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公开(公告)号：KR1020150073645A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：KR1020130161605
申请日：2013-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: B82B3/0095 , B29C67/00
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위한압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계를포함하여구성되는것을특징으로하는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체의형성방법을기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及不对称金属或金属氧化物纳米结构体的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在基板或薄膜上形成压印层的第一工序; 用于在压印层上定位可变压印印模的第二步骤，以适于转换可变印记印模图案的压力和方向按压可变印记印模，并在其上进行固化处理以形成不对称图案层; 用于去除所述不对称图案层的残留膜以暴露所述衬底或所述薄膜的一部分的第三步骤; 第四步，用于在基板或薄膜的暴露部分上去除金属或金属氧化物; 以及用于去除所述不对称图案层以在所述基板或所述薄膜上形成金属或金属氧化物图案的第五步骤。 因此，可以制造大面积不对称金属或金属氧化物纳米结构。 此外，可以根据可变印记印模的压力或方向来调整图案的不对称程度，由此本发明可以用于各种领域。
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公开(公告)号：KR101663629B1
公开(公告)日：2016-10-10
申请号：KR1020150163446
申请日：2015-11-20
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B1/00 , B82Y40/00 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L29/06
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에형성되며, 패턴의형태가변형이가능한가변형임프린트용스탬프를이용하여형성되는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를포함하여이루어지며, 상기비대칭형금속또는금속산화물나노구조체는, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에플렉시블한재질의가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴이휘어짐변형이유발되는압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계;를포함하여구성되고, 상기제1단계의임프린트층의두께는, 상기가변형임프린트용스탬프로상기임프린트층을가압시임프린트층이상기가변형임프린트용스탬프패턴사이로충진이완전히되지않도록상기가변형임프린트용스탬프패턴의두께보다상대적으로더 얇게형성되고, 상기제2단계는, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해 1.1bar~50bar의압력으로가변형임프린트용스탬프를가압시키고, 선택적으로, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해상기임프린트층과가변형임프린트용스탬프의계면에평행한방향으로가변형임프린트용스탬프를가압시키는것에의해제조되는것을특징으로하는가변형임프린트용스탬프를이용한비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
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公开(公告)号：KR1020150141915A
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：KR1020150163446
申请日：2015-11-20
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B1/00 , B82Y40/00 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L29/06
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에형성되며, 패턴의형태가변형이가능한가변형임프린트용스탬프를이용하여형성되는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를포함하여이루어지며, 상기비대칭형금속또는금속산화물나노구조체는, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에플렉시블한재질의가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴이휘어짐변형이유발되는압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계;를포함하여구성되고, 상기제1단계의임프린트층의두께는, 상기가변형임프린트용스탬프로상기임프린트층을가압시임프린트층이상기가변형임프린트용스탬프패턴사이로충진이완전히되지않도록상기가변형임프린트용스탬프패턴의두께보다상대적으로더 얇게형성되고, 상기제2단계는, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해 1.1bar~50bar의압력으로가변형임프린트용스탬프를가압시키고, 선택적으로, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해상기임프린트층과가변형임프린트용스탬프의계면에평행한방향으로가변형임프린트용스탬프를가압시키는것에의해제조되는것을특징으로하는가변형임프린트용스탬프를이용한비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成不对称纳米结构的方法，该方法包括形成在基底或薄膜上的不对称金属或金属氧化物纳米结构，并通过使用具有可变形状的图案的可变印记印模形成。 用于形成不对称金属或金属氧化物纳米结构的方法包括在基板或薄膜上形成压印层的第一步骤; 将柔性材料的可变形压印印模放置在压印层上的第二步骤，以可变形压印印模的图案的压力或扭曲方向按压可变形压印印模，并进行固化 过程形成不对称图案层; 第三步，通过去除不对称图案层的剩余膜来曝光基板或薄膜的一部分区域; 在衬底或薄膜和不对称图案层的暴露区域上沉积金属或金属氧化物的第四步骤; 以及通过去除不对称图案层在基板或薄膜上形成金属或金属氧化物图案的第五步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150077843A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130166728
