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公开(公告)号：KR1020050054983A
公开(公告)日：2005-06-10
申请号：KR1020057005619
申请日：2003-12-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4581 , C23C16/46 , H01L21/28556
Abstract: A susceptor device is provided in a film- forming vessel (4) for semiconductor processing. The susceptor device includes a susceptor (16) having a top surface on which a wafer (W) to be processed is placed and a side surface extending downward from the top surface and a heater (18) provided in the susceptor (16) and serving to heat the wafer (W) through the top surface. The top and side surfaces of the susceptor (16) is coated with a CVD pre-coat layer (28). The pre-coat layer (28) has a thickness great enough to substantially saturate the amount of heat originated from the heater (18) and radiated from the top and side surfaces of the susceptor (16).
Abstract translation: 在用于半导体处理的成膜容器（4）中设置感受器装置。 所述基座装置包括：基座（16），其具有顶面，待处理的晶片（W）被放置在所述上表面上;从所述顶面向下延伸的侧面和设置在所述基座中的加热器， 以通过顶表面来加热晶片（W）。 基座（16）的顶表面和侧表面涂覆有CVD预涂层（28）。 预涂层（28）的厚度足够大以使来自加热器（18）的热量基本饱和并从基座（16）的顶表面和侧表面辐射。
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公开(公告)号：KR101933776B1
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：KR1020170005387
申请日：2017-01-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/60
Abstract: [과제]
진공 반송 모듈과 진공 처리 모듈의 사이를 구획하는 게이트 밸브를 개폐했을 때에, 웨이퍼에의 파티클의 부착을 억제하는 기술을 제공하는 것.
[해결 수단]
진공 반송실(2)과 처리 용기(30) 사이의 웨이퍼(W)의 반송을 실시함에 있어서, 양자를 구획하고 있는 게이트 밸브(40)를 열기 전에 처리 용기(30) 내에서는, 탑재대(5)의 상방으로부터 Ar 가스를 공급하고, 해당 불활성 가스의 유량이 진공 반송실(2) 내에 공급되는 N
2 가스의 유량보다 작고, 또 처리 용기(30) 내의 압력이 진공 반송실(2) 내의 압력보다 작은 상태로 하고 있다. 이 때문에 게이트 밸브(40)를 열었을 때에 N
2 가스가, 진공 반송실(2)로부터 처리 용기(30)로 유입하는 방향의 흐름, 및 탑재대(5)의 표면의 중심부로부터 주연부로 향하고, 탑재대(5)의 주연으로부터 하방으로 향하는 기류를 유지한 채로, 게이트 밸브(40)를 열고, 웨이퍼(W)를 반송할 수 있어, 부착물(100)의 탑재대(5)의 상방으로의 비산을 억제할 수 있다.-
公开(公告)号：KR101246443B1
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：KR1020107007380
申请日：2009-03-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 오카베신야
IPC: H01L21/285 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/50
Abstract: 금속계막을 성막하는 데 있어서, 챔버 내에, 프리코트막을 성막하는 공정과, 프리코트 후의 챔버 내에 피처리 기판을 반입하여 스테이지 상에 배치하고, 피처리 기판을 가열하면서, 처리 가스를 공급하여 처리 가스의 플라즈마를 생성하며, 플라즈마 CVD에 의해 피처리 기판에 금속계막을 성막하는 처리를 복수 장의 피처리 기판에 대해서 행하는 공정과, 복수 장의 피처리 기판에 대한 성막 처리가 종료된 단계에서, 챔버 내에 클리닝 가스를 도입하여 드라이 클리닝을 행하는 공정을 반복하여 행하고, 피처리 기판에 금속계막을 성막하는 처리를 복수 장의 피처리 기판에 대해서 행하는 공정은, 그 도중에 1회 또는 2회 이상, 스테이지 상에 도전성막을 형성한다.
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公开(公告)号：KR100886989B1
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020070038216
申请日：2007-04-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/5093 , C23C16/14 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76856
Abstract: 플라즈마를 이용한 CVD에 의해 개구 직경이 작고 및/또는 높은 아스펙트비의 홀을 갖는 피처리 기판에 Ti를 성막할 때에, 차지 업 데미지에 의한 소자의 파괴가 발생하기 어려운 Ti 막의 성막 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
한 쌍의 평행 평판 전극으로서 기능하는 샤워 헤드(10) 및 전극(8)을 갖는 챔버(1) 내에, 개구 직경이 0.13㎛ 이하 및/또는 아스펙트비가 10 이상인 홀을 갖는 웨이퍼(W)를 배치하고, 처리 가스로서 TiCl
4 가스 및 H
2 가스 및 Ar 가스를 도입하면서 샤워 헤드(10)에 고주파 전원(34)으로부터 고주파 전력을 공급하여 이들 사이에 플라즈마를 형성하며, 이 플라즈마에 의해 처리 가스의 반응을 촉진하여 웨이퍼에 Ti 막을 성막할 때에, Ar 가스 유량을 1600mL/min(sccm)미만으로 제어하여 플라즈마가 형성되었을 때의 상기 홀의 바닥부에 도달하는 이온량을 저감하면서 Ti 막을 성막한다.-
公开(公告)号：KR100824088B1
公开(公告)日：2008-04-21
申请号：KR1020067016824
申请日：2003-12-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , C23C16/46 , H01L21/00 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4581 , C23C16/46 , H01L21/28556
Abstract: 반도체 처리용의 성막 처리 용기(4)내에 재치대 장치가 배설된다. 재치대 장치는 피처리 기판(W)을 재치하는 상면 및 상면으로부터 하강하는 측면을 갖는 재치대(16)와, 재치대(16)내에 배설되고, 또한 그 상면을 거쳐서 기판(W)을 가열하는 히터(18)를 포함한다. 재치대(16)의 상면 및 측면을 CVD 프리코트층(28)이 피복한다. 프리코트층(28)은 히터(18)의 가열에 유래하는 재치대(16)의 상면 및 측면으로부터의 복사열량을 실질적으로 포화시키는 두께 이상의 두께를 갖는다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101991574B1
公开(公告)日：2019-06-20
申请号：KR1020170100816
申请日：2017-08-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455
