公开(公告)号：KR1020130075698A

公开(公告)日：2013-07-05

申请号：KR1020120153222

申请日：2012-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  가도나가켄타로 ,  이병훈 ,  이은조 ,  손성덕 ,  장재혁 ,  박도현

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/31 ,  C23C8/34 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C28/04 ,  C23C28/42 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022

Abstract: PURPOSE: A method for forming a silicon oxycarbonitride layer is provided to improve workability by improving dry etching resistance and wet etching resistance. CONSTITUTION: A silicon oxycarbonitride layer is formed on a base. A silicon carbonitride layer is laminated on the base (step 1). The silicon oxynitride layer is laminated on the base to form a silicon oxycarbonitride layer (step 2). The formation of the silicon carbonitride layer and the formation of the silicon oxycarbonitride layer are repeated. [Reference numerals] (1) Silicon carbonitride layer is formed; (2) Silicon oxycarbonitride layer is formed; (3) Setting number ?; (AA) Start; (BB) No; (CC) Yes; (DD) End

Abstract translation: 目的：提供一种形成硅碳氮氧化物层的方法，通过提高耐干蚀刻性和耐湿蚀刻性来提高加工性。 构成：在基底上形成硅碳氮氧化物层。 将碳氮化硅层层叠在基材上（步骤1）。 将氧氮化硅层层压在基材上以形成碳氮氧化硅层（步骤2）。 重复碳氮化硅层的形成和碳氧氮化硅层的形成。 （附图标记）（1）形成碳氮化硅层; （2）形成碳氮氧化硅层; （3）设定号？ （AA）开始; （BB）否; （CC）是; （DD）结束

公开(公告)号：KR1020110009624A

公开(公告)日：2011-01-28

申请号：KR1020100069986

申请日：2010-07-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케우치토시유키 ,  하세가와마사유키 ,  다카하시토시히코 ,  스즈키케이스케

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608

Abstract: PURPOSE: An arrangement CVD method, an apparatus thereof, and a computer readable record medium for processing semiconductor are provided to improve the property on layer quality, throughput, and raw material gas consumption. CONSTITUTION: An exhaust system(78) comprises a discharging valve for adjusting the amount of discharge. A controller(84) controls the operation of the apparatus. The controller is configured in advance to implement the arrangement CVD method.

Abstract translation: 目的：提供一种排列CVD方法，其装置和用于处理半导体的计算机可读记录介质，以改善层质量，生产量和原料气体消耗的性质。 构成：排气系统（78）包括用于调节排放量的排放阀。 控制器（84）控制设备的操作。 预先配置控制器以实现排列CVD方法。