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公开(公告)号：KR101661076B1
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：KR1020157009185
申请日：2013-09-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/314 , H05H1/46 , C23C16/455 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32238 , C23C16/345 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H01J37/32357 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J2237/332 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H05H1/46 , H05H2001/4622
Abstract: 일측면에따른성막장치에서는, 배치대가축선중심으로회전함으로써, 기판배치영역에배치된기판이처리용기내의제1 영역및 제2 영역을순서대로통과한다. 제1 영역에는, 전구체가스가공급된다. 제2 영역에서는, 플라즈마생성부에의해, 반응가스의플라즈마가생성된다. 플라즈마생성부는, 플라즈마원으로서마이크로파를공급하는안테나를갖는다. 안테나는, 유전체제의창 부재및 도파관을포함하고있다. 창부재는, 제2 영역위에설치되어있다. 도파관은, 창부재상에설치되어있다. 도파관은, 축선에대하여방사방향으로연장되는도파로를획정하고있다. 도파관에는, 도파로로부터창 부재를향해마이크로파를통과시키기위한복수의슬롯구멍이형성되어있다. 창부재의하면은, 축선에대하여방사방향으로연장되는홈을획정하고있다.
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公开(公告)号：KR1020150064690A
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：KR1020140170322
申请日：2014-12-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32513 , H01J37/32192 , H01J37/32522 , H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/67126
Abstract: 플라즈마처리장치와반송챔버사이의단열성을손상시키는일없이, 플라즈마처리장치내부로부터의마이크로파의누설을효율적으로방지한다. 인접하는챔버와의사이에서상기피처리체를반입출시키기위한개구부를갖는처리용기와, 상기처리용기내에마이크로파를도입하는마이크로파도입기구와, 상기처리용기를진공상태로하는배기장치와, 상기개구부근방에마련되는게이트밸브에있어서, 상기게이트밸브의외면과상기처리용기에인접하는챔버사이에설치되는단열부재를구비하고, 상기단열부재에는, 적어도상기단열부재와상기게이트밸브의외면의대향면, 상기단열부재와상기처리용기에인접하는챔버의대향면, 및상기단열부재의외기에노출되는면에서도전성피막이피복되어있는, 플라즈마처리장치.
Abstract translation: 可以有效地防止来自等离子体处理装置的内部的微波的泄漏，而不损害等离子体处理装置与返回室之间的绝缘性能。 等离子体处理装置包括具有用于在相邻室之间取出物体的开口部的处理容器; 微波感应工具，在工艺容器中引起微波; 制造处理容器的排气装置被抽真空; 以及绝缘构件，其安装在围绕所述开口部分形成的闸阀的外表面和与所述处理容器相邻的所述室之间，其中，在绝缘构件的至少外表面的相对表面上涂覆有导电涂膜， 闸门，与绝缘构件相邻的腔室的面对表面和处理容器，以及暴露于绝缘构件的外部空气的表面。
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公开(公告)号：KR1020140123532A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：KR1020147022711
申请日：2013-02-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , C23C16/455 , H01J37/32
CPC classification number: C23C16/50 , C23C16/45542 , C23C16/45548 , H01J37/3244 , H01J37/32834 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 일실시형태의 성막 장치에서는, 배치대가 축선 중심으로 회전 가능하게 설치되어 있다. 배치대를 수용하는 처리실은 제1 영역 및 제2 영역을 포함한다. 배치대의 회전에 따라 상기 배치대의 기판 배치 영역이 축선에 대하여 둘레 방향으로 이동하여 제1 영역 및 제2 영역을 순서대로 통과한다. 제1 가스 공급부는, 배치대에 대면하도록 설치된 분사부로부터 제1 영역에 전구체 가스를 공급한다. 배기부는, 분사부의 주위를 둘러싸는 폐로를 따라 연장되도록 형성된 배기구로부터 배기를 행한다. 제2 가스 공급부는, 배기구의 주위를 둘러싸는 폐로를 따라 연장되도록 형성된 분사구로부터 퍼지 가스를 공급한다. 플라즈마 생성부는, 제2 영역에서 반응 가스의 플라즈마를 생성한다. 이 성막 장치에서는, 제1 영역이 상기 축선에 대하여 둘레 방향으로 연장되는 각도 범위보다, 제2 영역이 상기 축선에 대하여 둘레 방향으로 연장되는 각도 범위가 크다.