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公开(公告)号：KR100996012B1
公开(公告)日：2010-11-22
申请号：KR1020077028037
申请日：2007-04-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/28
CPC classification number: C23C16/045 , C23C16/14 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01L21/28556 , H01L21/76843
Abstract: 한 쌍의 평행 평판 전극으로서 기능하는 샤워 헤드(10) 및 전극(8)을 갖는 챔버(1) 내에, 개구 직경이 0.13㎛ 이하 및/또는 어스펙트비가 10 이상인 홀을 갖는 웨이퍼(W)를 배치한다. 처리 가스로서 TiCl
4 가스 및 H
2 가스 및 Ar 가스보다 원자량이 큰 희가스를 도입하여 상기 플라즈마가 형성되었을 때의 상기 홀의 저부에 도달하는 이온량을 저감하면서 Ti막을 성막한다.-
公开(公告)号：KR100960162B1
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：KR1020087015988
申请日：2003-12-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4581 , C23C16/46 , H01L21/28556
Abstract: 반도체 처리용의 성막 처리 용기(4)내에 재치대 장치가 배설된다. 재치대 장치는 피처리 기판(W)을 재치하는 상면 및 상면으로부터 하강하는 측면을 갖는 재치대(16)와, 재치대(16)내에 배설되고, 또한 그 상면을 거쳐서 기판(W)을 가열하는 히터(18)를 포함한다. 재치대(16)의 상면 및 측면을 CVD 프리코트층(28)이 피복한다. 프리코트층(28)은 히터(18)의 가열에 유래하는 재치대(16)의 상면 및 측면으로부터의 복사열량을 실질적으로 포화시키는 두께 이상의 두께를 갖는다.
Abstract translation: 沉积装置设置在用于半导体处理的成膜处理容器（4）中。 台具有台16，其具有用于放置基板W的上表面和用于从台W的上表面下降的下表面以及设置在台16内用于加热基板W的台16 还有一个加热器（18）。 CVD预涂层28覆盖台16的上表面和侧表面。 由于加热器18的加热，预涂层28具有不小于使来自台16的顶表面和侧表面的辐射热量基本饱和的厚度。
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公开(公告)号：KR1020080109100A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：KR1020087029222
申请日：2003-12-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4581 , C23C16/46 , H01L21/28556
Abstract: A susceptor device is provided in a film- forming vessel (4) for semiconductor processing. The susceptor device includes a susceptor (16) having a top surface on which a wafer (W) to be processed is placed and a side surface extending downward from the top surface and a heater (18) provided in the susceptor (16) and serving to heat the wafer (W) through the top surface. The top and side surfaces of the susceptor (16) is coated with a CVD pre-coat layer (28). The pre-coat layer (28) has a thickness great enough to substantially saturate the amount of heat originated from the heater (18) and radiated from the top and side surfaces of the susceptor (16). ® KIPO & WIPO 2009
Abstract translation: 在用于半导体处理的成膜容器（4）中设置感受器装置。 所述基座装置包括：基座（16），其具有顶面，待处理的晶片（W）被放置在所述上表面上;从所述顶面向下延伸的侧面和设置在所述基座中的加热器， 以通过顶表面来加热晶片（W）。 基座（16）的顶表面和侧表面涂覆有CVD预涂层（28）。 预涂层（28）的厚度足够大以使来自加热器（18）的热量基本饱和并从基座（16）的顶表面和侧表面辐射。 ®KIPO＆WIPO 2009
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公开(公告)号：KR1020070104254A
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：KR1020070038216
申请日：2007-04-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/5093 , C23C16/14 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76856
Abstract: A method of depositing a Ti film and a computer readable storage medium are provided to reduce charge-up damage caused by an electron shading effect by decreasing an amount of ion reaching to a bottom of a hole. A wafer provided with a hole having a diameter of 0.13 micrometers or less and/or an aspect ratio of 10 or more is placed in a chamber(1) having a pair of parallel plate electrodes(8). While a processing gas containing TiCl4 gas, H2 gas and Ar gas is introduced into the chamber, a high-frequency power is supplied to any one of the parallel plate electrodes, and a plasma is formed between the parallel plate electrodes. A Ti film is deposited on the wafer by accelerating reaction of the processing gas using the plasma. The Ti film is deposited by reducing the amount of ions reaching a bottom of the hole when the plasma is formed by controlling a flow rate of Ar gas by up to 1600 mL/min or controlling partial pressure of Ar gas by up to 816.54Pa.
Abstract translation: 提供沉积Ti膜和计算机可读存储介质的方法，以通过减少到达底部的离子的量来减少由电子阴影效应引起的充电损伤。 在具有一对平行平板电极（8）的室（1）中放置具有直径为0.13微米以下和/或10以上的长径比的孔的晶片。 当将含有TiCl 4气体，H 2气体和Ar气体的处理气体引入室内时，向平行板电极中的任一个供给高频电力，在平行板电极之间形成等离子体。 通过使用等离子体加速处理气体的反应，在晶片上沉积Ti膜。 通过将Ar气的流量控制高达1600mL / min，或者将Ar气体的分压控制在816.54Pa以下，通过减少到形成等离子体时的离子底部的离子量来沉积Ti膜。
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