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公开(公告)号：CN115440557B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110609643.6
申请日：2021-06-01
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体处理装置及颗粒污染物的监测方法，其中，所述等离子体处理装置包括：反应腔，其内底部设置基座，所述基座用于承载晶圆，所述反应腔内具有颗粒污染物；第一发射器，用于向所述颗粒污染物处发射信息；第一接收器，用于接收来自于第一发射器在颗粒污染物处的散射信息以确定颗粒污染物的位置信息；第二发射器，根据所述第一接收器确定的颗粒污染物的位置信息，向颗粒污染物的位置处发射信息；第二接收器，用于接收来自于所述第二发射器在颗粒污染物处的散射信息以确定颗粒污染物的大小。所述等离子体处理装置能够对等离子体刻蚀过程中的颗粒污染情况进行实时监测。
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公开(公告)号：CN119495542A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202311028384.3
申请日：2023-08-15
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 一种半导体处理设备及其气体分配装置，气体分配装置中具有相互隔绝独立的两个气体分配通道，每个气体分配通道均采用独立的进气通道和抽气通道，每个气体分配通道均包含多个气流通道，每个气流通道中的反应气体经过气体喷淋组件分配至半导体处理设备的反应腔中。气流通道避免采用具有较大弯曲弧度的形状，有效提升了反应气体的流动速度，避免产生涡流，有利于气体迅速排净，避免气体残留，提升了工艺效率。确保不同气体分配通道之间具有可靠的物理隔离，防止反应气体提前混合产生颗粒物，提升了产品良率。气体喷淋组件中遍布微孔，确保反应气体均匀扩散至反应腔内，确保了基片制程的均匀性。
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公开(公告)号：CN119374033A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411976013.2
申请日：2024-12-31
Applicant: 南昌中微半导体设备有限公司 , 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种气体流量控制阀、气体输送装置及气体供应方法，所述气体流量控制阀，包含：第一阀体和第二阀体，第一阀体、第二阀体相对设置且互相平行，二者之间形成反应气体的气流通道；定义第一阀体、第二阀体之间的间距为气体流量控制阀的阀体开度；驱动装置，其为压电陶瓷材质，用于驱动第二阀体朝向或者远离第一阀体运动，通过调节施加在驱动装置的电压实现调节阀体开度；位置传感器，用于检测阀体开度。本发明的优点在于：能够准确检测阀体开度，提高了气体流量控制阀的控制精度和响应速度，可以实现1分多路，准确地按照目标气体流量比例向反应腔内的不同区域输送相应流量的反应气体。
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公开(公告)号：CN118248510A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211659220.6
申请日：2022-12-22
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种等离子体边缘刻蚀设备，包括等离子体处理腔室，位于所述等离子体处理腔室内且相对设置的上电极组件和下电极组件；升降装置，用于使所述上电极组件上下运动；所述上电极组件包括等离子区域定位板，其中，所述等离子区域定位板具有主体部和连接部，所述等离子区域定位板通过所述连接部与所述升降装置连接。本发明通过优化具有对准要求的等离子区域定位板与下电极组件之间的连接件，减少等离子区域定位板与下电极组件之间的尺寸链，避免尺寸链的误差累积，提高一次装配的精确度。
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公开(公告)号：CN113889391B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202010633541.3
申请日：2020-07-02
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体处理装置及其绝缘窗组件，其中，所述等离子体处理装置包括：真空反应腔，其内底部设有基座，所述基座用于承载待处理基片；顶盖，位于所述真空反应腔的顶部，所述顶盖具有若干个贯穿顶盖的开口；绝缘窗槽，位于所述开口内，其底部向真空反应腔内凸出，所述绝缘窗槽内具有气体输送管道，所述气体输送管道通过绝缘窗槽的底部向真空反应腔内输送反应气体；线圈，位于所述绝缘窗槽内；射频功率源，通过匹配器与线圈连接。所述等离子体处理装置中等离子体的浓度分布可调，且能够防止线圈的温度过高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112786422B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201911089041.1