Abstract translation: 在一个实施例的成膜装置中，放置台围绕轴线可旋转地设置。 容纳放置台的处理室包括第一区域和第二区域。 载置台的基板载置区域随着载置台的旋转而相对于轴线在周向上移动，并依次通过第一区域和第二区域。 第一气体供应单元从设置成面对载置台的喷射部分向第一区域供应前体气体。 排气部分从排气口排出，排气口形成为沿着围绕喷射部分周边的闭合路径延伸。 第二气体供应部分从喷射口供应净化气体，喷射口形成为沿着围绕排气口的封闭路径延伸。 等离子体产生部分在第二区域中产生反应气体的等离子体。 在该成膜装置中，第二区域相对于轴线在圆周方向上延伸的角度范围大于第一区域相对于轴线在圆周方向上延伸的角度范围。
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公开(公告)号：KR101318917B1
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：KR1020127026493
申请日：2009-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/50 , C23C16/511 , C23C16/52 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01J37/32862 , Y10T137/7837
Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는, 배기공(13)으로부터 하방측으로 연장되는 제1 배기로(15)와, 제1 배기로(15)의 배기 방향의 하류측 단부(端部)에 접속되어 있고, 제1 배기로(15)와 수직인 방향으로 연장되며, 배기 방향에 대하여 직교하는 단면에 있어서 상하 방향보다도 폭 방향이 긴 횡장 단면 형상의 제2 배기로(16)와, 제2 배기로(16)의 배기 방향의 하류측 단부에 접속되어 있고, 제2 배기로(16)와 수직인 방향으로 연장되는 제3 배기로(17)와, 제3 배기로(17)의 배기 방향의 하류측 단부에 접속되어 있고, 처리 용기(12) 내를 감압하는 펌프(18)와, 제2 배기로(16) 내에 설치되어 있고, 제2 배기로(16)를 폐쇄 가능하여, 배기 방향의 상류측과 하류측과의 압력을 조정하는 압력 조정용 밸브 플레이트(20)를 갖는 압력 조정 밸브(21)와, 제3 배기로(17) 내에 설치되어 있고, 제3 배기로(17)의 개폐를 행하는 셧오프 밸브 플레이트(22)를 갖는 셧오프 밸브(23)를 구비한다.
Abstract translation: 等离子体处理装置设置有从排气孔向下延伸的第一排气路径; 第二排气通道，其沿着排气方向连接到第一排气通路的下游端部，并且沿与第一排气通路延伸的方向垂直的方向延伸，其横截面与排气通道 方向为水平长，使得宽度方向长度大于横截面中的垂直长度; 第三排气通道，其沿排气方向连接到第二排气路径的下游端部，并且沿与第二排气通路延伸的方向垂直的方向延伸; 泵，其在排气方向上连接到第三排气路径的下游端部，并且减压处理容器的内部; 设置在第二排气路径中的压力控制阀，包括能够关闭第二排气通路并控制排气方向上游侧和下游侧的压力的压力控制阀板; 以及截止阀，其设置在所述第三排气路径中并且包括打开和关闭所述第三排气路径的截止阀板。
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公开(公告)号：KR1020120127544A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：KR1020127026493
申请日：2009-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/50 , C23C16/511 , C23C16/52 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01J37/32862 , Y10T137/7837
Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는, 배기공(13)으로부터 하방측으로 연장되는 제1 배기로(15)와, 제1 배기로(15)의 배기 방향의 하류측 단부(端部)에 접속되어 있고, 제1 배기로(15)와 수직인 방향으로 연장되며, 배기 방향에 대하여 직교하는 단면에 있어서 상하 방향보다도 폭 방향이 긴 횡장 단면 형상의 제2 배기로(16)와, 제2 배기로(16)의 배기 방향의 하류측 단부에 접속되어 있고, 제2 배기로(16)와 수직인 방향으로 연장되는 제3 배기로(17)와, 제3 배기로(17)의 배기 방향의 하류측 단부에 접속되어 있고, 처리 용기(12) 내를 감압하는 펌프(18)와, 제2 배기로(16) 내에 설치되어 있고, 제2 배기로(16)를 폐쇄 가능하여, 배기 방향의 상류측과 하류측과의 압력을 조정하는 압력 조정용 밸브 플레이트(20)를 갖는 압력 조정 밸브(21)와, 제3 배기로(17) 내에 설치되어 있고, 제3 배기로(17)의 개폐를 행하는 셧오프 밸브 플레이트(22)를 갖는 셧오프 밸브(23)를 구비한다.
