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公开(公告)号：WO2017069314A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/KR2015/011349
申请日：2015-10-27
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 집광형 태양광 발전 방법 및 시스템에 관한 것으로서, 상기 방법은 태양 추적 방식에 따라 태양의 황도를 계산하여 태양전지판을 조정하는 단계, 상기 태양전지판을 구성하는 하나 이상의 단위 모듈에서 태양광을 집광하는 단계,단위 모듈에 장착된 온도 센서를 이용하여, 온도 분포를 측정하는 단계 및 측정한 온도 분포 결과에 따라 하나 이상의 단위 모듈을 보정하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种集中太阳能发电的方法和系统，包括以下步骤：根据太阳追踪方法通过计算太阳的黄道来调整太阳能电池板， 使用安装在单元模块上的温度传感器测量温度分布，并根据测量的温度分布结果校正一个或多个单元模块。 / p>
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公开(公告)号：WO2019066163A1
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：PCT/KR2018/001993
申请日：2018-02-19
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G01N27/12
CPC classification number: G01N27/12
Abstract: 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 및 그 제조 방법으로, 기판에 LED 에피층을 성장시키는 단계와; 상기 LED 에피층 상에 HR(High-resistance)-GaN 층을 성장시키는 단계와; 상기 HR-GaN 층 상에 u-GaN 층 및 Al x Ga 1-x N층, In x Al 1-x N층 및 In x Al y Ga 1-x-y N층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층을 순차적으로 성장시키는 단계와; 상기 LED 에피층에 전극을 형성할 수 있도록 패터닝을 수행하는 단계와; 상기 LED 에피층에 형성된 패턴에 따라 전극을 형성시키는 단계와; 상기 Al x Ga 1-x N층, In x Al 1-x N층 및 In x Al y Ga 1-x-y N층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 검지물질층을 형성시키는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR102246867B1
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：KR1020190057824
申请日：2019-05-17
Applicant: (재)한국나노기술원 , 한세프리시젼(주)
Abstract: 본발명은, 접촉식선형센서의측정단자를측정대상물의측정대상영역에접촉시키는접촉식치수측정모듈; 측정대상물과측정단자의접촉상태를촬영한측정이미지를획득하고측정대상물에서측정대상영역의주변을촬영하는비접촉식치수측정모듈; 및접촉식치수측정모듈의전기신호로부터실제치수측정값과비접촉식치수측정모듈의측정이미지로부터예비치수측정값을구한후 비교해서, 예비치수측정값과실제치수측정값이서로다른때, 측정이미지를축적(scaling)시킨후 측정축적이미지를바탕으로측정대상영역의주변을이미지치수측정을수행하거나, 예비치수측정값과실제치수측정값이동일한때, 측정추가이미지를바탕으로측정대상영역의주변을이미지치수측정을수행하는제어부를포함한다.
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公开(公告)号：KR101876728B1
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：KR1020160183008
申请日：2016-12-29
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 제1실리콘층, 절연막과제2실리콘층이순차적으로적층된 SOI기판의제2실리콘층상부와제1실리콘층하부에제1상부보호막및 제1하부보호막을각각형성하는제1단계와, 상기제1상부보호막에캔틸레버아암의두께를조절하기위한제1패턴을형성하는제2단계와, 상기제1패턴으로상기제2실리콘층에캔틸레버아암의두께만큼제1식각영역을형성하는제3단계와, 상기제1패턴이형성된상기제1상부보호막에탐침의상부기울기를형성하기위한제2패턴을형성하는제4단계와, 상기제3단계의제1식각영역을기준으로상기절연막의상부면이노출될때까지상기제2패턴으로상기제2실리콘층을캔틸레버아암의두께만큼남도록제거함에따라상기제2패턴영역에상기캔틸레버아암영역이형성되고, 상기탐침의상부기울기를형성하는제5단계와, 상기제1상부보호막및 