公开(公告)号：CN117581289A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202280046663.X

申请日：2022-06-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 上妻宗广 ,  大贯达也 ,  小林英智 ,  松嵜隆德 ,  冈本佑树 ,  伊藤港 ,  幸村雄介 ,  黑川义元 ,  池田寿雄 ,  乡户宏充

IPC: G09G3/3233

Abstract: 提供一种新颖电子设备。该电子设备包括显示装置、运算部以及视线检测部，显示装置包括功能电路及被分割为多个副显示部的显示部。视线检测部具有检测用户的视线的功能。运算部具有利用视线检测部的检测结果将多个副显示部的每一个分配为第一区域或第二区域的功能。第一区域具有与注视点重叠的区。功能电路具有使第二区域的驱动频率低于第一区域的驱动频率的功能。

公开(公告)号：CN117377999A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202280037156.X

申请日：2022-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 上妻宗广 ,  大贯达也 ,  松崎隆德 ,  伊藤港

IPC: G09G3/3275

Abstract: 本发明的一个方式提供一种具有冗余性的半导体装置。半导体装置包括第一驱动电路、第二驱动电路、第一选择电路、第二选择电路及切换电路，第一驱动电路的输出端子与第一选择电路的输入端子及切换电路的第一端子电连接，第二驱动电路的输出端子与第二选择电路的输入端子及切换电路的第二端子电连接。

公开(公告)号：CN113950740A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202080038462.6

申请日：2020-05-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤港 ,  国武宽司 ,  池田隆之

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供作为中继基地的功能而实现小型化的半导体装置。该半导体装置包括运算放大器、与运算放大器的第一输入一侧电连接的第一晶体管和第一电容器，还包括与第二输入一侧电连接的第一电阻器和第二电阻器，第二电阻器与运算放大器的输出一侧电连接，第一晶体管的栅极与第一电源电连接，第一电阻器与第二电源电连接，至少有运算放大器包括的晶体管具有与第一晶体管重叠的区域。

公开(公告)号：CN113169382A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980077100.5

申请日：2019-11-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高橋圭 ,  冈本佑树 ,  伊藤港 ,  石津贵彦 ,  井上广树 ,  山崎舜平

IPC: H01M10/42 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H02J7/00

Abstract: 提供一种功耗低的半导体装置。该半导体装置包括节点ND1、节点ND2、电阻器、电容器及比较电路，电阻器在二次电池的正极及负极中的一个与第一端子之间以串联连接的方式电连接。电阻器具有将流过二次电池的正极及负极中的一个与第一端子之间的电流转换为第一电压的功能。第一电压通过电容器加入节点ND2的电压。比较电路具有比较节点ND1的电压与节点ND2的电压的功能。当节点ND2的电压大于节点ND1的电压时，比较电路输出通知检测出过电流的信号。

公开(公告)号：CN112889138A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201980068258.6

申请日：2019-10-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥圭 ,  冈本佑树 ,  石津贵彦 ,  伊藤港

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H03K19/0185 ,  H03K19/0944

Abstract: 提供一种能够使用n沟道型晶体管向负电位方向进行电平转换的半导体装置。半导体装置包括第一源极跟随器、第二源极跟随器及比较器。第一源极跟随器被供应第二高电源电位及低电源电位，第二源极跟随器被供应第一高电源电位及低电源电位，第一源极跟随器被输入使用第二高电源电位及第一高电源电位表示高电平或低电平的数字信号。在此，第二高电源电位比第一高电源电位高，第一高电源电位比低电源电位高。比较器对第一源极跟随器与第二源极跟随器的输出电位进行比较并输出使用第一高电源电位及低电源电位表示高电平或低电平的数字信号。