公开(公告)号：KR1020110088367A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：KR1020100133153

申请日：2010-12-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/70733 ,  G03F7/70975 ,  H01L21/67721

Abstract: PURPOSE: An apparatus for processing a substrate and a processing method thereof are provided to evenly process the surface of a substrate. CONSTITUTION: A substrate carrier(6) smoothly sends back a substrate along a substrate carrier way. A substrate handling unit is arranged on the way of the substrate carrier way and implements a predetermined process on the substrate which is sent back by the substrate carrier means. The dummy substrate of a book shape is arranged by being extended toward the width of the substrate carrier way. A dummy substrate moving means(11) moves the dummy substrate along a substrate sending back direction at the same height as the substrate. A control means controls the dummy substrate moving means. The control means moves the substrate by synchronizing the dummy substrate with the dummy substrate moving means when a predetermined processing is enforced in the substrate which is sent back from the substrate handling unit.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理衬底的设备及其处理方法以均匀地处理衬底的表面。 构成：衬底载体（6）沿衬底载体的方式平稳地回送衬底。 衬底处理单元布置在衬底载体方式的路上，并且在由衬底载体装置发送回的衬底上实施预定的工艺。 书形的虚拟衬底通过朝衬底承载方式的宽度延伸而布置。 虚拟衬底移动装置（11）沿着与衬底相同的高度的衬底发送回方向移动虚设衬底。 控制装置控制虚拟衬底移动装置。 当在从衬底处理单元送回的衬底中执行预定的处理时，控制装置使虚设衬底与虚设衬底移动装置同步来移动衬底。

公开(公告)号：KR1020100063662A

公开(公告)日：2010-06-11

申请号：KR1020090118208

申请日：2009-12-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67098 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68785

Abstract: PURPOSE: A substrate heating apparatus, a method thereof, and a storage medium thereof are provided to execute minute heating control for a substrate by flexibly setting a pattern of heating control region. CONSTITUTION: A substrate retention support supports a substrate(W). A light source(5a) heats the substrate. A light-shutter board(5b) is installed between the light source and the substrate. The light-shutter board comprises a light-shutter cell switched between a light transmission state and shielding state. A controller executes a switching control between the shielding state and the light transmission state about each of the light-shutter cell. A thermal plate(2) is indirectly heated by absorbing the light irradiated from the light source in an absorber layer(20).

Abstract translation: 目的：提供一种基板加热装置及其方法及其存储介质，通过灵活设定加热控制区域的图案，对基板进行微小的加热控制。 构成：衬底保持支撑件支撑衬底（W）。 光源（5a）加热基板。 在光源和基板之间安装光闸板（5b）。 光闸板包括在透光状态和屏蔽状态之间切换的光快门单元。 控制器执行关于每个光闸单元的屏蔽状态和光透射状态之间的切换控制。 通过吸收从吸收层（20）中的光源照射的光来间接加热热板（2）。

公开(公告)号：KR1019970077124A

公开(公告)日：1997-12-12

申请号：KR1019970022123

申请日：1997-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타노쥰이치 ,  신야히로시 ,  가타노다카유키 ,  야에가시히데타미 ,  가와카미야스노리 ,  가와노후미히코

