公开(公告)号：KR1020090080019A

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：KR1020090003552

申请日：2009-01-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  노데라노부따께 ,  마쯔나가마사노부 ,  사또오쥰 ,  주파오화

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542

Abstract: A film formation method and a film formation apparatus for semiconductor processing are provided to improve characteristics of a device by controlling accurately elements of a silicon nitride layer. A film forming apparatus(2) includes a processing receptacle(4), a supporting member, a heater(86), an exhaust system(GE), a first processing gas supply system(30), a second processing gas supply system(28), an excitation unit, and a control unit(60). The processing receptacle has a processing area for receiving a processing target substrate. The supporting member supports the processing target substrate in the processing area. The heater heats the processing substrate within the processing area. The exhaust system exhausts the processing area. The first processing gas supply system supplies a first processing gas including a silane-based gas to the processing area. The second processing gas supply system supplies a second processing gas including a nitrous gas to the processing area. The excitation unit performs an excitation operation while the second processing gas supply system supplies the second processing gas to the processing area. The controller controls operations of the film forming apparatus.

Abstract translation: 提供一种用于半导体处理的成膜方法和成膜装置，以便精确地控制氮化硅层的元素来改善器件的特性。 成膜装置（2）包括处理容器（4），支撑构件，加热器（86），排气系统（GE），第一处理气体供应系统（30），第二处理气体供应系统 ），励磁单元和控制单元（60）。 处理容器具有用于接收处理目标衬底的处理区域。 支撑构件在处理区域中支撑处理目标基板。 加热器加热处理区域内的处理基板。 排气系统排出加工区域。 第一处理气体供给系统向处理区域提供包含硅烷类气体的第一处理气体。 第二处理气体供给系统向处理区域供给包含有氮气的第二处理气体。 励磁单元在第二处理气体供给系统向处理区域供给第二处理气体的同时进行励磁运转。 控制器控制成膜装置的操作。

公开(公告)号：KR1020080001646A

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：KR1020070064148

申请日：2007-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  하세베가즈히데 ,  야마모또가즈야

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  Y10S438/905

Abstract: A film forming apparatus is provided to suppress contamination of particles in forming a silicon nitride layer or a silicon oxynitride layer by forcibly exhausting the byproducts separated from the inner surface of a reaction chamber. A layer selected from a group composed of a silicon nitride layer or a silicon oxynitride layer is formed on a substrate to be processed in a reaction chamber of a film forming apparatus. The substrate to be processed is unloaded from the reaction chamber. While the inner surface of the reaction chamber is heated to a post-process temperature, post-process gas for nitridization is supplied to the inside of the reaction chamber to perform nitridization of a byproduct layer attached to the inner surface of the reaction chamber. The inner surface of the reaction chamber is cooled rapidly from the post-process temperature to crack the byproduct layer after the nitridization by using thermal stress while the byproduct layer is separated from the inner surface of the reaction chamber. The inside of the reaction chamber is forcibly exhausted so that the byproduct layer separated from the inner surface is loaded into an air current to be exhausted from the reaction chamber. The post-process gas includes gas selected from a group composed of ammonia and nitride oxide.

Abstract translation: 提供一种成膜装置，通过强制地排出从反应室的内表面分离的副产物来抑制形成氮化硅层或氧氮化硅层时的颗粒的污染。 在成膜装置的反应室内的被处理基板上形成从由氮化硅层或氮氧化硅层构成的组中选择的层。 待处理的基材从反应室中卸载。 当反应室的内表面被加热到后处理​​温度时，用于氮化的后处理气体被供应到反应室的内部，以对连接到反应室的内表面的副产物层进行氮化。 反应室的内表面从后处理温度迅速冷却，通过使用热应力在氮化后裂解副产物层，同时副反应室与反应室的内表面分离。 反应室的内部被强制排空，使得从内表面分离的副产物层被加载到从反应室排出的空气流中。 后处理气体包括选自由氨和氮氧化物组成的组的气体。

公开(公告)号：KR101287725B1

公开(公告)日：2013-07-19

申请号：KR1020090093078

申请日：2009-09-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쯔나가마사노부 ,  노데라노부따께 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 종형 뱃치 CVD 장치에 있어서, 성막 방법은 사이클을 복수회 반복하여, 각 회마다 형성되는 박막을 적층하도록 구성된다. 사이클은 원료 가스를 피처리 기판의 표면에 흡착시키는 흡착 공정과, 반응 가스를 흡착 원료 가스와 반응시키는 반응 공정을 교대로 구비한다. 흡착 공정은 반응 가스의 공급의 차단을 유지하면서, 처리 영역에 대한 원료 가스의 공급을 행하는 공급 서브 공정을, 처리 영역에 대한 원료 가스의 공급을 정지하는 개재 서브 공정을 사이에 넣어 복수회 행하도록 구성된다. 반응 공정은 원료 가스의 공급의 차단을 유지하면서, 처리 영역에 대한 반응 가스의 공급을 연속적으로 행하도록 구성된다.
종형 뱃치 CVD 장치, 반응 가스, 흡착 원료 가스, DCS 가스, 웨이퍼 보트

公开(公告)号：KR101086588B1

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：KR1020080054102

申请日：2008-06-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  마쯔나가마사노부 ,  하세베가즈히데 ,  우메자와고오따 ,  주파오화

