公开(公告)号：EP1637498B1

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：EP05108509.0

申请日：2005-09-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A. ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： ANCEY, Pascal ,  ABELE, Nicolas ,  CASSET, Fabrice

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01P15/124 ,  B81B3/0035 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  G01L1/005 ,  G01L9/0098 ,  H03B5/12 ,  H03B5/1237 ,  H03B5/30

公开(公告)号：EP1783095A1

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：EP05256843.3

申请日：2005-11-04

Applicant: Infineon Technologies SensoNor AS

Inventor： Westby, Eskild R

IPC: B81B3/00 ,  G01P15/14 ,  G01C19/56

CPC classification number: B81B3/0067 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  G01C19/5712

Abstract: A resonant structure for a micromechanical device. The resonant structure comprises a beam and at least one mass attached to the beam. The resonant structure is arranged to have a predominantly rotational excitation mode and an excitation plane in which motion of the excited resonant structure predominantly takes place in use, the at least one mass having a geometry such that none of the principal axes of the rotational inertia tensor of the resonant structure are normal to the excitation plane.

Abstract translation: 微机械装置的谐振结构。 谐振结构包括梁和附接到梁的至少一个质量。 谐振结构被布置为具有主要旋转激励模式和激励平面，其中激发谐振结构的运动主要在使用中发生，所述至少一个质量具有几何形状，使得旋转惯性张量的主轴 的谐振结构垂直于激励平面。

公开(公告)号：EP1774651A1

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：EP05782181.1

申请日：2005-06-29

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： TRIPARD, Amyot ,  BRECHET, Yves

IPC: H03H9/46

CPC classification number: H03H3/0072 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  H03H9/2436 ,  H03H2009/02503 ,  Y10T29/42

Abstract: The invention concerns an electromechanical resonator comprising a vibrating body (4), at least one excitation electrode (14, 16) and at least one detection electrode (10, 12), characterized in that the vibrating body comprises a first portion (20) made of a first material, with a first Young modulus, and a second portion (22), made of a second material, with a second Young modulus, lower than the first Young modulus, said second portion being located at least partly opposite the detection electrode (10,12).

Abstract translation: 本发明涉及包括振动体（4），至少一个激励电极（14,16）和至少一个检测电极（10,12）的机电谐振器，其特征在于振动体包括制成的第一部分 具有第一杨氏模量的第一材料和由第二材料制成的具有第二杨氏模量的第二部分（22），所述第二杨氏模量低于所述第一杨氏模量，所述第二部分位于至少部分地与所述检测电极相对的位置 （10,12）。

公开(公告)号：EP1468960A2

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：EP04300177.5

申请日：2004-04-01

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Bouche, Guillaume ,  Ancey, Pascal ,  Caruyer, Grégory

IPC: B81B3/00 ,  H03H3/00 ,  H03H9/17 ,  H03H9/46 ,  H03H9/54 ,  H01H61/06 ,  H03H9/02 ,  H03H9/00 ,  H03H3/02 ,  H03H3/10

CPC classification number: B81B3/0078 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0109 ,  H01G5/16 ,  H03H9/172 ,  H03H2009/02181

Abstract: L'invention concerne un dispositif comprenant un résonateur (1) formé d'une couche piézoélectrique (3) en sandwich entre deux électrodes métalliques (4, 5), le résonateur étant posé sur une poutre en suspension, le dispositif comprenant des moyens (20, 21, 22, 23) pour déformer ladite poutre (2) par effet bilame.

Abstract translation: 可调微型谐振器（1）具有夹在两个金属电极（4,5）之间的压电层（3）。 谐振器安装在悬臂梁上，悬臂梁形成为具有可变形性的双金属材料。 梁可以具有加热插入件（22,23）和由具有与梁不同的热膨胀特性的材料形成的一个或多个插入块（20,21）。

公开(公告)号：EP1311455A2

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：EP01973667.7

申请日：2001-08-24

Applicant: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN

Inventor： HSU, Wan-Thai ,  CLARK, John, R. ,  NGUYEN, Clark, T.-C.

