公开(公告)号：KR1020150039683A

公开(公告)日：2015-04-13

申请号：KR1020140129974

申请日：2014-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도조도시히로 ,  사사키가즈오 ,  미나미마사토

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32798 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32651 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4682

Abstract: 플라즈마처리장치에있어서, 처리용기의관통개구부에서의국소적플라즈마의발생을방지한다. 처리용기의관통개구부의개구바닥면에는, 임피던스조정부재로서의절연부재(45)가설치되어있다. 절연부재(45)는비유전율이 10 이하, 바람직하게는 4 이하인재료에의해서구성되어있고, 절연부재(45)에의해서플라즈마로부터본 관통개구부의전기임피던스를, 본체용기(2A)의라이너(60)보다크게해서, 게이트개구부(41)에있어서의국소적플라즈마의발생을방지할수 있다. 절연부재(45) 위에는커버부재(47)를마련하고, 절연부재(45)의표면을덮음으로써, 절연부재(45)를플라즈마에의한손상으로부터보호할수 있다.

Abstract translation: 等离子体处理装置防止在处理容器的穿透开口中形成局部等离子体。 作为阻抗调节构件的绝缘构件（45）安装在处理容器的贯通口的开口底面上。 绝缘构件（45）由具有小于或等于10的材料制成，期望为4的电感率。 通过绝缘构件（45）的大小比体容器（2A）的衬套（60）大的等离子体的穿透开口的电阻抗，能够在门开口41中防止局部等离子体的形成。 盖构件（47）布置在绝缘构件（45）上。 通过覆盖绝缘构件（45）的表面，绝缘构件（45）可以被等离子体保护。

公开(公告)号：KR101467618B1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：KR1020110004189

申请日：2011-01-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도조도시히로 ,  다나카세이지 ,  데구치신고

IPC: H05H1/24 ,  H01L21/3065

Abstract: 본발명은플라즈마처리장치에있어서처리용기의내면을보호하는보호부재의교환작업이용이해서, 부품비용도억제할수 있는처리용기를제공한다. 플라즈마처리장치의처리용기(101)에있어서, 기판반송용개구(161)를갖는측벽(101b)의내면은보호부재로서의라이너(201a, 201b, 201c, 201d)에의해덮여있다. 기판반송용개구(161)의코너부(161a)에는플라즈마가집중하기쉬워소모가심하기때문에, 그주위의라이너(201a, 201c)를, 이것들에비교해서소모가느린라이너(201b, 201d)와별도의부재로분리가능하게구성했다.

公开(公告)号：KR101406676B1

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：KR1020120041574

申请日：2012-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  도조도시히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/32119

Abstract: 본 발명은 피처리 기판의 대형화에 대응할 수 있고, 또한, 처리실내에 있어서의 플라즈마 분포의 제어성을 양호하게 하는 것이 가능한 유도 결합 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 유도 결합 플라즈마 처리 장치는 처리실내의 플라즈마 생성 영역에 유도 결합 플라즈마를 발생시키는 고주파 안테나와, 플라즈마 생성 영역과 고주파 안테나의 사이에 배치되는 금속창을 구비하고, 금속창이, 이 금속창의 둘레 방향을 따른 선에 의해 2 이상으로 서로 전기적으로 절연되어 분할되고, 또한, 이와 같이 분할된 금속창이, 또한 둘레 방향과 교차하는 방향을 따른 선에 의해 서로 전기적으로 절연되어 분할 되어 있다.

公开(公告)号：KR102205228B1

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：KR1020190069685

申请日：2019-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우츠기야스후미 ,  도조도시히로

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: [과제] 플라즈마처리를실시할때, 기판의탑재대로부터의부분적인박리를, 기판의크기에상관없이정밀도좋게검지하는기술을제공한다. [해결수단] 정전흡착전극에직류전압을인가해서, 글라스기판을탑재대에정전흡착시키고, 직류전압의변화에의해, 글라스기판의탑재대로부터의박리를검출하는플라즈마처리장치에있어서, 정전흡착전극에인가되는직류전압을측정해서전압측정치를취득하고있다. 또한, 전압측정치와가공된전압설정치의차분치를취득하고, 차분치를증폭해차분증폭치를취득하고있다. 그리고차분증폭치와임계치를비교해, 차분증폭치가임계치를넘고있는경우에, 플라즈마를발생시키는고주파전력의인가를정지하고있다. 그때문에글라스기판이대형화해서, 직류전압의변화가작아졌을때에도, 글라스기판의탑재대로부터의박리를검출할수 있다.

