公开(公告)号：KR101312461B1

公开(公告)日：2013-09-27

申请号：KR1020100069986

申请日：2010-07-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케우치토시유키 ,  하세가와마사유키 ,  다카하시토시히코 ,  스즈키케이스케

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608

Abstract: 배치 CVD 방법은, 흡착 공정과 반응 공정을 잔류 가스를 제거하는 공정과 함께 갖는 사이클을 반복한다. 흡착 공정은, 원료 가스 밸브를 맨 처음의 제1 기간만 열림 상태로 한 후에 닫힘 상태로 함으로써 처리 용기 내로 원료 가스를 공급하는 것과, 반응 가스 밸브를 닫힘 상태로 유지하여 처리 용기 내로 반응 가스를 공급하지 않는 것과, 배기 밸브를 닫힘 상태로 유지하여 처리 용기 내를 배기하지 않는 것으로 행한다. 반응 공정은, 원료 가스 밸브를 닫힘 상태로 유지하여 처리 용기 내로 원료 가스를 공급하지 않는 것과, 반응 가스 밸브를 열림 상태로 하여 처리 용기 내로 반응 가스를 공급하는 것과, 배기 밸브를 소정의 열림 상태로부터 밸브 개도를 서서히 작게 함으로써 처리 용기 내를 배기하는 것으로 행한다.

公开(公告)号：KR101434345B1

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：KR1020110074510

申请日：2011-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케우치토시유키 ,  초우파오화 ,  야마모토카즈야 ,  세라켄타로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219

Abstract: 피(被)처리체를 수용할 수 있는 처리 용기와, 제1 개폐 밸브를 가져 상기 처리 용기 내에 원료 가스를 공급할 수 있는 원료 가스 공급계와, 제2 개폐 밸브를 가져 상기 처리 용기 내에 반응 가스를 공급할 수 있는 반응 가스 공급계와, 제3 개폐 밸브를 가져 상기 처리 용기 내의 분위기를 진공으로 배기할 수 있는 진공 배기계를 구비한 성막 장치를 이용하여, 표면에 금속 함유막이 형성된 상기 피처리체에 산화 실리콘막으로 이루어지는 박막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 상기 진공 배기계의 상기 제3 개폐 밸브를 닫고, 상기 원료 가스 공급계의 상기 제1 개폐 밸브를 소정의 기간 열어 상기 원료 가스를 공급한 후에 닫고, 상기 제1 개폐 밸브를 소정의 기간 닫은 채 상기 원료 가스를 상기 피처리체의 표면에 흡착시키는 흡착 공정과, 상기 반응 가스 공� ��계의 상기 제2 개폐 밸브를 열어 상기 반응 가스를 상기 처리 용기 내에 공급하여 상기 반응 가스를 상기 원료 가스와 반응시켜 박막을 형성하는 반응 공정이, 사이에 간헐 기간을 두고 교대로 복수회 반복된다.

公开(公告)号：KR1020130047594A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：KR1020120118473

申请日：2012-10-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미히로키 ,  이케우치토시유키 ,  사토준 ,  모로즈미유이치로 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/32105 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: PURPOSE: A method for forming a silicon oxide layer is provided to secure a desired surface roughness or a desired interface roughness. CONSTITUTION: A seed layer is formed on a silicon substrate(step 1). A silicon layer is formed on the seed layer(step 2). The silicon layer and the seed layer are oxidized to form a silicon oxide layer on the silicon substrate(step 3). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Form a seed layer on a silicon substrate; (CC) Form a silicon layer on the seed layer; (DD) Form a silicon oxide layer on the silicon substrate by oxidizing the silicon layer and the seed layer; (EE) End; (FF) Step 1; (GG) Step 2; (HH) Step 3

Abstract translation: 目的：提供形成氧化硅层的方法以确保所需的表面粗糙度或所需的界面粗糙度。 构成：在硅衬底上形成种子层（步骤1）。 在种子层上形成硅层（步骤2）。 硅层和籽晶层被氧化以在硅衬底上形成氧化硅层（步骤3）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）在硅衬底上形成晶种层; （CC）在种子层上形成硅层; （DD）通过氧化硅层和种子层在硅衬底上形成氧化硅层; （EE）结束; （FF）步骤1; （GG）步骤2; （HH）步骤3

公开(公告)号：KR101569377B1

公开(公告)日：2015-11-16

申请号：KR1020120118473

申请日：2012-10-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미히로키 ,  이케우치토시유키 ,  사토준 ,  모로즈미유이치로 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/32105 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: (과제) 표면러프니스가양호한실리콘산화물막을얻는것이가능한실리콘산화물막의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(1) 상에시드층(2)을형성하는공정과, 시드층(2) 상에실리콘막(3)을형성하는공정과, 실리콘막(3) 및시드층(2)을산화시켜, 하지(1) 상에실리콘산화물막(4)을형성하는공정을구비한다.

