公开(公告)号：US5033834A

公开(公告)日：1991-07-23

申请号：US302777

申请日：1989-01-30

Applicant: Loren D. Corder ,  Burgess G. Gudmundson

Inventor： Loren D. Corder ,  Burgess G. Gudmundson

IPC: G02B21/00 ,  G02B21/26 ,  H01J37/20

CPC classification number: G02B21/26 ,  G02B21/002 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/201

Abstract: Apparatus to convert a single-mount SEM microscope stage into a multi-mount SEM microscope stage. The apparatus interfits onto the conventional center-aperture SEM microscope stage, and provides a mounting face having apertures for multiple-specimen mounts. The device is able to provide top or side views of the specimen with only a 45.degree. rotation of the microscope stage from its starting point.

Abstract translation: 将单台式SEM显微镜平台转换为多台式SEM显微镜平台的装置。 该装置与传统的中心孔径扫描显微镜显微镜平台相配合，并提供一个具有用于多标本安装孔的安装面。 该设备能够从其起点向显微镜载物台提供仅45度旋转的样品的顶视图或侧视图。

公开(公告)号：KR1020160118177A

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：KR1020160124974

申请日：2016-09-28

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 왕샤오-후 ,  첸밍-테 ,  리셩-웨이

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/687 ,  H01L21/425

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/20228 ,  H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/425 ,  H01L21/68764

Abstract: 복수의기판들을동시에주입하기위한, 이온주입을위한이온주입장치및 방법이제공된다. 상이한기판들이이온주입챔버내의상응하는플래튼들상에위치되거나, 또는그 기판들이하나의과다크기의플래튼상의분리된기판홀더들상에배치된다. 기판들및 플래튼또는플래튼들이빔에대해서병진운동할수 있고, 개별적인기판들이회전운동될수 있으며그리고이온주입챔버내에서의기판들의서로에대한위치가이동될수 있다. 이온주입프로세스중에기판들을회전운동, 병진운동및 재배치하는것에의해서, 주입되는기판들의직경들에대비하여이온빔이비교적작은풋프린트를가지고비교적짧은스캔길이를가지는경우에도, 모든기판들전체가이온빔에의해서주입된다.

公开(公告)号：KR1020140112379A

公开(公告)日：2014-09-23

申请号：KR1020130150734

申请日：2013-12-05

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 왕샤오-후 ,  첸밍-테 ,  리셩-웨이

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/20228

Abstract: Provided are an ion implanting apparatus and an ion implanting method to simultaneously implant ions into multiple substrates. Mutually different substrates are on corresponding platens within an ion implantation chamber or may be positioned on separate substrate holders on a single oversized platen. The substrates and platen or platens may perform translational motion with respect to an ion beam, and the individual substrates may be rotatable. The position of the substrates relative to one another in the ion implantation chamber may be movable. By rotating, translating and repositioning the substrates during the ion implantation process, the entire portion of all substrates are implanted by an ion beam even if the ion beam has a relatively small footprint and a relatively short scan length, as compared with the diameters of the substrates subject to implantation.

Abstract translation: 提供了一种离子注入装置和离子注入方法，以将离子注入多个基底。 相互不同的衬底位于离子注入室内的相应的压板上，或者可以位于单个超大压板上的分开的衬底保持器上。 基板和压板或压板可以相对于离子束执行平移运动，并且各个基板可以是可旋转的。 衬底在离子注入室中相对于彼此的位置可以是可移动的。 通过在离子注入过程期间旋转，平移和重新定位衬底，即使离子束具有相对较小的占地面积和相对短的扫描长度，与所有衬底的直径相比，所有衬底的整个部分也被离子束注入 待植入的基质。

公开(公告)号：KR101346155B1

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：KR1020070054138

申请日：2007-06-01

Applicant: 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤

Inventor： 야기타다카노리 ,  이즈타니히사키 ,  츠키하라미츠쿠니 ,  구로다다카시

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/20 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  Y10S359/90

Abstract: 빔 처리 시스템은, 그 위에 처리 대상체가 탑재되는 회전 디스크, 왕복 구동 기구를 제어하기 위한 컨트롤러, 및 처리 빔의 빔 폭을 측정하기 위한 빔 폭 측정 유닛을 구비한다. 상기 컨트롤러는, 상기 빔 폭의 측정치에 따라서, 내측 및 외측 오버스캔 위치를 설정한다. 상기 컨트롤러는, 단위시간당 상기 회전 디스크의 상기 회전수, 왕복 스캔의 스캔 속도 및 왕복 스캔 횟수, 상기 내측 및 외측 오버스캔 위치 중 적어도 하나에서의 상기 회전 디스크의 반전 개시 타이밍, 및 상기 측정치에 근거하여, 상기 각 처리 대상체 상의 최근 및 현재 처리 빔 조사 영역 사이에, 상기 최근 처리 빔 조사 영역의 적어도 절반을 오버랩하는 오버랩 영역을 확보하도록, 상기 왕복 구동 기구를 제어한다.
오버랩, 왕복, 회전, 빔, 처리, 이온주입, 스캔