公开(公告)号：KR101768761B1

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：KR1020150023092

申请日：2015-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도조도시히로 ,  사사키가즈오

IPC: H01L21/02

Abstract: (과제) 고주파전력이인가되는전극에접촉하는절연물의부분에서연면방전이생기기어려운고주파플라즈마처리장치및 고주파플라즈마처리방법을제공한다. (해결수단) 절연물(17)에접촉한전극(13)을갖고, 전극(13)에고주파전력을인가하고, 그것에의해생긴플라즈마에의해기판(G)을플라즈마처리하는고주파플라즈마처리장치는, 기판(G)에대해서플라즈마처리를행하는처리실(4)과, 절연물(17)에접촉한상태의전극(13)을수용하는전극수용부(3)와, 전극(13)에고주파전력을인가하는고주파전원(15)과, 전극수용부(3) 내의습도를, 전극수용부(3) 내에서연면방전이생기지않도록조정하는습도조정수단(58)을구비한다.

公开(公告)号：KR101768744B1

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：KR1020140012982

申请日：2014-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도조도시히로 ,  사토요시츠토무 ,  사사키가즈오

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

Abstract: 대형피처리기판에대해, 분할타입의유전체창을이용해서균일한플라즈마처리를행할수 있는유도결합플라즈마처리장치를제공한다. 직사각형형상의기판에유도결합플라즈마처리를실시하는유도결합플라즈마처리장치는, 기판을수용하는처리실과, 처리실내의기판이배치되는영역에유도결합플라즈마를생성하기위한고주파안테나와, 유도결합플라즈마가생성되는플라즈마생성영역과고주파안테나사이에배치되며, 기판에대응해서마련된직사각형형상을이루는유전체창을구비하고, 고주파안테나는유전체창에대응하는면 내에주회하도록마련되고, 유전체창(2)은긴 변(2a)을포함하는제 1 분할편(201)과, 짧은변(2b)을포함하는제 2 분할편(202)을포함하도록, 금속제의지지빔(6)에의해복수의분할편으로분할되며, 제 2 분할편(202)의직경방향의폭 a와제 1 분할편(201)의직경방향의폭 b의비 a/b가 0.8 이상 1.2 이하의범위가되도록분할되어있다.

公开(公告)号：KR1020160111848A

公开(公告)日：2016-09-27

申请号：KR1020160027463

申请日：2016-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도조도시히로 ,  야마구치가츠마사 ,  우츠기야스후미

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/22 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46 ,  H01J49/10 ,  H01L21/3213

Abstract: (과제) 기판의탑재대로부터의박리를정확하게검지할수 있는기판처리방법을제공한다. (해결수단) 기판처리장치(11)는, 기판 G를수용하여그 기판 G에플라즈마에의해플라즈마에칭을실시하는챔버(20)와, 그챔버(20)의내부에설치되어기판 G를탑재하는탑재대(21)와, 그탑재대(21)에내장되어기판 G를탑재대(21)에정전흡착하는정전흡착전극(27)과, 그정전흡착전극(27)에직류전압을인가하는직류전원(28)과, 플라즈마를생성하기위한고주파전력을공급하는플라즈마생성용고주파전원(41)과, 정전흡착전극(27)에인가되는직류전압을감시하는직류전압모니터(46)를구비하고, 직류전압모니터(46)에의해감시된직류전압이소정의임계치를넘었을때, 플라즈마생성용고주파전원(41)은고주파전력의공급을정지한다.

Abstract translation: 本发明提供了能够正确地检测基板与安装台的分离的基板处理方法和基板处理装置。 基板处理装置（11）包括：容纳基板（G）的室（20），以通过等离子体进行基板（G）的等离子体蚀刻; 安装在所述室（20）的内部以安装所述基板（G）的安装台（21）; 嵌入在所述安装台（21）内的静电吸附电极（27），将所述基板（G）静电吸附到所述安装台（21）上; 直流（DC）电源（28），用于向静电吸附电极（27）施加DC电压; 等离子体产生高频功率（41），用于提供高频功率以产生等离子体; 以及直流电压监视器（46），用于监视施加到静电吸附电极（27）的直流电压。 当由直流电压监视器（46）监视的直流电压超过预定阈值时，等离子体产生高频电力（41）停止供给高频电力。

公开(公告)号：KR1020140103838A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：KR1020140012982

