建成多量子阱结构。

    양자점을 이용한 반도체 광 증폭기의 이득 대역폭 확장 방법
    188.
    发明授权
    양자점을 이용한 반도체 광 증폭기의 이득 대역폭 확장 방법 失效
    使用量子点的半导体光放大器的增益带宽扩展方法

    公开(公告)号:KR100361035B1

    公开(公告)日:2002-11-18

    申请号:KR1020000005631

    申请日:2000-02-07

    Abstract: 본 발명은 스스로 뭉쳐서 형성된 양자점에서 나오는 광의 스펙트럼이 매우 넓은 것을 이용하여 반도체 광 증폭기의 이득 대역폭을 확장하는 방법에 관한 것이다.
    더 상세하게는 InGaAs/InGaAsP/InP 양자우물 반도체 광증폭기의 이득 대역폭 확장방법에 있어서, 소정 두께의 InP 버퍼층을 성장시키는 과정과, 상기 InP 버퍼층 성장후 소정 가스를 공급하는 제1 가스 공급 과정과, 상기 InP 버퍼층 위로 InAs 단일 우물 구조층을 성장시키는 과정과, 상기 InAs 층 성장 후 소정 가스를 공급하여 격자 상수가 맞지 않는 상기 InAs 층이 서로 뭉쳐서 양자점을 형성하도록 하는 제2 가스 공급 과정과, 상기 InAs 층 위로 소정 두께의 InP 캡층을 성장시키는 과정으로 양자점을 생성하여 반도체 광 증폭기의 이득영역으로 양자점을 도입하고, 상기 InAs가 서로 뭉치면서 각 점들의 크기와 높이가 불균일하게 서로 독립적인 점을 형성하게 함을 특징으로 한다.

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