IPC: B81B1/00

CPC classification number: B81C1/0019 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0307 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0109 ,  H03H3/007 ,  H03H3/0072 ,  H03H3/013 ,  H03H9/02362 ,  H03H9/2436 ,  H03H9/46 ,  H03H9/462 ,  H03H9/505 ,  H03H2009/02496

Abstract: A method and resulting formed device are disclosed wherein the method combines polysilicon surface-micromachining with metal electroplating technology to achieve a capacitively-drive, lateral micromechanical resonator with submicron electrode-to-resonator capacitor gaps. Briefly, surface-micromachining is used to achieve the structural material for a resonator, while conformal metal-plating is used to implement capacitive transducer electrodes. This technology makes possible a variety of new resonator configurations, including disk resonators and lateral clamped-clamped and free-free flexural resonators, all with significant frequency and Q advantages over vertical resonators. In addition, this technology introduces metal electrodes, which greatly reduces the series resistance in electrode interconnects, thus, minimizing Q-loading effects while increasing the power handling ability of micromechanical resonators.

公开(公告)号：KR1020170056008A

公开(公告)日：2017-05-22

申请号：KR1020177010412

申请日：2015-10-16

Applicant: 마이크로칩 테크놀로지 인코포레이티드

Inventor： 슈완-타 ,  클라크존리안

IPC: H03H9/24 ,  H03H9/02 ,  G01P15/08

CPC classification number: H03H9/2431 ,  B81B2201/0271 ,  H03H9/02244 ,  H03H9/02259 ,  H03H9/02338 ,  H03H9/2452 ,  H03H2009/02251 ,  H03H2009/02283 ,  H03H2009/02307 ,  H03H2009/0233 ,  H03H2009/02346 ,  H03H2009/02496

Abstract: 다수의코일스프링 MEMS 공진기는센터앵커및 센터앵커로부터외부폐쇄링(104)으로나선형패턴으로연장되는 2 개이상의코일스프링들(102a, 102b)을포함하는공진기바디(106)를포함한다. 코일스프링들의각 쌍은센터앵커의반대지점들에서시작하여나선형패턴으로외부링의반대지점들까지연장된다. 코일스프링들의수, 코일스프링들의길이및 폭, 및외부링의중량은원하는공진주파수를실현하도록선택된다. 외부링(104)은수직의변환기들(108)을포함하고외부링(104)의중량을조정하기위해홀들(130)을포함할수 있다. 구동전극들(110) 및감지전극들(112)의세트는기판에부착된다.

Abstract translation: 到MEMS谐振器的多个螺旋弹簧包括一谐振器本体（106），其包括以螺旋形图案的外延伸的至少两个螺旋弹簧从中心锚和中心锚（102A，102B）封闭环104。 每对螺旋弹簧从中心锚的相对点开始以螺旋图案在外环的相反方向上延伸。 选择螺旋弹簧的数量，螺旋弹簧的长度和宽度以及外环的重量以实现期望的谐振频率。 外环104包括垂直换能器108并且可以包括用于调节外环104的重量的孔130。 一组驱动电极110和感测电极112附着到衬底。

公开(公告)号：KR101724661B1

公开(公告)日：2017-04-18

申请号：KR1020137024650

申请日：2012-02-17

Applicant: 테크놀로지안 투트키무스케스쿠스 브이티티 오와이

Inventor： 펜사라,투마스 ,  자코라,안티 ,  간첸코바,마리아 ,  프루닐라,미카 ,  키하마키,지르키

IPC: H03H9/02 ,  H03H3/007 ,  B81B3/00

CPC classification number: H03H9/02448 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0271 ,  H01L41/18 ,  H03H3/0072 ,  H03H3/0076 ,  H03H9/2405 ,  H03H9/2447 ,  H03H2009/02503 ,  H03H2009/02519 ,  H03H2009/241 ,  H03H2009/2442 ,  Y10T29/42

Abstract: 본발명은마이크로메카닉디바이스및 이의제조하는방법에관한것이다. 디바이스는 n-형도핑제를포함하는반도체물질로이루어진진동또는편향부재(16) 및상기진동또는편향부재(16)에기능적으로연결되는여기또는감지수단(10, 14)을포함한다. 본발명에따르면, 진동또는편향부재(16)는필수적으로동종으로상기 n-형도핑제로도핑된다. 본발명은낮은온도드리프트를갖는다양한실현가능한공진기들의설계를허용한다.