申请日：2014-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도조도시히로 ,  사토요시츠토무 ,  사사키가즈오

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/205 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H05H1/46

Abstract: Disclosed is an inductively coupled plasma processing apparatus which performs a uniform plasma processing against a large treated substrate by means of a division type dielectric window. The inductively coupled plasma processing apparatus which performs the inductively coupled plasma processing on a rectangular substrate comprises: a processing room accommodating the substrate; a high frequency antenna to make inductively coupled plasma on the area whereby the substrate accommodated in the processing room is located; and a rectangular dielectric window arranged corresponding to the substrate and located between the plasma producing area and the high frequency antenna. The high frequency antenna is arranged on a surface corresponding to the dielectric window and is capable of winding. The dielectric window (2) is divided into a plurality of divisions by a support beam (6) of a metal material to include a first division (201) having a long side (2a) and a second division (202), wherein a width ratio of the width (a) of the second division (202) in a diameter direction and the width (b) of the first division (201) in a diameter direction is between 0.8 or more and 1.2 or less.

Abstract translation: 公开了一种电感耦合等离子体处理装置，其通过分割型电介质窗对大的经处理的基板执行均匀的等离子体处理。 在矩形基板上进行电感耦合等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置包括：容纳基板的处理室; 高频天线，用于在容纳在处理室中的基板所在的区域上形成电感耦合等离子体; 以及相对于衬底布置并位于等离子体产生区域和高频天线之间的矩形电介质窗口。 高频天线布置在与电介质窗口相对应的表面上并能够卷绕。 电介质窗（2）由金属材料的支撑梁（6）分成多个分隔，以包括具有长边（2a）和第二分割（202）的第一分割（201），其中宽度 第二分割部202的直径方向的宽度（a）与第一分割部（201）的直径方向的宽度（b）之比为0.8以上且1.2以下。

公开(公告)号：KR1020110128150A

公开(公告)日：2011-11-28

申请号：KR1020110047409

申请日：2011-05-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도조도시히로 ,  후루야아츠키

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/68 ,  C23C16/458 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/687 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus, a substrate maintaining tool, and a method for detecting substrate displacement are provided to improve precision of substrate displacement detection by eliminating the influence of a pressure loss of a gas flow path of heat transfer gas. CONSTITUTION: A loading table of rectangular maintains a processed substrate. A gas flow path(352) supplies gas from a gas source in the between the loading table and the processed substrate which is supported in a substrate support side(Ls). A plurality of vents(354) guides the gas from the gas flow path on the substrate support side. A plurality of input detection holes is formed in the outside of the gas hole formation domain and detects pressure which is applied to the rear side of the processed substrate. Pressure sensors(380a~380d) is connected to the input detection hole.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，基板保持工具以及检测基板位移的方法，通过消除传热气体的气体流路的压力损失的影响来提高基板位移检测的精度。 构成：矩形的装载台保持被处理的基板。 气体流路（352）从负载台和被处理基板之间的气体源供给气体，该基板被支撑在基板支撑侧（Ls）。 多个通风口（354）引导来自基板支撑侧的气体流路的气体。 在气孔形成区域的外部形成有多个输入检测孔，并且检测施加到被处理基板的后侧的压力。 压力传感器（380a〜380d）连接到输入检测孔。

公开(公告)号：KR1020110020879A

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：KR1020110002717

申请日：2011-01-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도조도시히로 ,  사사키가즈오

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32633 ,  H01L21/67069

Abstract: PURPOSE: A treatment apparatus is provided to improve the uniformity of a plane to be processed by discharging process gases which is not reached to a target and is not reacted with it. CONSTITUTION: In a treatment apparatus, a mounting unit(3) for a substrate(S) is formed in the upper part of a processing container. . A processing gas supply unit(44) supplies process gases from the upper part of the mounting unit. A gas discharge unit discharges gases inside the processing container. An air guide member(5) is arranged around the mounting unit. An elevating mechanism(35) raises the air current guide member.

Abstract translation: 目的：提供一种处理装置，以通过排出未到达目标并且不与其反应的处理气体来提高待处理平面的均匀性。 构成：在处理装置中，在处理容器的上部形成有用于基板（S）的安装单元（3）。 。 处理气体供应单元（44）从安装单元的上部供应处理气体。 气体放电单元排出处理容器内的气体。 安装单元周围布置有引导构件（5）。 升降机构（35）升起气流引导构件。