기화 장치, 기판 처리 장치, 도포 현상 장치 및 기판 처리 방법
    12.
    发明公开
    기화 장치, 기판 처리 장치, 도포 현상 장치 및 기판 처리 방법 无效
    蒸发装置,基板处理装置,涂装和开发装置以及基板处理方法

    公开(公告)号:KR1020120014105A

    公开(公告)日:2012-02-16

    申请号:KR1020110077681

    申请日:2011-08-04

    Abstract: PURPOSE: A vaporization apparatus, a substrate processing apparatus, a coating/developing apparatus, and a substrate processing method are provided to easily detect a supplied processing gas on a substrate in which the processing gas is acquired by vaporizing liquid chemicals. CONSTITUTION: A container(11) is comprised of a container main body(11b) and a ceiling plate(11a). A heating plate(12) is arranged within the container. A heater(12h) which surrounds an HMDS(Hexa Methyl Disilazane) supply tube(14) is included in the heating plate. A vaporization plate(13) is loaded on the heating plate. A controller(19) is connected to a sensor(15), a flux controller(17b), a temperature controller(16a), and a power supply part(16b).

    Abstract translation: 目的:提供蒸发装置,基板处理装置,涂布/显影装置和基板处理方法,以容易地检测在通过汽化液体化学品获得处理气体的基板上提供的处理气体。 构成:容器(11)由容器主体(11b)和顶板(11a)构成。 加热板(12)布置在容器内。 围绕HMDS(六甲基二硅氮烷)供给管(14)的加热器(12h)包括在加热板中。 蒸发板(13)装载在加热板上。 控制器(19)连接到传感器(15),磁通控制器(17b),温度控制器(16a)和电源部分(16b)。

    소수화 처리 방법 및 소수화 처리 장치
    13.
    发明授权
    소수화 처리 방법 및 소수화 처리 장치 有权
    疏水转化处理方法和疏水转化处理装置

    公开(公告)号:KR101692082B1

    公开(公告)日:2017-01-02

    申请号:KR1020110029148

    申请日:2011-03-31

    Abstract: 본발명의과제는안정적이고높은소수성을확보할수 있는소수화처리방법및 소수화처리장치를제공하는것이다. 처리용기내에서, 웨이퍼(W)에 HMDS 가스를공급하고, 상기웨이퍼의표면에 -O(CH)로이루어지는소수기를생성하는소수화처리에있어서, 상기소수화를촉진시키는반응촉진제로서수증기를웨이퍼(W)에공급하는공정과, 상기처리용기내로반입된웨이퍼(W)를가열하는공정과, 가열된웨이퍼(W)의표면에상기수증기가흡착되어있는상태에서, 당해웨이퍼(W)의표면에상기 HMD 가스를공급하는공정을실시한다. 상기수증기에의해, HMDS 소수화처리가스의규소와, 기판표면의산소의반응이촉진되어, 안정적이고높은소수성이얻어진다.

    Abstract translation: 要解决的问题:提供疏水性处理方法和能够稳定地确保高疏水性的疏水性处理装置。解决方案:在用于在处理容器中供给晶片W与HMDS气体进行疏水处理以产生疏水基团,包括 -O(CH),晶片W供给蒸汽作为加速疏水化的反应促进剂的工序,加工在处理容器中的晶片W的加工过程以及供给HMD的工序 执行在加热的晶片W的表面上吸附蒸汽的状态下的晶片W的表面的气体。 蒸汽加速HMDS疏水性处理气体中的硅与基材表面上的氧之间的反应,从而稳定地实现高疏水性。

    전극 제조 장치, 전극 제조 방법 및 컴퓨터 기억 매체
    14.
    发明公开
    전극 제조 장치, 전극 제조 방법 및 컴퓨터 기억 매체 无效
    电极生产设备和电极生产方法和计算机存储介质