IPC: H01L21/027

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
기판처리시스템 및 기판처리방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
시스템내로의 청정공기의 공급량 증대시키지 않고, 시스템내로의 파티클의 침입을 유효하게 방지할 수 있는 기판처리시스템을 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 공기조절된 환경하에서 복수의 기판(W) 을 차례로 처리하는 기판처리시스템으로, 카세트(CR),(C)가 출입되는 카세트 반입출구(100b), (304)를 가지는 외장케이스(100a),(302)와, 이 외장케이스(100a),(302)로 둘러싸인 내부공간에 설치되고, 카세트가 얹어놓이는 카세트 얹어놓는 대(20),(303)를 가지며, 상기 카세트 반입출구 통해서 카세트가 반입되고, 상기 카세트 얹어놓는 대에 카세트가 얹어놓이는 카세트부(10),(351)와, 이 카세트부의 카세트로부터 기판을 1매씩 반출하여 이송하는 서브아암기구(22),(311)와, 카세트부에 인접해서 설치되고, 기판(W)을 처리하기 위한 복수의 처리유니트를 가지는 프로세스부(12),(352)와, 이 프로세스부내에 설치되고, 상기 카세트부의 서브아암기구로부터 기판(W)을 수취하고, 수취한 기판(W)을 각각 처리유니트에 차례로 반입 는 한편, 처리된 기판(W)을 각 처리유니트로부터 차례로 반출하는 주아암기구(24),(312),(313)와, 외장케이스(100a),(302)로 둘러싸인 내부공간에 다운플로우의 청정공기를 공급하는 에어공급기구(10a),(10b),(12a),(14a),(16a)∼(16e),(30),(31),(32),(33a)∼(33f),(34),(36),(37a)∼(37e),(38),(39),(48),(306),(306a),(306b)와, 이 에어공급기구에 의해서 형성되는 에어의 다운플로우에 간섭하지 않도록 외장케이스(100a),(302)로 둘러싸인 내부공간 칸막이하고, 또, 칸막이된 한쪽의 공간으로부터 다른쪽 공간으로 기판(W)을 반송하기 위한 기판반송구(11a),(11b),(29a),(51a),(61a),(308)를 가지는 칸막이판 (11),(11A),(29),(51),(61),(305)을 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼나 LCD용 기판과 같은 기판에 레지스트를 도포하고, 현상 처리하는 기판처리시스템 및 기판처리방법에 이용됨.

公开(公告)号：KR1020110089055A

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：KR1020100133151

申请日：2010-12-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시

IPC: G03F7/16

CPC classification number: B05D3/04

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus and a substrate processing method are provided to uniformly form a coating film on the target surface of a substrate by relatively moving a nozzle and the substrate and discharging a coating solution through the nozzle. CONSTITUTION: A nozzle(16) includes a discharging hole in a long slit shape to the width direction of a substrate(G) and discharges a coating solution toward the substrate through the coating solution. Relative moving units(5, 6) relatively move the substrate with respect to the nozzle. A first gas current forming unit(8) forms inert gas current with respect to the substrate in the relative moving direction region of the discharge hole. A second gas current forming unit(9) forms gas current at the opposition region of the relative moving direction region.

Abstract translation: 目的：提供基板处理装置和基板处理方法，通过相对移动喷嘴和基板并通过喷嘴排出涂布溶液，在基板的目标表面上均匀地形成涂膜。 构成：喷嘴（16）具有与基板（G）的宽度方向长切口形状的排出孔，通过涂布液向涂布液排出涂布液。 相对移动单元（5,6）相对于喷嘴相对移动基板。 第一气流形成单元（8）在排出孔的相对移动方向区域中相对于基板形成惰性气体流。 第二气流形成单元（9）在相对移动方向区域的对置区域形成气流。

公开(公告)号：KR100858693B1

公开(公告)日：2008-09-16

申请号：KR1020010079950

申请日：2001-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시 ,  미즈모토카즈요시 ,  하야시다카즈히사 ,  세키모토에이지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G03F7/168

Abstract: 본 발명은 열처리장치, 열처리방법 및 패턴형성방법에 관한 것으로서, 불활성가스가 유통하는 처리용기의 내부에 있어서, 가열플레이트에 도포액이 도포된 기판을 재치한다. 상기 불활성가스의 유통량을 매우 작은 제 1 유통량으로 하여, 상기 가열플레이트에 의해 상기 기판을 가열한다. 이어서, 상기 불활성가스의 유통량을 상기 제 1 유통량보다 큰 제 2 유통량으로 하여, 상기 가열플레이트에 의해 기판을 가열한다. 또한, 상기 처리용기내의 상기 도포액의 용제농도를 검출한다. 가열개시후에 검출된 용제농도를 기초로 소정용제농도까지는 일정시간 소정 배기량이 되도록 상기 불활성가스의 공급량 및 배기량을 제어한다. 상기 일정시간 후에, 상기 소정용제농도에 도달하지 않는 경우, 또는 상기 소정용제농도를 초과하는 경우는, 상기 소정용제농도가 되도록 제어처리를 실행한다. 이와 같은 2도의 열처리 또는 용제농도제어에 의해, 레지스트에 포함되는 광산 발생제의 비산정도를 웨이퍼면내에 있어서 정렬된 상태로 레지스트의 용제를 휘발시키는 것이 가능하고, 레지스트의 막질의 균일성을 확보한 상태에서 열처리를 실행하는 것이 가능하다.