상기제1하부보호막을제거하고, 상기제2실리콘층상부전 영역및 상기제1실리콘층하부전 영역에제2상부보호막및 제2하부보호막을각각형성하는제6단계와, 상기제2하부보호막에상기탐침의하부기울기를형성하기위한제3패턴을형성하는제7단계와, 상기제3패턴으로상기제1실리콘층을일부제거하여상기제1실리콘층에제2식각영역을형성하는제8단계와, 상기제3패턴이형성된제2하부보호막에캔틸레버지지대를형성하기위한제4패턴을형성하는제9단계와, 상기제8단계에서의제2식각영역을기준으로상기절연막의하부면이노출될때까지상기제3패턴및 제4패턴으로상기제1실리콘층을제거하여상기캔틸레버지지대를형성하면서상기제1실리콘층을일부만을남기고제거하는제10단계와, 상기제10단계에서노출된상기절연막을제거하여제3식각영역을형성하고, 상기제3식각영역을이용하여상기제2실리콘층을탐침하부기울기를갖도록상기제1실리콘층일부와함께제거하는제11단계와, 상기제1실리콘층일부가제거되면노출된절연막과제2상부보호막및 제2하부보호막을제거하는제12단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는탐침의기울기조절이용이한원자간력현미경의캔틸레버제조방법및 이에의해제조된원자간력현미경의캔틸레버를기술적요지로한다. 이에의해탐침의기울기의조절을용이하게할 수있으며, 캔틸레버아암의선단부를기준으로바깥으로탐침이조절된각도로기울어져형성되도록하여 AFM 측정시 탐침의끝의위치를육안으로확인할수 있도록하여정확한시료정보에대한획득이가능한이점이있다.
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公开(公告)号：KR1020180078437A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：KR1020160183008
申请日：2016-12-29
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 제1실리콘층, 절연막과제2실리콘층이순차적으로적층된 SOI기판의제2실리콘층상부와제1실리콘층하부에제1상부보호막및 제1하부보호막을각각형성하는제1단계와, 상기제1상부보호막에캔틸레버아암의두께를조절하기위한제1패턴을형성하는제2단계와, 상기제1패턴으로상기제2실리콘층에캔틸레버아암의두께만큼제1식각영역을형성하는제3단계와, 상기제1패턴이형성된상기제1상부보호막에탐침의상부기울기를형성하기위한제2패턴을형성하는제4단계와, 상기제3단계의제1식각영역을기준으로상기절연막의상부면이노출될때까지상기제2패턴으로상기제2실리콘층을캔틸레버아암의두께만큼남도록제거함에따라상기제2패턴영역에상기캔틸레버아암영역이형성되고, 상기탐침의상부기울기를형성하는제5단계와, 상기제1상부보호막및 상기제1하부보호막을제거하고, 상기제2실리콘층상부전 영역및 상기제1실리콘층하부전 영역에제2상부보호막및 제2하부보호막을각각형성하는제6단계와, 상기제2하부보호막에상기탐침의하부기울기를형성하기위한제3패턴을형성하는제7단계와, 상기제3패턴으로상기제1실리콘층을일부제거하여상기제1실리콘층에제2식각영역을형성하는제8단계와, 상기제3패턴이형성된제2하부보호막에캔틸레버지지대를형성하기위한제4패턴을형성하는제9단계와, 상기제8단계에서의제2식각영역을기준으로상기절연막의하부면이노출될때까지상기제3패턴및 제4패턴으로상기제1실리콘층을제거하여상기캔틸레버지지대를형성하면서상기제1실리콘층을일부만을남기고제거하는제10단계와, 상기제10단계에서노출된상기절연막을제거하여제3식각영역을형성하고, 상기제3식각영역을이용하여상기제2실리콘층을탐침하부기울기를갖도록상기제1실리콘층일부와함께제거하는제11단계와, 상기제1실리콘층일부가제거되면노출된절연막과제2상부보호막및 제2하부보호막을제거하는제12단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는탐침의기울기조절이용이한원자간력현미경의캔틸레버제조방법및 이에의해제조된원자간력현미경의캔틸레버를기술적요지로한다. 이에의해탐침의기울기의조절을용이하게할 수있으며, 캔틸레버아암의선단부를기준으로바깥으로탐침이조절된각도로기울어져형성되도록하여 AFM 측정시 탐침의끝의위치를육안으로확인할수 있도록하여정확한시료정보에대한획득이가능한이점이있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101828293B1
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：KR1020160095038
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: C23C14/04 , C23C14/54 , C23C14/06 , C23C14/58 , H01L21/033 , H01L29/78 , G01N27/414
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제3단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법, 이를이용한센서소자의제조방법및 이에의해제조된센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.