公开(公告)号：KR1020100133292A

公开(公告)日：2010-12-21

申请号：KR1020100006482

申请日：2010-01-25

Applicant: 닛신 이온기기 가부시기가이샤

Inventor： 다테미치준이치 ,  오노다마사토시 ,  오리히라고오이치

IPC: H01J37/30 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/67213 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/204 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: PURPOSE: An ion implanter is provided to integrally implant ions by radiating an ion beam on a plurality of substrates. CONSTITUTION: An injection chamber(8) is exhausted to a vacuum. An ion beam is inputted to the injection chamber. A holder(12) is installed in the injection chamber. A holder driving unit(16) reciprocates in an X direction. First and second loadlock devices(20a,20b) provide a substrate between the injection chamber and the standby side.

Abstract translation: 目的：提供离子注入机以通过在多个基板上辐射离子束来整体地注入离子。 构成：注射室（8）排空到真空。 离子束被输入到注射室。 保持器（12）安装在注射室中。 支架驱动单元（16）在X方向上往复运动。 第一和第二负载锁定装置（20a，20b）在注射室和待机侧之间提供衬底。

公开(公告)号：KR100673006B1

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：KR1020050064421

申请日：2005-07-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박금식

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/204 ,  H01J2237/31701

Abstract: 본 발명은 이온 주입 장치에 관한 것으로, 더미 웨이퍼를 포함하는 다수매의 웨이퍼에 특정의 이온을 주입하는 이온 주입 장치에 있어서 상기 더미 웨이퍼는 상기 특정의 이온별로 개별적으로 사용되고, 상기 특정의 이온별로 개별적으로 사용되는 더미 웨이퍼를 개별적으로 보관하는 다수개의 더미 웨이퍼 카세트를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 더미 웨이퍼 카세트가 다수개 설치되어 있어서 도핑 이온별로 더미 웨이퍼를 별도로 보관하여 이온 주입 공정에 사용할 수 있게 된다. 따라서, 하나의 더미 웨이퍼를 공용으로 사용함으로써 발생하는 교차 오염 문제를 해결하여 웨이퍼의 가공 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
반도체, 웨이퍼, 이온 주입 장치, 더미 웨이퍼 카세트

公开(公告)号：KR101575395B1

公开(公告)日：2015-12-21

申请号：KR1020130005859

申请日：2013-01-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  기쿠치히로유키 ,  구마가이다케시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4581 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32825 ,  H01J2237/032 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/0206

Abstract: 내부에, 절연물로형성되는동시에, 표면에기판적재부가설치된서셉터가회전가능하게설치되는진공용기로제1 가스를공급하는스텝과, 상기진공용기에대하여설치되는플라즈마발생원에대하여고주파를공급하고, 상기제1 가스로부터플라즈마를생성하는스텝과, 상기서셉터를회전하고, 상기기판적재부가노출된상태에서, 당해기판적재부를상기플라즈마에노출시키는스텝을포함하는, 파티클저감방법이다.

公开(公告)号：KR1020150054428A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：KR1020130136852

申请日：2013-11-12

Applicant: 한국기초과학지원연구원

Inventor： 천성식 ,  김정균 ,  정종만 ,  이은지 ,  김윤중

IPC: G01N1/28 ,  G01N23/225 ,  H01J37/26

CPC classification number: G01N23/2202 ,  G01N2223/04 ,  G01N2223/418 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/204

Abstract: 본발명은시료를 TEM으로관찰시 하나의그리드에복수개의시료를로딩시킴으로써 1회의 TEM 장비세팅으로복수개의시료를관찰할수 있도록하는시료를로딩하는방법및 시료로딩장치에관한것으로, 보다상세하게는, (A) 수평으로놓여진그리드의일영역수직상부의소정높이에, 상기그리드의유효부면적의 1/2미만크기의개구가하나또는복수개형성된마스크를수평으로장착하는단계; (B) 상기마스크개구의수직상부의소정높이에, 연무판이아래를향하도록초음파진동자를수평으로장착하는단계; (C) 상기초음파진동자의상면에시료액을로딩하고초음파진동자를작동시키는단계; (D) 상기그리드의일영역과겹치지않는타영역에서, 초음파진동자와마스크를교체또는세척하고, 다른시료액으로, 상기단계(A)~(C)를반복하는단계;를포함하는, 1개의 TEM 관찰용그리드에복수개의시료를로딩하는방법및 이를위한시료로딩장치에관한것이다.