公开(公告)号：KR1020080059120A

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：KR1020080044684

申请日：2008-05-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시 ,  미즈모토카즈요시 ,  하야시다카즈히사 ,  세키모토에이지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G03F7/168 ,  H01L21/67103

Abstract: An apparatus and a method for thermal processing and a pattern formation method are provided to increase uniformity of film properties after heat treatment by controlling flow of inactive gas or solvent concentration so as to improve uniformity of the development line width. A heating process unit(2) has a process container(21). A solvent concentration sensor(70) is installed in the process container by passing through a cover(21a) and a rectifying plate(26). The sensor is not limited to the upper part of the process unit and is inserted in the process container from the side installed with arms(22). A solvent concentration value in the process container is transmitted to a control part(5). The control part adjusts opening and closing valves(V1,V2) based on the detected solvent concentration value. The change of solvent concentration in the process unit is displayed on a display.

Abstract translation: 提供一种用于热处理和图案形成方法的装置和方法，以通过控制惰性气体或溶剂浓度的流动来提高热处理后的膜性能的均匀性，从而提高显影线宽度的均匀性。 加热处理单元（2）具有处理容器（21）。 溶剂浓度传感器（70）通过盖（21a）和整流板（26）安装在处理容器中。 传感器不限于处理单元的上部，并且从安装有臂（22）的一侧插入到处理容器中。 处理容器中的溶剂浓度值被传送到控制部分（5）。 控制部根据检测出的溶剂浓度值来调节开闭阀（V1，V2）。 处理单元中溶剂浓度的变化显示在显示屏上。

公开(公告)号：KR1020040045839A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：KR1020047005593

申请日：2002-10-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시 ,  소마야스타카 ,  기타노다카히로

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 열처리장치는, 표면에 도포막이 형성된 기판(W)을 열처리하기 위해서 사용되고, 기판을 대략 수평으로 유지하는 유지부재(34)와, 이 유지부재에 유지된 기판을 수용하는 챔버(3O)와, 가스투과성을 가지며, 기판에 형성된 도포막을 직접 가열할 수 있도록 챔버내에서 상기 유지부재에 유지된 기판의 위쪽에 배치되는 핫 플레이트(31)와, 챔버의 윗면에 설치되어 상기 챔버의 내부의 배기를 행하는 배기구(33)를 구비하여, 도포막이 핫 플레이트에 의해서 가열되었을 때에 상기 도포막으로부터 발생하는 가스는 핫 플레이트를 투과한 후에 상기 챔버외부로 배출된다. 이 열처리장치에 의하면, 도포막의 균일성이 향상하여, 그 결과, CD 균일성을 향상시킴과 동시에, LER 특성을 개선하여 매끄러운 측면을 가진 패턴측면을 얻는 것이 가능하다.