公开(公告)号：KR1020170030605A

公开(公告)日：2017-03-17

申请号：KR1020177003696

申请日：2015-07-14

Applicant: 버터플라이 네트워크, 인크.

Inventor： 로스버그,조나단,엠. ,  에일리,수잔,에이. ,  파이프,키스,지. ,  산체스,네바다,제이. ,  랠스턴,타일러,에스.

IPC: B06B1/02 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  A61B8/00 ,  G01N29/24

CPC classification number: G01N29/2406 ,  A61B8/4483 ,  B06B1/0292 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/146 ,  H01L2924/1461

Abstract: 상보형금속산화물반도체(CMOS) 기판과통합된미세가공된초음파트랜스듀서들뿐만아니라이러한디바이스들의제작방법들이설명된다. 제작은 2개의별개의웨이퍼본딩단계를수반할수 있다. 웨이퍼본딩은기판(302) 내에밀봉된캐비티들(306)을제작하는데 이용될수 있다. 웨이퍼본딩은또한, 기판(302)을 CMOS 웨이퍼와같은다른기판(304)에본딩하는데 이용될수 있다. 적어도제2 웨이퍼본딩이저온에서수행될수 있다.

Abstract translation: 描述了这些器件的制造方法以及与互补金属氧化物半导体（CMOS）衬底集成的微机械超声换能器。 制造可能涉及两个独立的晶圆键合步骤。 晶片键合可用于制造密封在衬底302内的空腔306。 晶圆键合也可用于将衬底302粘合到另一衬底304，例如CMOS晶圆。 至少第二晶片键合可以在低温下进行。

公开(公告)号：KR101668835B1

公开(公告)日：2016-10-28

申请号：KR1020137033278

申请日：2012-05-11

Applicant: 테크놀로지안 투트키무스케스쿠스 브이티티 오와이

Inventor： 프룬닐라,미카 ,  자콜라,안티 ,  펜살라,투오마스

IPC: B81B3/00 ,  H03H9/02

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0177 ,  G06F17/5045 ,  H03H9/02448 ,  H03H9/2447 ,  H03H2009/2442

Abstract: 본발명은편향또는공진할수 있고상이한재료속성들을갖는적어도 2개의영역들을포함하는반도체소자, 상기반도체소자에기능적으로결합된구동또는감지수단을포함하는마이크로기계장치에관한것이다. 본발명에따르면, 상기영역들의적어도하나는하나이상의 n-형도핑제들을포함하고, 상기영역들의상대적인체적들, 도핑농도들, 도핑제들및/또는결정방위들은일반화된강성의온도감도들이적어도영역들에대한하나의온도에서부호가반대이고, 상기반도체소자의일반화된강성의전체적인온도드리프트가 100 ℃의온도범위상에서 50 ppm 이하이도록구성된다. 상기장치는공진기일수 있다. 또한, 상기장치를설계하는방법이개시되어있다.

公开(公告)号：KR1020150123798A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：KR1020157021716

申请日：2014-03-13

Applicant: 인텔 코포레이션

Inventor： 바스카란,라자스리

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L23/31

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00015 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/0792 ,  H01L23/315 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

Abstract: 집적된 MEMS 구조들을형성하는방법들이기술된다. 이들방법들과구조들은적어도하나의 MEMS 구조를제1 기판상에형성하고, 다이제1 기판의최상위면상에제1 본딩층을형성하고, 및이후제1 기판상에배치된제1 본딩층을제2 기판에결합하는것을포함할수 있으며, 여기서제2 기판은디바이스층을포함한다. 본딩은층 전사공정을포함할수 있으며, 여기서집적된 MEMS 디바이스가형성된다.