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명은 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 복수의 사이클을 행하여, 실리콘 질화막을 피처리 기판 상에 형성한다. 각 사이클은 제1 처리 가스의 공급을 행하는 한편 제2 처리 가스의 공급의 차단을 유지하는 제1 공급 공정과, 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편 제1 처리 가스의 공급의 차단을 유지하는 제2 공급 공정을 구비한다. 이 방법은 제2 공급 공정이 제2 처리 가스를 여기하는 여기 기간을 구비하는 제1 사이클 세트와, 제2 공급 공정이 제2 처리 가스를 여기하는 기간을 구비하지 않는 제2 사이클 세트를 복수회 반복한다.
성막 장치, 웨이퍼 보트, 처리 가스 공급계, 퍼지 가스 공급계, 반도체 웨이퍼

公开(公告)号：KR101077695B1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：KR1020080101792

申请日：2008-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  사또오쥰 ,  마쯔나가마사노부 ,  하세베가즈히데 ,  이노우에히사시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174

Abstract: 복수매의피처리기판에대해함께플라즈마처리를실시하는반도체처리용종형플라즈마처리장치는, 처리가스의적어도일부를플라즈마화하는여기기구를구비한다. 여기기구는플라즈마발생영역을사이에두고대향하도록플라즈마생성박스에배치된제1 및제2 전극과, 제1 및제2 전극에플라즈마발생용고주파전력을공급하는고주파전원과, 고주파전원은제1 및제2 출력단자를구비하고, 제1 및제2 출력단자는각각접지및 비접지단자이다. 절환기구가배치되어, 제1 전원과제1 출력단자가접속되고또한제2 전극과제2 출력단자가접속된제1 상태와, 제1 전극과제2 출력단자가접속되고또한제2 전극과제1 출력단자가접속된제2 상태를절환한다.

公开(公告)号：KR1020090040227A

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：KR1020080101792

申请日：2008-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  사또오쥰 ,  마쯔나가마사노부 ,  하세베가즈히데 ,  이노우에히사시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174

Abstract: A vertical plasma processing apparatus and a method for using the same are provided to improve throughput by reducing a frequency of a cleaning process by switching a non-ground side and a ground side. A processing container(4) has a processing region receiving a subject to be processed. A retaining support retains or supports a plurality of substrates in the processing container which loading the substrates in a vertical direction with a predetermined interval. A gas supply system supplies the process gas to the processing container. An exhaust system exhausts the gas in the processing container. An excitation device(66) converts a part of the process gas to the plasma. A plasma generating box(72) is mounted in the processing container by corresponding to the process region. A first electrode and a second electrode are arranged in the plasma generating box to face each other while interposing the plasma generating region.

Abstract translation: 提供了一种垂直等离子体处理装置及其使用方法，以通过切换非接地侧和接地侧来降低清洗处理的频率来提高生产率。 处理容器（4）具有接收待处理对象的处理区域。 保持支撑件保持或支撑处理容器中的多个基板，其以预定间隔在垂直方向上装载基板。 气体供应系统将处理气体提供给处理容器。 排气系统排出处理容器中的气体。 激励装置（66）将一部分处理气体转换成等离子体。 等离子体生成箱（72）通过对应于处理区域安装在处理容器中。 等离子体发生箱中的第一电极和第二电极被布置在彼此相对的同时插入等离子体产生区域。

公开(公告)号：KR1020090038819A

公开(公告)日：2009-04-21

申请号：KR1020080100906

申请日：2008-10-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  사또오쥰 ,  야마모또가즈야 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522

Abstract: A film formation apparatus for a semiconductor process and a using method thereof are provided to form a silicone nitride film by supplying two film formation gases without a plasma assist at the same time. A film formation apparatus(1) includes a reaction tube(2) which provides a process space(S). An exhaust space(21) is formed into a vertical direction according to the reaction tube. A partition(22) is arranged between the process space and the exhaust space. An exhaust pipe connects the process space to the exhaust space. An exhaust part(GE) is contacted with the exhaust space through an exhaust tube(4). A cover(5) is arranged on a bottom of the reaction tube. A wafer boat(6) is loaded on the cover. An insulation cover(71) including a heater(7) is arranged around the reaction tube. A gas dispersion nozzle(8,9) and a gas nozzle(10) are inserted in a side of a bottom part of the reaction tube, and are connected to a process gas supply part(GS) through a mass flow control. A plasma generating part(11) is arranged in a part of the side wall of the reaction tube. A radio frequency power source for generating plasma is connected to an electrode(12) through a feed line. A plurality of temperature sensors and a plurality of manometers are arranged inside the reaction tube. A control part(100) controls each part of the film formation apparatus.

Abstract translation: 提供了一种用于半导体工艺的成膜装置及其使用方法，以通过同时供给两种不产生等离子体辅助的成膜气体来形成氮化硅膜。 成膜装置（1）包括提供处理空间（S）的反应管（2）。 根据反应管，排气空间（21）形成为垂直方向。 在处理空间与排气空间之间配置隔板（22）。 排气管将过程空间连接到排气空间。 排气部（GE）通过排气管（4）与排气空间接触。 盖（5）布置在反应管的底部。 晶片舟（6）装载在盖上。 包括加热器（7）的绝缘盖（71）布置在反应管周围。 气体分散喷嘴（8,9）和气体喷嘴（10）插入在反应管的底部的一侧，并通过质量流量控制连接到处理气体供应部分（GS）。 等离子体产生部件（11）布置在反应管的侧壁的一部分中。 用于产生等离子体的射频电源通过馈电线连接到电极（12）。 反应管内设有多个温度传感器和多个压力计。 控制部（100）控制成膜装置的各部分。