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公开(公告)号：CN108257945B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201711461536.3
申请日：2017-12-28
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/64 , H01L23/498
Abstract: 一种改进了可靠性的半导体器件。该半导体器件包括：布线衬底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；芯片电容器，置于布线衬底中，具有第一电极和第二电极；第一端子和第二端子，设置在第一表面上；以及第三端子，设置在第二表面上。该半导体器件还包括：第一传导路径，用于耦合第一端子和第三端子；第二传导路径，用于耦合第一端子和第一电极；第三传导路径，用于耦合第三端子和第一电极；以及第四传导路径，用于耦合第二端子和第一电极。
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公开(公告)号：CN106233461B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201480078258.1
申请日：2014-04-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 半导体装置包括：配线基板，具有多个配线层；半导体芯片，搭载于所述配线基板，并具有多个电极；以及第一电容器，搭载于所述配线基板，并具有第一电极和第二电极。另外，所述多个配线层具备第一配线层，该第一配线层具有与所述第一电容器的所述第一电极电连接的第一端子焊盘和与所述第一电容器的所述第二电极电连接的第二端子焊盘。另外，所述多个配线层具备第二配线层，该第二配线层相比所述第一配线层位于所述配线基板的靠内侧一层，具有面积大于所述第一端子焊盘和所述第二端子焊盘的第一导体图案。另外，在所述第二配线层中，所述第一导体图案具有形成于与所述第一端子焊盘和所述第二端子焊盘各自重叠的区域的开口部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106233461A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201480078258.1
申请日：2014-04-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L21/56 , H01L22/14 , H01L23/3128 , H01L23/367 , H01L23/3675 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L25/00 , H01L25/50 , H01L2223/6611 , H01L2223/6616 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H05K1/0225 , H05K1/0231 , H05K1/0253 , H05K3/46 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置包括：配线基板，具有多个配线层；半导体芯片，搭载于所述配线基板，并具有多个电极；以及第一电容器，搭载于所述配线基板，并具有第一电极和第二电极。另外，所述多个配线层具备第一配线层，该第一配线层具有与所述第一电容器的所述第一电极电连接的第一端子焊盘和与所述第一电容器的所述第二电极电连接的第二端子焊盘。另外，所述多个配线层具备第二配线层，该第二配线层相比所述第一配线层位于所述配线基板的靠内侧一层，具有面积大于所述第一端子焊盘和所述第二端子焊盘的第一导体图案。另外，在所述第二配线层中，所述第一导体图案具有形成于与所述第一端子焊盘和所述第二端子焊盘各自重叠的区域的开口部。
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公开(公告)号：CN103443915B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180069392.1
申请日：2011-03-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L21/60 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/291 , H01L23/3135 , H01L23/3142 , H01L23/3171 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/1134 , H01L2224/13007 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13075 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/14136 , H01L2224/14155 , H01L2224/14177 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种能够提高半导体器件的可靠性的技术。在本发明中，作为搭载半导体芯片的布线基板，不使用层积式基板而使用贯通基板(THWB)。由此，在本发明中，通过使用仅由芯层构成的贯通基板，不再需要考虑层积层和芯层的热膨胀系数的不同，而且，因为不存在层积层，所以也不需要考虑形成于层积层的细小过孔的电切断。其结果为，根据本发明，能够实现成本降低，同时还能够实现半导体器件的可靠性提高。
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公开(公告)号：CN105593986A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201380079870.6
申请日：2013-09-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/3142 , H01L23/49805 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L23/50 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05572 , H01L2224/11 , H01L2224/1134 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13012 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13076 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16055 , H01L2224/16105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/1713 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48235 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81 , H01L2224/81191 , H01L2224/81385 , H01L2224/814 , H01L2224/81815 , H01L2224/83 , H01L2224/83104 , H01L2224/85 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/05442 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/181 , H01L2924/186 , H01L2924/2064 , H01L2924/351 , H05K3/284 , H05K3/3436 , H05K2201/068 , H05K2201/09427 , H05K2201/10704 , H05K2201/10977 , H05K2203/0465 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2224/45099 , H01L2924/207
Abstract: 一种实施方式的半导体装置(SP1)，在配线基板2的基材层(2CR)与半导体芯片(3)之间层叠有与基材层紧贴的阻焊膜(第1绝缘层、SR1)以及与阻焊膜和半导体芯片紧贴的树脂体(第2绝缘层、4)。另外，阻焊膜的线膨胀系数在基材层的线膨胀系数以上，阻焊膜的线膨胀系数在树脂体的线膨胀系数以下，并且基材层的线膨胀系数小于树脂体的线膨胀系数。通过上述结构，能够抑制由温度循环负荷引起的半导体装置的损伤，提高可靠性。
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公开(公告)号：CN103443915A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201180069392.1
申请日：2011-03-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L21/60 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/291 , H01L23/3135 , H01L23/3142 , H01L23/3171 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/1134 , H01L2224/13007 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13075 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/14136 , H01L2224/14155 , H01L2224/14177 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种能够提高半导体器件的可靠性的技术。在本发明中，作为搭载半导体芯片的布线基板，不使用层积式基板而使用贯通基板(THWB)。由此，在本发明中，通过使用仅由芯层构成的贯通基板，不再需要考虑层积层和芯层的热膨胀系数的不同，而且，因为不存在层积层，所以也不需要考虑形成于层积层的细小过孔的电切断。其结果为，根据本发明，能够实现成本降低，同时还能够实现半导体器件的可靠性提高。
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公开(公告)号：CN101996902A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010229575.2
申请日：2010-07-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H05K3/3484 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/75743 , H01L2224/81009 , H01L2224/81011 , H01L2224/8102 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/8191 , H01L2224/83907 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/16195 , H01L2924/351 , H05K3/4007 , H05K2201/10674 , H05K2203/0415 , H05K2203/043 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造方法。其目的在于：提高倒装连接型半导体器件的可靠性。在倒装连接型BGA的组装过程中，在利用倒装连接对半导体芯片(1)进行焊接连接时，通过在布线基板(2)下表面(2b)一侧的焊盘(2j)的表面形成焊接预涂层(3)，焊盘(2j)就与作为外部端子的焊球成为焊接连接，因此，能够提高焊盘(2j)与所述焊球的连接部的耐冲击性，从而可提高所述BGA的可靠性。
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