公开(公告)号：KR1019930020596A

公开(公告)日：1993-10-20

申请号：KR1019930003225

申请日：1993-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 요코미조겐지 ,  다나카오사무 ,  모쿠오쇼오리

IPC: H01L21/304

Abstract: 복수의 웨이퍼를 세정하는 세정장치에 사용되는 처리조이다. 처리조는, 세정액공급원과, 순환펌프와, 필터와, 입구를 바닥부에 가지는 주조와, 복수의 웨이퍼를 주조의 중앙영역에 유지하는 보우트와, 입구와 기판의 사이에 형성된 정류어셈블리를 구비하고 있다. 정류어셈블리는, 상기 입구로부터의 세정액을 수평방향으로 분산시키는 분산판과, 입구로 부터 유입된 세정액을 실질적으로 층류로 하고, 층류화한 세정액을 주조의 중앙영역으로 유도하는 유도유로를 가진다. 유도유로는, 분산판 및 측면판의 상호간극, 또는 분산판의 다수의 구멍에 의하여 형성된다. 이와같은 유도유로에 의하여 웨이퍼의 상호간 공간에 세정액의 대부분을 저극적으로 통하여 흐르게 한다. 또한, 정류어셈블리는, 웨이퍼의 주변 영역에 흐르는 세정액의 양을 억제하기위한 유량억제부를 가진다.

公开(公告)号：KR101107415B1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：KR1020097006957

申请日：2007-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미조타쇼고 ,  데루오미미나미 ,  요코미조겐지 ,  마사키다이라

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  Y10S134/902

Abstract: 웨이퍼(W)로부터 막(66) 제거 시에, 처리액 순환 시스템(73, 73')에 배출되는 막 파편량(66a)을 저감시켜, 필터(80) 세척 또는 필터(80) 교체의 빈도를 줄이기 위한 방법이 제공된다. 이 방법은, 기판 처리 시스템(1)의 공정 챔버(46) 내에서 막(66)이 위에 형성되어 있는 웨이퍼(W)를 처리액(64)에 노출시키는 것을 포함하고, 이 경우 웨이퍼(W)는 제1 속도(608a, 908a, 1208a)로 회전하거나 회전하지 않으며, 처리액(64)은 공정 챔버(46)로부터 처리액 순환 시스템(73)에 배출된다. 후속하여, 처리액(64, 64a, 64b)에의 웨이퍼(W)의 노출을 중지하고, 제1 속도(608a, 908a, 1208a)보다 고속인 제2 속도(608b, 908b, 1208b)에서 웨이퍼(W)를 회전시켜 그 웨이퍼(W)로부터 원심력에 의해 막(66)의 파편(66a)을 제거한다. 다음에, 웨이퍼(W)를 같거나 상이한 처리액(64, 64a, 64b)에 노출시키고, 그 처리액(64, 64a, 64b)은 공정 챔버(46)로부터 처리액 배액관(78)에 배출된다.

公开(公告)号：KR1020000035155A

公开(公告)日：2000-06-26

申请号：KR1019990048110

申请日：1999-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요코미조겐지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67057 ,  H01L21/67051 ,  Y10S134/902

Abstract: PURPOSE: A substrate rinsing processor apparatus is provided to prevent particles from being attached again and to remove the dust of remaining processing solution at a surface of a processed substrate by re-rinsing. CONSTITUTION: A substrate rinsing processor apparatus comprises a first container(22a), a second container(22b), and a third container(22c). The first container(22a) contains a processing tank(21) which preserves a processing solution, and the second container(22b) contains a rinsing tank(21A) which preserves rinsing solution. The first container(22a) is disposed adjacent to the second container(22b). The third container(22c) contains a chuck rinsing part(16a), and is disposed adjacent to the first container(22a). Air between the first to third containers(22a-22c) and a filter unit is separated from an external wall of the substrate rinsing processor apparatus.

Abstract translation: 目的：提供一种基板漂洗处理装置，以防止再次附着颗粒，并通过再冲洗去除处理基板表面的剩余处理液的灰尘。 构成：衬底冲洗处理装置包括第一容器（22a），第二容器（22b）和第三容器（22c）。 第一容器（22a）包含保存处理溶液的处理罐（21），第二容器（22b）包含保存漂洗溶液的漂洗槽（21A）。 第一容器（22a）设置成与第二容器（22b）相邻。 第三容器（22c）包含卡盘清洗部（16a），并且与第一容器（22a）相邻配置。 在第一至第三容器（22a-22c）和过滤器单元之间的空气与衬底漂洗处理器设备的外壁分离。

公开(公告)号：KR100239942B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019960000944

申请日：1996-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도나오키 ,  요코미조겐지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67057 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67781 ,  Y10S134/902 ,  Y10S414/137

Abstract: 기판세정장치는, 여러개의 웨이퍼가 수용되는 처리조와, 이 처리조내에 세정액을 공곱하는 세정액 공급원과, 처리조로부터 흘러넘친 세정액을 다시 처리조내에 되돌리는 제1유로와, 헹굼액을 공급하는 헹굼액 공급원과, 헹굼액이 흘러 통과되는 제2유로와, 제1및 제2유로의 각각에 연통함과 동시에 처리조의 저부에도 연통하는 공용유로와, 제1유로에 설치된 제1밸브와, 제2유로에 설치된 제2밸브와, 제1유로로부터 분기하여 세정액을 배출하는 배출유로와, 이 배출유로에 설치된 제3밸브와, 제1, 제2 및 제3밸브의 각 동작을제어하는 제어부를 구비하고 있으며, 상기 제1밸브는, 제1유로를 개폐하는 제1밸브체와, 제1유로와 병렬로 설치되고 제1유로보다도 작은 직경의 제3유로와, 이 제3유로를 개폐하는 제2밸브체를 갖고 있으며, 제1밸브체를 개방하고 제2� �브체를 폐쇄하고 또한 제3밸브도 폐쇄함에 의해 세정액을 처리조내에 유입시키는 한편, 제1밸브의 제1밸브체를 폐쇄하고 제2밸브체를 개방하고 또한 제3밸브도 개방함에 의해 헹굼액을 처리조내에 유입시킴과 동시에 제1, 제3유로내에 체류하는 세정액을 헹굼액과 함께 배출유로를 통하여 배출한다.