申请日：2013-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L23/48 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/308 , H01L21/4867 , H01L21/76877
Abstract: 본발명은비아홀 콘택형성을위한비아홀 제조방법및 이에의해제조된비아홀이형성된반도체소자에관한것으로서, 특히반도체소자의비아홀 제조방법에있어서, 기판을준비하는제1단계와, 상기기판의상면및 하면각각에비아홀 형성을위한패턴을형성하는제2단계와, 상기기판의상측과하측에서식각공정을수행하여, 상기패턴에대응되는기판의상면과하면이관통하는비아홀을형성하는제3단계와, 상기비아홀에전도성페이스트를충진하여비아홀 콘택을형성하는제4단계를포함하여이루어진것을특징으로하는비아홀 콘택형성을위한비아홀 제조방법및 이에의한비아홀이형성된반도체소자를기술적요지로한다. 이에의해비아홀에전도성페이스트를충진하는방법으로비아홀 콘택을형성함으로써, 전도성페이스트와기판사이의우수한접착력을얻을수 있어, 비아홀에서발생하는노이즈를줄여전기적접속및 반도체소자의테스트시오류를최소화하는비아홀의신뢰성을향상시키는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造用于形成通孔接触的通孔的方法和由其制造的具有通孔的半导体器件。 特别是在制造半导体装置的通孔的方法中，本发明公开了一种用于形成通孔接触的通孔的制造方法和由此制造的具有通孔的半导体装置。 该方法包括：制备衬底的第一步骤; 在基板的上表面和下表面上分别形成用于形成通孔的图案的第二步骤; 在基板的上侧和下侧进行蚀刻处理以形成穿过与图案对应的基板的上表面和下表面的通孔的第三步骤; 以及通过用导电浆填充通孔来形成通孔接触的第四步骤。 因此，本发明可以通过用导电膏填充通孔的方法形成通孔接触来获得导电糊和基片之间的极好的粘合性，并且通过减少产生的噪声来最小化测试电连接和半导体器件的误差 在通孔中，从而提高通孔的可靠性。
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公开(公告)号：KR1020150046912A
公开(公告)日：2015-05-04
申请号：KR1020130126493
申请日：2013-10-23
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/308 , H01L33/22 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명은고출력적색발광다이오드의제작방법에관한것으로서, 나노스케일로표면요철을형성하여광추출효율을증대시키는적색발광다이오드의제조방법에있어서, 박막상층에유전체마스크층을형성하는단계와, 상기유전체마스크층상층에고분자층을형성하는단계와, 상기고분자층상층에자외선경화레진층또는감광성금속유기물전구체층을형성하는단계와, 패턴이형성된나노임프린트용스탬프를준비하는단계와, 상기자외선경화레진층또는감광성금속유기물전구체층을상기나노임프린트용스탬프로가압하고, 빛조사또는가열방법중 어느하나또는혼용한방법으로상기자외선경화레진층또는감광성금속유기물전구체층을경화하여레진패턴층또는금속산화박막패턴층을형성하는단계와, 상기나노임프린트용스탬프를상기레진패턴층또는금속산화박막패턴층으로부터제거하는단계와, 상기레진패턴층또는금속산화박막패턴층, 고분자층및 유전체마스크층을건식식각마스크로이용하여상기박막을건식식각하는단계와, 잔류된유전체마스크층을제거하는단계및 상기제거된유전체마스크층영역일부에리프트오프공정에의해전극패턴을형성하는단계를포함하여이루어진것을특징으로하는고출력적색발광다이오드의제조방법을기술적요지로한다. 이에의해, 적색발광다이오드의제조시나노임프린트공정과건식식각을이용하여박막의표면에대면적의균일한표면요철을형성하여나노러프닝(nano-roughening)을유도하여광추출효율이향상된적색발광다이오드를제공하는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造高功率红色发光二极管的方法，包括：在薄膜的上层上形成介电掩模层的步骤; 在介电掩模的上层形成聚合物层的步骤; 在聚合物层的上层形成紫外线固化性树脂层或感光性金属有机前体层的工序; 通过用光照射固化紫外线固化树脂层或感光金属 - 有机前体层来形成树脂图案层或金属氧化物薄膜图案层的步骤，加热方法或光辐射和加热方法的混合方法; 从树脂图案层或金属氧化物薄膜图案层去除纳米压印印模的步骤; 通过使用树脂图案层或金属氧化物薄膜图案层，聚合物层和介电掩模层作为干蚀刻掩模来干蚀刻薄膜的步骤; 去除残留电介质掩模层的步骤; 以及通过剥离处理在去除的电介质掩模层区域的一部分上形成电极图案的步骤。 本发明在制造红色发光二极管时，使用纳米压印加工和干法蚀刻在薄膜表面上形成大的均匀的表面凹凸，并引起纳米粗糙化，从而提供具有提高的光提取效率的发光二极管。
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6.发明授权정렬된 금속산화물 나노구조체에 금속나노입자가 결합된 하이브리드 나노구조체의 제조방법 및 그에 의한 하이브리드 나노구조체 有权金属纳米颗粒与对称金属氧化物纳米结构和混合纳米结构的混合纳米结构的制备方法
公开(公告)号：KR101477038B1
公开(公告)日：2014-12-29
申请号：KR1020130159283
申请日：2013-12-19
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: B82B3/0095 , B82Y40/00
