公开(公告)号：KR101789111B1

公开(公告)日：2017-10-23

申请号：KR1020120152923

申请日：2012-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 남바히로미츠 ,  피트리안토 ,  도쿠나가요이치 ,  아마노요시후미

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6838

Abstract: 본발명은기판의주연부분을처리액으로처리할때에, 기판의온도를신속하게승강시키는것을과제로한다. 기판처리장치는, 기판(W)을유지하는기판유지부(16)와, 기판의주연부분에제1 처리액을공급하는제1 처리액노즐(61)과, 기판의주연부분에제1 처리액보다낮은온도의제2 처리액을공급하는제2 처리액노즐(62)과, 기판의주연부분에제1 온도의제1 가스를공급하는제1 가스공급수단(51, 53 등)과, 기판에대하여상기제1 가스의공급위치보다반경방향중심측에제1 온도보다낮은제2 온도의제2 가스를공급하는제2 가스공급수단(42, 45 등)을구비하고있다.

公开(公告)号：KR101451442B1

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：KR1020090008423

申请日：2009-02-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토타로 ,  요시타카나오토 ,  니시키도슈이치 ,  도쿠나가요이치

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B05D3/105 ,  B05D3/065 ,  B05D5/06 ,  G03F7/168 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051

Abstract: 본 발명은 기판의 표면 및 베벨(bevel)부 및 이면의 세정을 행할 수 있는 세정 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
세정 장치(100)는, 이면을 하방으로 향하게 한 상태의 기판을 이면으로부터 지지하여 유지하는 2개의 기판 유지 수단[흡착 패드(2), 스핀척(3)]을 구비하고, 지지하는 영역이 겹치지 않도록 하면서 이들 기판 유지 수단 사이에서 기판을 전달한다. 세정 부재[브러시(5)]는 기판 유지 수단에 의해 지지되어 있는 영역 이외의 기판의 이면을 세정하고, 2개의 기판 유지 수단 사이에서 기판이 전달되는 것을 이용하여 기판의 이면 전체를 세정한다. 또한 기판이 스핀척(3)에 의해 유지되어, 회전될 때에, 기판의 이면의 세정과 아울러, 기판 표면 및 베벨부에 각각 세정액을 공급하여, 상기 표면과 베벨부의 세정을 행한다.

公开(公告)号：KR1020130076735A

公开(公告)日：2013-07-08

申请号：KR1020120152923

申请日：2012-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 남바히로미츠 ,  피트리안토 ,  도쿠나가요이치 ,  아마노요시후미

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6838

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus and a substrate processing method are provided to rapidly raise the temperature of a substrate by appropriately supplying a first and a second gas. CONSTITUTION: A substrate holding part maintains a substrate. A first processing solution nozzle (61) supplies a first processing solution to the periphery part of the substrate. A second processing solution nozzle (62) supplies a second processing solution to the periphery part of the substrate. A first gas supply device (51) supplies a first gas to the periphery part of the substrate. A second gas supply device (42) supplies a second gas to the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置和基板处理方法，通过适当地供给第一和第二气体来快速提高基板的温度。 构成：基板保持部维持基板。 第一处理溶液喷嘴（61）将第一处理溶液供应到基板的周边部分。 第二处理溶液喷嘴（62）将第二处理溶液供应到基板的周边部分。 第一气体供给装置（51）将第一气体供给到基板的周边部。 第二气体供给装置（42）将第二气体供给到基板。