Abstract translation: 1。一种热处理装置，对具有形成有涂膜的表面的晶片进行热处理，其特征在于，具备：保持部件，其将晶片保持为大致水平状态; 容纳由保持部件保持的晶片的腔室; 一个具有气体渗透性的热板，该热板设置在腔室中由保持部件保持的晶片的上方，从而可以直接加热形成在晶片上的涂层膜; 以及设置在腔室的顶面上并排出腔室中的气体的排气口。 从涂膜产生的气体通过热板并从腔室排出。 因此，涂膜的均匀性得到改善。 结果，可以改善CD的均匀性，可以改善LER特性，并且可以获得平滑的图案侧面。

公开(公告)号：KR1019970060443A

公开(公告)日：1997-08-12

申请号：KR1019970001966

申请日：1997-01-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  도시마다카유키 ,  아키모토마사미 ,  야마구치에이지 ,  가타노준이치 ,  기타노다카유키 ,  신야히로시 ,  이이다나루아키

IPC: H01L21/68

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 웨이퍼나 LCD기판 등의 피처리체에 대해서 도포·현상을 하는 처리장치.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
안에 공급된 청정공기의 분위기 변동이 작은 처리장치와, 피처리체를 반송하는 반송체를 승강할 때에 발생한 파티클이 처리 유니트에 확산하는 것을 방지할 수 있는 처리장치와, 각 처리 유니트에 대해서 항상 청정공기를 보내는 것이 가능한 처리장치를 제공하고자 하다.
3. 발명의 해결방법의 요지
처리장치는, 피처리체에 일련의 처리를 실시하는 복수의 처리 유니트가 연직방향을 따라서 다단으로 배치되어 이루어지는 복수의 처리 유니트 그룹, 이들 복수의 처리 유니트 그룹 사이에 피처리체에 반송공간이 규정되고, 피처리체 반송공간을 연직방향으로 이동가능하고 상기 각 처리 유니트에 대해서 피처리체의 받아넘김이 가능한 반송부재를 가지는, 피처리체를 반송하기 위한 반송기구를 구비하고 있다. 이 처리장치는, 또한 피처리체 반송 공간에 다운플로우를 형성하는 기구와, 다운플로우의 풍량을 제어하는 기구와, 피처리체 공간의 압력을 제어하는 기구수단을 구비하고, 이들에 의해 피처리체 반송공간의 분위기 변동을 완화한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼나 LCD기판 처리장치.

公开(公告)号：KR101479352B1

公开(公告)日：2015-01-05

申请号：KR1020090118208

申请日：2009-12-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02

Abstract: 본 발명의 과제는 가열 제어 영역의 배치 패턴을 자유롭게 설정, 혹은 변경할 수 있고, 기판의 가열 처리의 면내 균일성을 향상시킬 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
웨이퍼(W)를 보유 지지하는 열판(2)과, 보유 지지된 웨이퍼(W)와 대향하도록 배치되어, 당해 기판을 가열하기 위한 광원(5a)과, 광원(5a)과 웨이퍼(W) 사이에 개재하여 설치되어, 광 셔터 셀(60)이 다수 배열된 광 셔터판(5b)과, 광 셔터 셀(60)의 절환 제어를 행하기 위한 제어부(9)를 구비하고, 제어부(9)에 의해 웨이퍼(W)의 온도의 면내 균일성이 향상되도록 광 셔터판(5b)을 제어하여 웨이퍼(W)를 가열한다.
기판 가열 장치, 웨이퍼, 열판, 광원, 광 셔터 셀

公开(公告)号：KR101176238B1

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：KR1020070007395

申请日：2007-01-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오끼시게끼 ,  사까이유우이찌 ,  야마시따미쯔오 ,  신야히로시

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/324

CPC classification number: F26B3/20 ,  F26B9/103 ,  F26B21/001 ,  G03F7/168 ,  G03F7/40 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67748

Abstract: 기판(W)을가열하기위한가열플레이트(121)와, 가열플레이트(121)의상방의공간을둘러싸는커버(123)와, 커버(123) 내를배기하여가열플레이트(121)의상방의공간에배기류를형성하는배기류형성기구(135, 149)와, 가열플레이트(121) 상의기판(W)의상면에대해동일하게공급되는다운플로우를형성하는다운플로우형성기구(144, 153)와, 다운플로우형성기구(144, 153)에의해다운플로우를형성하면서기판(W)을가열하는모드와, 배기류형성기구(135, 149)에의해배기류를형성하면서기판(W)을가열하는모드를절환하도록제어하는제어기구(155)를구비한다.