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公开(公告)号：CN1788104A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN03826575.3
申请日：2003-06-02
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/0078 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/358 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C14/5853 , C23C16/4404 , H01J37/32082 , H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01L21/318 , H05H1/46
Abstract: 本发明的薄膜形成装置(1)包括：内部维持真空的真空容器(11)；将反应性气体导入真空容器(11)内的气体导入单元(76)；和在真空容器(11)内产生反应性气体的等离子体的等离子体发生单元(61)。并且，在真空容器(11)内的壁面上，涂敷有热分解氮化硼(P)。
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公开(公告)号：CN114402090B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202080064516.6
申请日：2020-10-09
Abstract: 在成膜室(2a)的内部至少设置蒸镀材料和基板(S)，通过排气和/或提供不改变蒸镀材料的组成的气体，将所述成膜室(2a)的内部的包含所述基板(S)的第1区域(A)设定为0.05Pa～100Pa的气氛，将所述成膜室(2a)的内部的包含所述蒸镀材料的第2区域(B)设定为0.05Pa以下的气氛，在上述的状态下，通过真空蒸镀法，在第2区域(B)中使蒸镀材料蒸发，在第1区域(A)中将蒸发出的蒸镀材料成膜在被蒸镀物上。
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公开(公告)号：CN114514335B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202080064503.9
申请日：2020-10-09
Abstract: 在成膜室(2a)的内部至少设置蒸镀材料和基板(S)，通过排气和/或提供不改变所述蒸镀材料的组成的气体，将成膜室(2a)的内部的包含基板(S)的第1区域(A)设定为0.05Pa～100Pa的气氛，将成膜室(2a)的内部的包含蒸镀材料的第2区域(B)设定为0.05Pa以下的气氛，在上述的状态下，通过真空蒸镀法，在第2区域(B)中使蒸镀材料蒸发，在第1区域(A)中将蒸发出的蒸镀材料成膜在基板(S)上，并且在第1区域(A)中向基板(S)照射离子。
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公开(公告)号：CN116417312A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111638914.7
申请日：2021-12-29
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: H01J37/08 , H01J37/147 , H01J9/14
Abstract: 本申请实施例提供一种离子引出栅极、离子源以及离子引出栅极的制造方法。所述离子引出栅极的截面呈弧状，在离子引出栅极上设置有贯穿离子引出栅极且中心轴线为直线的多个孔部；其中，多个孔部中的至少一部分孔部的中心轴线与孔部周围的离子引出栅极的表面的切线不垂直，和/或，离子引出栅极的厚度根据孔部的大小和相邻孔部之间的间隔被确定。由此，离子能够高效地通过离子引出栅极的孔部，从而进一步提升离子源的效率；此外，可以在提高栅极的离子束引出效率从而加大离子束密度的同时，兼顾地提高栅极的机械强度和延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN114514335A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202080064503.9
申请日：2020-10-09
Abstract: 在成膜室(2a)的内部至少设置蒸镀材料和基板(S)，通过排气和/或提供不改变所述蒸镀材料的组成的气体，将成膜室(2a)的内部的包含基板(S)的第1区域(A)设定为0.05Pa～100Pa的气氛，将成膜室(2a)的内部的包含蒸镀材料的第2区域(B)设定为0.05Pa以下的气氛，在上述的状态下，通过真空蒸镀法，在第2区域(B)中使蒸镀材料蒸发，在第1区域(A)中将蒸发出的蒸镀材料成膜在基板(S)上，并且在第1区域(A)中向基板(S)照射离子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108690954B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201710229298.7
申请日：2017-04-10
Applicant: 株式会社新柯隆
Abstract: 本发明公开一种成膜装置及成膜方法，其用于形成薄膜，所述成膜装置包括：真空腔室；排气机构，其与所述真空腔室相通以进行排气；基板保持机构，其用于将基板保持在所述真空腔室内；成膜机构，其设置于所述真空腔室内；导入机构，其与所述真空腔室相连通；所述导入机构能够在所述成膜机构的成膜过程中向所述真空腔室内导入含羟基气体。
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公开(公告)号：CN111593309A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201910129730.4
申请日：2019-02-21
Applicant: 株式会社新柯隆
Abstract: 本申请公开一种溅射成膜装置，包括：具有排气机构的真空容器；基板保持单元，其能保持多个基板；位于所述真空容器内部并且在空间上相互分离的溅射区域和反应区域；所述溅射区域被配置为通过溅射靶材在基板上形成溅射物质；所述反应区域被配置为导入两种以上的反应气体并在该反应区域生成等离子体；所述反应区域通过等离子体中的离子与所述溅射物质相互作用形成含有至少四种元素的化合物薄膜。该溅射成膜装置便于形成期望材料的薄膜，并在形成四种元素以上的化合物薄膜时，并不受化合物材料的限制，同时成膜效率较快，具有非常良好的应用价值。
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公开(公告)号：CN110318028A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201810265405.6
申请日：2018-03-28
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: C23C14/46
Abstract: 本发明公开一种等离子体源机构及薄膜形成装置，其中，所述等离子源机构能够适用于具有真空槽的薄膜形成装置；所述等离子体源机构包括：安装于所述真空槽外的壳体；位于所述壳体内的天线组件，其经由电介质部配置在所述真空槽外；所述天线组件包括多个天线部；各个所述天线部具有单独的被施加高频电力的连接部；任一所述天线部所在区域与其他所述天线部所在区域无重叠区域。本发明提供的等离子体源机构及薄膜形成装置能够扩大ICP放电范围。
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公开(公告)号：CN108690954A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201710229298.7
申请日：2017-04-10
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/54 , C23C16/455 , C23C14/548
Abstract: 本发明公开一种成膜装置及成膜方法，其用于形成薄膜，所述成膜装置包括：真空腔室；排气机构，其与所述真空腔室相通以进行排气；基板保持机构，其用于将基板保持在所述真空腔室内；成膜机构，其设置于所述真空腔室内；导入机构，其与所述真空腔室相连通；所述导入机构能够在所述成膜机构的成膜过程中向所述真空腔室内导入含羟基气体。
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