Abstract translation: 提供一种用于在一个格子上装载多个样品用TEM观察和样品装载装置的方法，以便在用TEM观察样品的同时将多个样品加载到一个网格上，并且只用一次TEM设备观察多个样品 设置。 本发明的方法包括以下步骤：（A）将一个或多个开口水平安装在一个或多个开口上，所述开口的尺寸是一个或多个有效单位面积的一半或更小的垂直顶部的一个高度 水平放置的网格区域; （B）将雾化板的面罩开口的垂直顶部的一定高度水平地安装在超声波振动器的下方; （C）将试样溶液装载在超声波振子的顶面上并操作超声波振动器; 和（D）在不与网格的一个区域重叠的另一区域中更换或清洁超声波振动器并且掩模，并且用另一个样品溶液重复步骤（A）至（C）。

公开(公告)号：KR101434886B1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：KR1020117030721

申请日：2010-06-23

Applicant: 인테벡, 인코포레이티드

Inventor： 아디비,바박 ,  춘,문

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01L31/1876 ,  C23C14/042 ,  C23C14/48 ,  H01J37/185 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/0437 ,  H01J2237/184 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3365 ,  H01L21/2236 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 이온 주입 방법으로서, 챔버의 플라즈마 영역 내에 플라즈마를 제공하는 단계와; 복수의 개구를 구비하는 제 1 그리드 판을 양으로 바이어스 시키는 단계와; 복수의 개구를 구비하는 제 2 그리드 판을 음으로 바이어스 시키는 단계와; 상기 양으로 바이어스된 제 1 그리드 판에 있는 개구를 통해 상기 플라즈마 영역 내 플라즈마로부터 이온을 흐르게 하는 단계와; 상기 양으로 바이어스된 제 1 그리드 판에 있는 개구를 통해 흐른 이온들 중 적어도 일부를 상기 음으로 바이어스된 제 2 그리드 판에 있는 개구를 통해 흐르게 하는 단계와; 상기 음으로 바이어스된 제 2 그리드 판에 있는 개구를 통해 흐른 이온들 중 적어도 일부를 기판에 주입하는 단계를 포함하는 이온 주입 방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 一种离子注入的方法，包括：在室的等离子体区域内提供等离子体; 使第一格栅板向正偏置，其中第一格栅板包括多个孔; 负偏置第二格栅板，其中所述第二格板包括多个孔; 使来自等离子体区域中的等离子体的离子通过正偏置的第一格栅板中的孔流动; 使流经所述正偏置的第一格栅板中的孔的至少一部分离子流过负偏压的第二格栅板中的孔; 以及用至少一部分离子注入衬底，所述离子流过所述负偏压的第二栅格板中的所述孔。

公开(公告)号：KR101299891B1

公开(公告)日：2013-08-23

申请号：KR1020110063340

申请日：2011-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오다기리마사야 ,  무라끼유우스께 ,  후지하라진

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/463 ,  H01J37/20 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32779 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/201 ,  H01L21/68771

Abstract: 본 발명의 과제는, 기판의 주연부와 중심부의 온도 관리ㆍ온도 제어를 각각 독립적으로 정밀하게 행하는 것이 가능하고, 또한 배관 구성을 간소화한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
기판을 진공 처리 공간에 있어서 처리하는 기판 처리 장치이며, 적어도 2매 이상의 기판을 적재하는 기판 적재대를 구비하고, 상기 기판 적재대는 적재되는 기판의 수에 대응하는 수의 기판 적재부로 구성되고, 상기 기판 적재부에는 적재된 기판의 중앙부를 냉각시키는 중앙 온도 조절 유로와, 기판의 주연부를 냉각시키는 주연 온도 조절 유로가 서로 독립적으로 형성되고, 상기 기판 적재대에는 상기 주연 온도 조절 유로에 온도 조절 매체를 도입시키는 온도 조절 매체 도입구가 1개 설치되고, 상기 주연 온도 조절 유로로부터 온도 조절 매체를 배출시키는 온도 조절 매체 배출구가 적재되는 기판의 수에 대응하는 수만큼 설치되는, 기판 처리 장치가 제공된다.