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7.发明公开진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법, 이를 이용한 센서 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서 소자 有权通过真空沉积的混合图案形成方法，使用该方法制造传感器元件的方法以及通过该方法制造的传感器元件
公开(公告)号：KR1020180012387A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR1020160095040
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
Inventor： 박형호 , 황선용 , 이근우 , 임웅선 , 윤홍민 , 고유민 , 정해용 , 조주영 , 최재원 , 정상현 , 최영수 , 강성민 , 최원명 , 조영대 , 성호근 , 박경호 , 박원규
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/203 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/033
CPC classification number: G03F7/2022 , H01L21/02118 , H01L21/02315 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/203 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L29/0665 , H01L29/413
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여금속나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체를성장시키는제3단계와, 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에금속나노구조체를형성하여상기기재상부에금속나노구조체패턴을형성하는제4단계및 상기금속나노구조체를이용하여상기기재의일부영역을습식식각하여하이브리드패턴을형성하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한하이브리드패턴형성방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에금속나노구조체패턴을형성하고이를이용하여기재를습식식각하여기재의일부영역에하이브리드패턴을제공하고자하는것이다.
Abstract translation: 本发明提供一种使用真空沉积工艺形成金属纳米结构图案的方法，所述方法包括：第一步骤，形成暴露所述衬底的部分上表面的掩模图案层; 金属纳米第二步骤来设置真空沉积条件满足用于该结构的生长所需的金属纳米结构的最小临界半径，并在区域中的金属通过真空沉积工艺和衬底纳米的掩膜图案层上曝光 生长结构中，通过去除掩模图案层的第三步骤，第四步骤和所述金属纳米结构，以形成在所述衬底的曝光区域的金属纳米结构，以形成在衬底顶部上的金属纳米结构图案 以及第五步骤，通过使用真空气相沉积方法湿法蚀刻部分基材来形成混合图案。 而作为一个技术基础。 这种做发明是基材使用真空沉积工艺来设置真空沉积条件满足对金属纳米结构的生长所需要的金属纳米结构的最小临界半径，以形成金属纳米结构图案，以在基底顶部，并使用此 湿法蚀刻以在衬底的一部分中提供混合图案。
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公开(公告)号：KR20180012386A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR20160095039
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B3/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C23C14/02 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/58
CPC classification number: B82B3/0038 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C23C14/02 , C23C14/042 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/5806 , C23C14/5826
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재를준비하는제1단계와, 상기기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제2단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제3단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제4단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제5단계;를포함하여이루어지되, 상기제1단계의기재의표면을소수성표면처리후 상기제2단계의마스크패턴층을형성하거나, 상기제2단계의마스크패턴층을형성한후에, 상기기재상부의노출된일부영역을소수성표면처리하는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법및 이를이용한센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 在本发明中，作为利用真空沉积工艺形成纳米结构图案，准备基板的第一步骤中，形成掩模图案层的第二工序到所述衬底以暴露所述上，所述衬底的所述部分 第三步骤，设定真空沉积条件，该真空沉积条件满足在暴露区域和掩模图案层上生长纳米结构所需的纳米结构的最小临界半径; 在掩模图案层上生长纳米结构的第四步骤和除去掩模图案层并在衬底的暴露区域上形成纳米结构以在衬底上形成纳米结构图案的第五步骤 其中第二阶掩模图案层是在对第一步骤的衬底表面进行疏水表面处理之后或者在形成第二步骤的掩模图案层之后形成的， 和传感器元件的纳米结构的图案形成通过真空蒸发和通过该方法，其特征在于在与一个子区域的技术基础，疏水表面处理。 