公开(公告)号：KR1020090064430A

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：KR1020097006957

申请日：2007-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미조타쇼고 ,  데루오미미나미 ,  요코미조겐지 ,  마사키다이라

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  Y10S134/902

Abstract: A method is provided for reducing the amount of film fragments (66a) discharged into a processing liquid circulation system (73, 73') during removal of films (66) from wafers (W), thereby reducing the frequency of filter (80) cleaning or filter (80) replacement. The method includes exposing a wafer (W) containing a film (66) formed thereon in a process chamber (46) of a substrate processing system (1) to a processing liquid (64), where the wafer (W) is not rotated or is rotated at a first speed (608a, 908a, 1208a) and the processing liquid (64) is discharged from the process chamber (46) to a processing liquid circulation system (73). Subsequently, exposure of the wafer (W) to the processing liquid (64, 64a, 64b) is discontinued and the wafer (W) is rotated at a second speed (608b, 908b, 1208b) greater than the first speed (608a, 908a, 1208a) to centrifugally remove fragments (66a) of the film (66) from the wafer (W). Next, the wafer (W) is exposed to the same or a different processing liquid (64, 64a, 64b) and the processing liquid (64, 64a, 64b) is discharged from the process chamber (46) to a processing liquid drain (78).

Abstract translation: 提供一种用于减少在从晶片（W）移除薄膜（66）期间排出到处理液体循环系统（73,73'）中的薄膜碎片（66a）的量的方法，从而降低过滤器（80）清洁的频率 或过滤器（80）更换。 该方法包括将其上形成的膜（66）的晶片（W）暴露在基板处理系统（1）的处理室（46）中的处理液体（64）中，其中晶片（W）不旋转或 以第一速度（608a，908a，1208a）旋转，并且处理液体（64）从处理室（46）排出到处理液循环系统（73）。 随后，将晶片（W）暴露于处理液（64,64a，64b）中断，晶片（W）以比第一速度（608a，908a）大的第二速度（608b，908b，1208b）旋转 ，1208a）从晶片（W）离心去除膜（66）的碎片（66a）。 接下来，将晶片（W）暴露于相同或不同的处理液（64,64a，64b），处理液（64,64a，64b）从处理室（46）排出到处理液排出口 78）。

公开(公告)号：KR100543363B1

公开(公告)日：2006-01-20

申请号：KR1019990048110

申请日：1999-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요코미조겐지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67057 ,  H01L21/67051 ,  Y10S134/902

Abstract: 반도체웨이퍼(W)를 수직상태로 하여 처리액과 세정액에 침지하여 세정처리하는 기판세정처리방법에 있어서, 처리액에서의 처리가 끝난 반도체웨이퍼(W)를 오버플로우하는 순수(L)에 침지할 때, 순수(L)의 액면과 반도체웨이퍼(W)의 하부를 접촉시켜 일단 정지한다. 이에 따라 반도체웨이퍼(W)의 하부에 잔류하는 처리액에 포함되는 파티클을, 오버플로우의 흐름에 따라 확산하고, 제거할 수 있음과 동시에, 다시 침지할 때에 반도체웨이퍼(W) 상에 파티클이 재부착하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 제품 생산수율의 향상이 도모된다.

公开(公告)号：KR1019960030342A

公开(公告)日：1996-08-17

申请号：KR1019960000944

申请日：1996-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도나오키 ,  요코미조겐지

IPC: H01L21/304

Abstract: 기판세정장치는, 여러개의 웨이퍼가 수용되는 처리조와, 이 처리조내에 세정액을 공급하는 세정액 공급원과, 처리조로부터 흘러넘친 세정액을 다시 처리조내에 되돌리는 제1유로와, 헹굼액을 공급하는 헹굼액 공급원과, 헹굼액이 흘러 통과되는 제2유로와, 제1 및 제2유로의 각각에 연통함과 동시에 처리조의 저부에도 연통하는 공용유로와, 제1유로에 설치된 제1밸브와, 제2유로에 설치된 제2밸브와, 제1유로로부터 분기하여 세정액을 배출하는 배출유로와, 이 배출유로에 설치된 제3밸브와, 제1, 제2 및 제3밸브의 각 동작을 제어하는 제어부를 구비하고 있으며,상기 제1밸브는, 제1유로를 개폐하는 제1밸브체와, 제1유로와 병렬로 설치되고 제1유로보다도 작은 직경의 제3유로와, 이 제3유로를 개폐하는 제2밸브체를 갖고 있으며, 제1밸브체를 개방하고 제2 브체를 폐쇄하고 또한 제3밸브로 폐쇄함에 의해 세정액을 처리조내에 유입시키는 한편, 제1밸브의 제1밸브체를 폐쇄하고 제2밸브체를 개방하고 또한 제3밸브도 개방함에 의해 헹굼액을 처리조내에 유입시킴과 동시에 제1 제3 유로내에 체류하는 세정액을 헹굼액과 함께 배출유로를 통하여 배출한다.