Abstract: The present invention relates to hybrid nanostructures in which metal nanoparticles are combined on metal oxide nanostructures and, more specifically, to a manufacturing method for hybrid nanostructures in which metal nanoparticles are combined on aligned metal oxide nanostructures comprising: a first step of forming a metal-organic precursor layer on a substrate or a thin film; a second step of forming a metal oxide seed layer by an imprinting and hardening process by locating a stamp for imprinting on the metal-organic precursor layer; a third step of forming a metal oxide seed pattern layer by exposing a part of the substrate or thin film by removing a residual layer of the metal oxide seed layer; a fourth step of removing a solvent by performing heat treatment on the metal oxide seed pattern layer; a fifth step of forming aligned metal oxide nanostructures on the metal oxide seed pattern layer in which the solvent is removed by using a hydrothermal synthesis method; and a sixth step of forming hybrid nanostructures by combining metal nanoparticles on the aligned metal oxide nanostructures by using photodecomposition reaction, and to hybrid nanostructures manufactured thereby. The present invention is economical since hybrid nanostructures with metal nanoparticles on metal oxide nanostructures are easily manufactured by using a simple process requiring low production costs such as an imprinting process, a hydrothermal synthesis method, photodecomposition reaction and the like.
Abstract translation: 本发明涉及其中金属纳米颗粒结合在金属氧化物纳米结构上的混合纳米结构，更具体地说，涉及将金属纳米颗粒结合在对准的金属氧化物纳米结构上的混合纳米结构的制造方法，其包括：第一步骤， 有机前体层在基材或薄膜上; 通过定位用于印刷在金属 - 有机前体层上的印模的印刷和硬化工艺来形成金属氧化物种子层的第二步骤; 通过去除所述金属氧化物种子层的残留层而暴露所述基板或薄膜的一部分来形成金属氧化物种子图案层的第三步骤; 通过对所述金属氧化物种子图案层进行热处理来除去溶剂的第四步骤; 在通过水热合成法除去溶剂的金属氧化物种子图案层上形成排列的金属氧化物纳米结构的第五步骤; 以及通过使用光分解反应在排列的金属氧化物纳米结构上结合金属纳米颗粒以及由其制造的混合纳米结构来形成混合纳米结构的第六步骤。 本发明是经济的，因为使用金属纳米颗粒在金属氧化物纳米结构上的杂化纳米结构很容易通过使用需要低生产成本的简单工艺（诸如压印法，水热合成法，光分解反应等）来制造。
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公开(公告)号：KR101581437B1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：KR1020130161605
申请日：2013-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위한압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계를포함하여구성되는것을특징으로하는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체의형성방법을기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
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公开(公告)号：KR101576471B1
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：KR1020130126493
申请日：2013-10-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은고출력적색발광다이오드의제작방법에관한것으로서, 나노스케일로표면요철을형성하여광추출효율을증대시키는적색발광다이오드의제조방법에있어서, 박막상층에유전체마스크층을형성하는단계와, 상기유전체마스크층상층에고분자층을형성하는단계와, 상기고분자층상층에감광성금속유기물전구체층을형성하는단계와, Pillar-type 패턴이형성된나노임프린트용스탬프를준비하는단계와, 상기감광성금속유기물전구체층을상기 Pillar-type 패턴이형성된나노임프린트용스탬프로가압하고, 빛조사또는가열방법중 어느하나또는혼용한방법으로상기감광성금속유기물전구체층을경화하여금속산화박막패턴층을형성하는단계와, 상기 Pillar-type 패턴이형성된나노임프린트용스탬프를상기금속산화박막패턴층으로부터제거하는단계와, 상기금속산화박막패턴층, 고분자층및 유전체마스크층을건식식각마스크로이용하여상기박막을건식식각하는단계와, 잔류된유전체마스크층을제거하는단계및 상기제거된유전체마스크층영역일부에리프트오프공정에의해전극패턴을형성하는단계를포함하여이루어진것을특징으로하는고출력적색발광다이오드의제조방법을기술적요지로한다. 이에의해, 적색발광다이오드의제조시나노임프린트공정과건식식각을이용하여박막의표면에대면적의균일한표면요철을형성하여나노러프닝(nano-roughening)을유도하여광추출효율이향상된적색발광다이오드를제공하는이점이있다.
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