    公开(公告)号:KR1020120082367A

    公开(公告)日:2012-07-23

    申请号:KR1020120003948

    申请日:2012-01-12

    Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for manufacturing an electrode and a computer storage medium are provided to control a film thickness of an active material mixture by controlling a distance between a surface of a corresponding roller and the surface of a metal thin film. CONSTITUTION: A unwind roll unwinds a strip-shaped metal film. A coating part applies an active material mixture on both sides of the metal film. A drying part(12) forms the active material layer by drying the active material mixture on the metal film. A winding roll winds the metal film. The drying part comprises a plurality of road heaters(30) irradiating infrared rays, a plurality of reflectors(31) reflecting the infrared rays from the road heater, an air supply outlet(32) supplying air to a dry region between the metal film and the reflector, and an exhaust pipe(33) exhausting the air within the dry region.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造电极和计算机存储介质的装置和方法,以通过控制相应辊的表面和金属薄膜的表面之间的距离来控制活性材料混合物的膜厚度。 构成:展开卷展开带状金属薄膜。 涂层部分在金属膜的两面上施加活性物质混合物。 干燥部件(12)通过干燥金属膜上的活性物质混合物形成活性物质层。 卷绕卷绕金属膜。 干燥部包括照射红外线的多个道路加热器(30),反射来自道路加热器的红外线的多个反射器(31),将空气供给到金属膜与金属膜之间的干燥区域的供气口 反射器和排出管(33),排出干燥区域内的空气。

    도포, 현상 장치 및 도포, 현상 방법
    16.
    发明公开
    도포, 현상 장치 및 도포, 현상 방법 有权
    基板清洁装置,基板清洁方法和存储介质

    公开(公告)号:KR1020090098711A

    公开(公告)日:2009-09-17

    申请号:KR1020090021086

    申请日:2009-03-12

    CPC classification number: H01L21/67046 G03F7/16 G03F7/30

    Abstract: A substrate cleaning apparatus, a substrate cleaning method, and a memory media are provided to clean a cleaning member at a short time by cleaning a brush part through rotation of the cleaning member and a brush cleaning body. A substrate is horizontally rotated by a rotation maintenance unit. While a cleaning solution is supplied to a rear surface of the substrate, the rear surface of the substrate is cleaned by contacting a brush part(5) of a cleaning member(50). A glass substrate(6) is installed in an under cup(43) of a box shape in which a top surface is opened. A moving unit moves the cleaning member between a region for cleaning the substrate and a region in which the brush part is cleaned. A cleaning solution supply unit supplies the cleaning solution between a bottom surface of the brush cleaning body and the brush part. The number of rotations of the brush part is more than 200rpm.

    Abstract translation: 提供基板清洗装置,基板清洁方法和存储介质,以通过清洁部件和刷子清洁体的旋转来清洁刷子部分来在短时间内清洁清洁部件。 基板由旋转维护单元水平旋转。 当将清洁溶液供应到基板的后表面时,通过接触清洁部件(50)的刷部(5)来清洁基板的后表面。 玻璃基板(6)安装在其顶部表面打开的盒形的底杯(43)内。 移动单元将清洁构件移动到用于清洁基板的区域和清洁刷子部分的区域之间。 清洁溶液供应单元将清洁溶液提供在刷清洁体的底表面和刷部分之间。 电刷部分的转数大于200rpm。

    도포 처리 장치, 도포 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한기억 매체
    17.
    发明公开
    도포 처리 장치, 도포 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한기억 매체 失效
    涂层处理设备,涂层处理方法和计算机可读存储介质

    公开(公告)号:KR1020070018693A

    公开(公告)日:2007-02-14

    申请号:KR1020060074447

    申请日:2006-08-08

    CPC classification number: G03F7/16 G03F7/70491 G03F7/70608 H01L21/6715

    Abstract: 본 발명의 과제는 불필요한 레지스트액의 소비를 최대한 억제하고, 또한 처리량을 저하시키지 않고, 인라인에서 레지스트액의 점도 조정을 행할 수 있는 도포 처리 장치를 제공하는 것이다.
    레지스트 도포 장치(CT)(23a)는 고농도 도포액과 용제를 혼합하여 소정 농도로 희석된 희석 도포액으로 하는 혼합부(70)와, 희석 도포액을 토출하여 기판에 도포막을 형성하는 도포액 토출 기구(14)와, 희석 도포액을 취입하여 모니터 도포를 행하는 모니터 도포 기구(79)와, 모니터 도포한 도포막의 막 두께를 측정하는 막 두께 측정 장치(85)와, 모니터 도포 기구(79)에 의해 모니터된 파라미터를 기초로 하여 고농도 도포액과 용제의 혼합 비율이 소정의 범위인지 여부를 판단하고, 상기 혼합 비율이 소정의 범위가 아니라고 판단한 경우에는 고농도 도포액과 용제의 혼합 비율을 조정하는 제어 기구(90, 92)를 구비한다.
    레지스트 도포 처리 장치, 도포액 토출 기구, 모니터 도포 기구, 제어 기구, 막 두께 측정 기구

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