申请日：2019-11-08
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种聚焦环、等离子体处理器及方法，等离子体处理器包含一反应腔，反应腔内设置一静电吸盘，用于支撑基片，所述聚焦环环绕设置在所述静电吸盘的外围，通过热交换以实现温度可调的聚焦环包括位于基片下方的内侧区域和环绕内侧区域的外侧区域，内侧区域上方设置一热传导部件，当基片被静电吸盘吸附时，基片的背面与热传导部件相接触。本发明通过在聚焦环内或聚焦环与插入环之间或插入环内部或其他相应位置开设冷却通道，供冷却液流动用以对聚焦环进行降温，同时还在基片和聚焦环之间设置热传导部件，通过热传导以增强聚焦环和基片之间的导热效率，提高基片边缘的刻蚀率，进而提高基片的刻蚀率均匀性。
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公开(公告)号：CN116337320A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202111599495.0
申请日：2021-12-24
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜真空计、等离子体处理设备及测量反应腔真空度的方法，所述薄膜真空计应用于等离子体处理设备中等离子体处理设备包括反应腔；包括：由外壳围成的空腔，空腔中设置有测量压力的薄膜；与空腔连通的气体通路，气体通路可以与反应腔气密连通；反应腔内部的气体通过气体通路进入空腔，用于测量所述反应腔内的气压；气体通路吸收从其内通过的气体中的氟离子，防止薄膜真空计中的膜片变性，保证了薄膜真空计零点的稳定性，及提高了反应腔内真空度测量的准确度。
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公开(公告)号：CN111383886B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201811611363.3
申请日：2018-12-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种防刻蚀气体供应管道腐蚀的系统及等离子反应器运行方法，该运行方法包括以下步骤：当打开刻蚀反应腔体的顶盖时，打开所述可控阀门，向与所述刻蚀反应腔体相连通的气体供应装置内通入惰性气体，以防止空气中的水汽进入刻蚀气体供应管道；在关闭所述刻蚀反应腔体的顶盖进行等离子刻蚀时，关闭所述可控阀门，使得刻蚀气体通入所述气体供应装置。本发明可以有效防止空气中的水汽进入刻蚀气体供应管道，进而从根本上避免了水汽遇到腐蚀性气体后腐蚀刻蚀气体供应管道的问题，从而确保基片不会出线因供应管道腐蚀而导致的金属污染。
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公开(公告)号：CN114582693A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011380087.1
申请日：2020-11-30
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置及其末端执行器、边缘环及方法。所述等离子体处理装置的反应腔内设有用来承载晶圆的基座；环绕基座外侧设置的边缘环，设有容纳部用来与末端执行器相配合；所述末端执行器包括运载晶圆的晶圆承载部和运载所述边缘环的边缘环承载部；所述末端执行器穿过反应腔腔壁的开口进出所述反应腔。本发明中所述等离子体处理装置的末端执行器能够同时运载晶圆和边缘环进出反应腔，也能够单独运载晶圆进出反应腔进行传片，或单独运载边缘环进出反应腔进行边缘环更换。本发明实现了在不打开反应腔的情况下更换边缘环，显著地提高了设备工作效率，节省了大量的人力和时间，有效地降低了设备的使用成本。
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公开(公告)号：CN114530361A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011321713.X
申请日：2020-11-23
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种下电极组件、等离子体处理装置和更换聚焦环的方法，其中，所述下电极组件包括：基座，用于承载待处理基片；聚焦环，环绕于所述基座的外围；遮盖环，设于所述聚焦环下方，沿其周向设有若干个凹槽；移动块，设于所述凹槽内，其内侧顶角设有台阶，所述台阶用于支撑部分聚焦环；驱动装置，与所述移动块连接，用于驱动所述移动块带动聚焦环上下移动。利用所述下电极组件更换聚焦环时无需打开反应腔就能够实现更换。
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