-
公开(公告)号：KR1020170073832A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：KR1020150182202
申请日：2015-12-18
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은은 나노와이어를이용한나노패턴메탈메쉬구현공정방법및 이를이용한하이브리드메탈메쉬에관한것으로서, 상기방법은, 기판상에은 나노와이어를분산하고, 제1 임프린트레진을이용하여상기은 나노와이어의패턴을본 뜨는패턴형성단계; 상기제1 임프린트레진에형성된상기패턴을제2 임프린트레진으로찍어내상기패턴을포함한메탈몰드를형성하는단계; 및제3 임프린트레진을포함한투명기판상에, 상기메탈몰드의상기패턴을찍어패턴을형성하고, 스퀴징(Squeezing) 및열 경화(Thermal Curing) 공정을거쳐메탈메쉬를형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明是一种方法，使用一个纳米线纳米图案的金属网实现的过程，并使用相同的，所述方法包括涉及一种混合金属网：衬底上eeun和纳米线分散，使用纳米线的第一压印树脂sanggieun图案 图案形成步骤; 通过用第二压印树脂印刷形成在第一压印树脂上的图案来形成包括图案的金属模具; 并且通过在包括第三压印树脂的透明基板上形成金属模的图案并且对金属网进行挤压处理和热固化处理来形成图案。
-
12.发明公开
公开(公告)号：KR1020160084966A
公开(公告)日：2016-07-15
申请号：KR1020150001431
申请日：2015-01-06
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , G03F7/0035 , G03F7/0047
Abstract: 본발명은금속산화물복합구조체및 그제조방법에관한것으로서, 기판또는박막의상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계와, 상기감광성금속-유기물전구체층을제1패턴이형성된임프린트용스탬프로가압하되, 상기감광성금속-유기물전구체층이완전경화되는도즈보다낮고임계경화되는도즈보다높은도즈로광경화를수행하는메타-광경화임프린팅단계와, 상기임프린트용스탬프를상기감광성금속-유기물전구체층으로부터제거하는단계와, 상기패턴된감광성금속-유기물전구체층상단에제2패턴이형성된포토마스크를위치시킨후, 완전경화도즈이상으로자외선또는열을조사하여금속산화박막패턴층을형성하는완전경화포토리소그래피단계와, 상기경화가완료된금속산화박막패턴층을현상(Developing)하여, 상기제1패턴과제2패턴이복합적으로구현된금속산화물복합구조체를형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는메타-광경화임프린팅공정과완전경화포토리소그래피공정에의한금속산화물복합구조체제조방법및 그에의해제조된금속산화물복합구조체를기술적요지로한다. 이에의해이종(異種)의패턴이복합적으로구현된금속산화물구조체의제공이용이하며, 완전경화가되지않을정도의도즈에서임프린팅공정이진행되고, 그후 포토리소그래피공정에의해완전경화를수행하여, 식각공정이생략된중간경화공정을추가함으로써, 식각공정의횟수를줄일수 있어공정의단순화및 비용을절감시키는이점이있다.
Abstract translation: 金属氧化物复合结构及其制备方法技术领域本发明涉及金属氧化物复合结构体及其制备方法，更具体地说，涉及通过间光光固化印刷法和光刻法制备金属氧化物复合结构体的方法和由其制备的金属氧化物复合结构体。 根据本发明，该方法包括：在晶片或薄膜的顶部形成光敏金属 - 有机材料前体层的步骤; 光固化印刷步骤，其中光固化在低于完全固化光敏金属 - 有机材料前体层并且高于其固化所需的临界剂量的剂量下的剂量下进行，并且使用具有第一图案的印记印模 以向感光金属 - 有机材料前体层施加压力; 从感光金属 - 有机材料前体层去除印记印模的步骤; 完全固化光刻步骤，其中将具有第二图案的光掩模放置在上述图案化的感光金属 - 有机材料前体层上，然后以足够高的剂量进行UV辐射或加热以诱导完全固化，以产生金属氧化物 薄膜图案层; 以及将上述固化的金属氧化物薄膜图案层显影以产生具有第一和第二图案的金属氧化物复合结构的步骤。 根据本发明，可以容易地制备具有两种不同图案的金属氧化物结构，通过以不引起完全固化的剂量进行压印加工，随后进行完全固化，可以简化和降低工艺和成本 通过光刻工艺，并且通过执行除了蚀刻工艺之外的中间固化工艺以减少蚀刻工艺的数量。
-
公开(公告)号：KR101581437B1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：KR1020130161605
申请日：2013-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위한압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계를포함하여구성되는것을특징으로하는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체의형성방법을기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
-
公开(公告)号：KR101576471B1
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：KR1020130126493
申请日：2013-10-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은고출력적색발광다이오드의제작방법에관한것으로서, 나노스케일로표면요철을형성하여광추출효율을증대시키는적색발광다이오드의제조방법에있어서, 박막상층에유전체마스크층을형성하는단계와, 상기유전체마스크층상층에고분자층을형성하는단계와, 상기고분자층상층에감광성금속유기물전구체층을형성하는단계와, Pillar-type 패턴이형성된나노임프린트용스탬프를준비하는단계와, 상기감광성금속유기물전구체층을상기 Pillar-type 패턴이형성된나노임프린트용스탬프로가압하고, 빛조사또는가열방법중 어느하나또는혼용한방법으로상기감광성금속유기물전구체층을경화하여금속산화박막패턴층을형성하는단계와, 상기 Pillar-type 패턴이형성된나노임프린트용스탬프를상기금속산화박막패턴층으로부터제거하는단계와, 상기금속산화박막패턴층, 고분자층및 유전체마스크층을건식식각마스크로이용하여상기박막을건식식각하는단계와, 잔류된유전체마스크층을제거하는단계및 상기제거된유전체마스크층영역일부에리프트오프공정에의해전극패턴을형성하는단계를포함하여이루어진것을특징으로하는고출력적색발광다이오드의제조방법을기술적요지로한다. 이에의해, 적색발광다이오드의제조시나노임프린트공정과건식식각을이용하여박막의표면에대면적의균일한표면요철을형성하여나노러프닝(nano-roughening)을유도하여광추출효율이향상된적색발광다이오드를제공하는이점이있다.
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.022 seconds)