公开(公告)号：KR101498496B1

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：KR1020110139317

申请日：2011-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케우치토시유키 ,  초우파오화 ,  야마모토카즈야 ,  세라켄타로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: (과제) 저온하에서, 면간 방향에서의 막두께 균일성이 양호한 박막을 형성할 수 있는 박막 형성 방법, 박막 형성 장치 및 프로그램을 제공한다.
(해결 수단) 제어부(100)는, 승온용 히터(16)를 제어하여 반응관(2) 내를 로드 온도로 가열한 후에 반응관(2) 내에 반도체 웨이퍼(W)를 수용한다. 다음으로, 제어부(100)는, 승온용 히터(16)를 제어하여 반도체 웨이퍼(W)를 수용한 반응관(2) 내를 성막 온도로 가열한 후, 처리 가스 도입관(17)으로부터 반응관(2) 내에 성막용 가스를 공급하여 반도체 웨이퍼(W)에 박막을 형성한다. 또한, 제어부(100)는, 로드 온도를 성막 온도보다도 높은 온도로 설정한다.

公开(公告)号：KR1020120075379A

公开(公告)日：2012-07-06

申请号：KR1020110139317

申请日：2011-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케우치토시유키 ,  초우파오화 ,  야마모토카즈야 ,  세라켄타로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: PURPOSE: A thin film forming method, a thin film forming apparatus, and a recording medium are provided are provided to improve film thickness uniformity at the in-plane direction by establishing load temperature higher than thin film forming temperature of an adsorption step. CONSTITUTION: A reaction pipe(2) forms a reaction chamber. A heating means heats the inside the reaction chamber as predetermined temperature. A gas supply means for thin film formation supplies gas for thin film formation to the inside the reaction chamber. An exhaust pipe(4) exhausts gas within the reaction pipe. A cover body(6) is formed which can be moved upward and downward. A heat reserving cover(7) is installed at the upper side of the cover body. A spinning table(10) is installed in the upper side of the heat reserving cover. A spinning pillar(12) is installed at the lower side of the spinning table.

Abstract translation: 目的：提供薄膜形成方法，薄膜形成装置和记录介质，以通过建立高于吸附步骤的薄膜形成温度的载荷温度来提高在面内方向上的膜厚均匀性。 构成：反应管（2）形成反应室。 加热装置以预定温度加热反应室内部。 用于薄膜形成的气体供应装置为反应室内部的薄膜形成提供气体。 排气管（4）排出反应管内的气体。 形成能够向上下移动的盖体（6）。 保温盖（7）安装在盖体的上侧。 纺纱台（10）安装在储热罩的上侧。 旋转支柱（12）安装在纺纱台的下侧。

公开(公告)号：KR1020120024384A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：KR1020110074510

申请日：2011-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케우치토시유키 ,  초우파오화 ,  야마모토카즈야 ,  세라켄타로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219

Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus and method are provided to control the thickness of a metal oxide layer existing in interface between a metal film and a thin film by controlling hold time of source gas and changing deposition rate. CONSTITUTION: A treatment basin(22) accepts a semiconductor wafer(W). The treatment basin is composed of a dual industrial structure consisting of an inner tube(24) and an outer tube(26). A heating part consisting of a heater is formed on the side of the treatment basin. A raw material gas supply system(54) having a first opening and closing valve supplies raw material gas within the treatment basin. A reactive gas supply system(56) having a second opening and closing valve supplies reaction gas within the treatment basin. A vacuum exhaust system having a third opening and closing valve makes the treatment basin vacuous.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置和方法，通过控制源气体的保持时间和改变沉积速率来控制存在于金属膜和薄膜之间的界面中的金属氧化物层的厚度。 构成：处理盆（22）接受半导体晶片（W）。 处理盆由由内管（24）和外管（26）组成的双工业结构构成。 在处理盆的一侧形成由加热器构成的加热部。 具有第一开闭阀的原料气体供给系统（54）在处理池内供给原料气体。 具有第二打开和关闭阀的反应气体供应系统（56）在处理池内提供反应气体。 具有第三打开和关闭阀的真空排气系统使处理池真空。

公开(公告)号：KR1020110009624A

公开(公告)日：2011-01-28

申请号：KR1020100069986

申请日：2010-07-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케우치토시유키 ,  하세가와마사유키 ,  다카하시토시히코 ,  스즈키케이스케

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608

Abstract: PURPOSE: An arrangement CVD method, an apparatus thereof, and a computer readable record medium for processing semiconductor are provided to improve the property on layer quality, throughput, and raw material gas consumption. CONSTITUTION: An exhaust system(78) comprises a discharging valve for adjusting the amount of discharge. A controller(84) controls the operation of the apparatus. The controller is configured in advance to implement the arrangement CVD method.

Abstract translation: 目的：提供一种排列CVD方法，其装置和用于处理半导体的计算机可读记录介质，以改善层质量，生产量和原料气体消耗的性质。 构成：排气系统（78）包括用于调节排放量的排放阀。 控制器（84）控制设备的操作。 预先配置控制器以实现排列CVD方法。