因此，通过处理完毕发明通过设置真空沉积条件满足对使用真空沉积过程中银纳米结构的生长所需要的纳米结构的最小临界半径，以形成在基板上，一个和该过程的纳米结构图案是简单的，均匀的纳米结构 可以形成在易受高温影响的柔性衬底（例如聚合物衬底）上的纳米结构图案，并且可以最小化纳米结构的形状和厚度变形， 等等。
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公开(公告)号：KR101783648B1
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：KR1020150181157
申请日：2015-12-17
Applicant: (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/107 , H01L31/02 , H01L29/66 , H01L31/09
Abstract: 본발명은, 저암전류아발란치포토다이오드로서, 증폭층의중심부에형성되는멀티플리케이션(multiplication) 영역과그 주변에형성되는비-멀티플리케이션영역을포함하는상기증폭층; 및상기증폭층상단의수광부에배치되는전극을포함하고, 상기전극은멀티플리케이션영역및 비-멀티플리케이션영역의일부를포함하도록배치되는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020170075900A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020150185329
申请日：2015-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은수평방향으로굴절률이제어된양면패턴의제조방법및 그에의해제조된양면패턴에관한것으로서, 고분자기판상에미세구조체패턴및 얼라인키(align key)가형성된제1스탬프를위치시켜열간성형하여상기고분자기판에상기제1스탬프의미세구조체패턴과역상인제1패턴을각인시키고, 얼라인키를표시하는제1단계와, 상기제1패턴이각인된고분자기판에서상기제1스탬프를분리하여, 상기고분자기판상에제1패턴을성형하는제2단계와, 상기제1패턴이형성된고분자기판상에유동성재료를도포하여, 상기제1패턴과역상인하측패턴을상기유동성재료하측면에형성하는제3단계와, 상기도포된유동성재료상에미세구조체패턴및 얼라인키(align key)가형성된제2스탬프를위치시켜가압하고, 경화공정을수행하여상기유동성재료상측면에상기제2스탬프의미세구조체패턴과역상인상측패턴을각인시키는제4단계및 상기타측패턴이각인된유동성재료에서상기제2스탬프를분리하여, 상기고분자기판상에유동성재료로이루어진양면패턴을성형하는제5단계를포함하여이루어지되, 상기제4단계는, 상기고분자기판에표시된얼라인키와상기제2스탬프의얼라인키를정렬한후 상기유동성재료상에상기제2스탬프를위치시켜상기유동성재료의수평방향으로가해지는상기제2스탬프의가압력을제어하는것을특징으로하는수평방향으로굴절률이제어된수평방향으로굴절률이제어된양면패턴의제조방법및 이에의해제조된양면패턴을그 기술적요지로한다. 이에의해본 발명은간단한공정에의해양면패턴을동시에성형할수 있고, 특히열간성형및 임프린트공정시 얼라인키를이용함으로써, 수평방향으로의굴절률이제어된양면패턴을제공할수 있으며, 이후이종의기판또는박막에용이하게전사할수 있어다양한분야에의활용이가능한이점이있다.
Abstract translation: 制造双面图案化折射率的发明方法被控制在水平方向上，从而为在由图案精细结构的聚合物衬底上产生的图案的两侧，并对准inki（对准键）是热模压通过将形成的第一压模 到聚合物基材和雕刻微结构图案和反相摄取第一压模中的一个模式，所述第一压模中显示对齐inki的第一步骤中分离，聚合物衬底，所述第一图案被雕刻， 形成聚合物衬底上形成第一图案，所述第一液体涂覆到聚合物基材1的第二步骤中，形成在材料中的图案，形成底部表面，其中所述可流动的材料在所述第一图案和所述反相切口侧图案 第三步骤和细到所施加的流体jaeryosang结构图案和对准inki（对准键）通过将所述第二时间戳的时间戳第二到流动性jaeryosang侧压力机的精细结构图案被形成，通过进行固化处理 gwayeok 通过在第四步和另一个分离第二邮票侧面图案压印流体材料冲压印模侧图案jidoe包括形成由流体材料构成的双面的图案施加到聚合物基材上的第五步骤 和所述第四步骤中，第二压模显示在聚合物基底取向的取向inki和对准的第二印模inki置于为流动性jaeryosang第二印模变成流体材料的水平方向 秋和用于产生在水平方向上的折射率的水平方向上的折射率的方法进行控制模式控制双方，其特征在于，用于控制所述压力，并因此通过作为技术基础制造的双面图案。 此完成本发明可以在同一时间通过时对准inki使用热成形和压印工艺形成通过简单的工艺成双面图案，特别是，能提供一个双面图案在控制的水平方向上的折射率，异质衬底或后 它可以很容易地转移到薄膜上，因此可以用于各种领域。
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