Abstract translation: 等离子体处理装置设置有从排气孔向下延伸的第一排气路径; 第二排气通道，其沿着排气方向连接到第一排气通路的下游端部，并且沿与第一排气通路延伸的方向垂直的方向延伸，其横截面与排气通道 方向为水平长，使得宽度方向长度大于横截面中的垂直长度; 第三排气通道，其沿排气方向连接到第二排气路径的下游端部，并且沿与第二排气通路延伸的方向垂直的方向延伸; 泵，其在排气方向上连接到第三排气路径的下游端部，并且减压处理容器的内部; 设置在第二排气路径中的压力控制阀，包括能够关闭第二排气通路并控制排气方向上游侧和下游侧的压力的压力控制阀板; 以及截止阀，其设置在所述第三排气路径中并且包括打开和关闭所述第三排气路径的截止阀板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040073355A
公开(公告)日：2004-08-19
申请号：KR1020040009005
申请日：2004-02-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 신덴겐코교 가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32082
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to guarantee repeatability and reliability of a process by securely preventing resonance of harmonics from plasma on a transmission line for transmitting high-frequency power of VHF(very high frequency) band. CONSTITUTION: A process receptacle(10) is prepared whose inside can be decompressed. The first electrode is installed in the process receptacle. A process gas supplying unit supplies process gas to the inside of the process receptacle. A high frequency power part outputs high frequency power(40) with a frequency of VHF band. A matching unit performs an impedance matching, electrically connected to the high frequency power part and the first electrode. High frequency power is transmitted from the high frequency power part to the matching unit by a transmission line. A substrate to be process can be disposed in the process receptacle, and a plasma treatment is performed on the corresponding substrate to be processed by using plasma generated by the high frequency power transmitted to the first electrode. The transmission line is shorter than a minimum length by which a resonance state of the third harmonic of the high frequency power can occur.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，以通过可靠地防止用于传输VHF（非常高频率）频带的高频功率的传输线上的等离子体的谐波的谐振来保证工艺的重复性和可靠性。 构成：制备其内部可以减压的过程容器（10）。 第一个电极安装在工艺容器中。 处理气体供给单元向处理容器的内部供给处理气体。 高频功率部分以VHF频带的频率输出高频功率（40）。 匹配单元执行阻抗匹配，电连接到高频功率部分和第一电极。 高频功率通过传输线从高频功率部分发送到匹配单元。 要处理的基板可以设置在处理容器中，并且通过使用通过传输到第一电极的高频功率产生的等离子体对待处理的相应基板进行等离子体处理。 传输线比通过其发生高频功率的三次谐波的共振状态的最小长度短。
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公开(公告)号：KR101943693B1
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：KR1020150159042
申请日：2015-11-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32 , C23C16/511 , C23C16/44 , C23C16/455
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公开(公告)号：KR1020160057338A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：KR1020150159042
申请日：2015-11-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/683 , H01L21/60
CPC classification number: C23C16/511 , C23C16/4412 , C23C16/45536 , C23C16/45548 , H01J37/3222 , H01J37/32449
Abstract: 본발명은, 배치대의회전중심으로부터배치대의직경방향에있어서의피처리기판의막 두께의균일성을향상시키는것을목적으로한다. 개시하는기판처리장치(10)는, 기판(W)을배치하고, 축선(X)을중심으로회전하는배치대(14)와, 제1 영역(R1)에설치된안테나(22a)와, 제1 영역(R1)에반응가스를공급하는반응가스공급부를구비한다. 반응가스공급부는, 내측분사구(50b) 및외측분사구(51b)를갖는다. 내측분사구(50b)는, 축선(X) 방향에서보았을경우에, 안테나(22a)의영역보다도축선(X)에가까운위치에마련되고, 축선(X)으로부터멀어지는방향으로반응가스를분사한다. 외측분사구(51b)는, 축선(X) 방향에서보았을경우에, 안테나(22a)의영역보다도축선(X)으로부터먼 위치에마련되고, 축선(X)에근접하는방향으로, 내측분사구(50b)로부터분사되는반응가스의유량과는독립적으로제어된유량의반응가스를분사한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提高从布置台的旋转中心沿着布置台的直径方向加工的基板的膜的厚度均匀性。 公开的基板处理装置（10）包括：布置基板（W）并围绕轴线（X）旋转的布置台（14）; 安装在第一区域（R1）中的天线（22a）; 以及用于将反应气体供给到第一区域（R1）的反应气体供给部。 反应气体供给部具有内侧喷孔（50b）和外侧喷孔（51b）。 当沿着轴线方向（X）观察时，内侧喷孔（50b）布置在比天线（22a）的区域更靠近轴线（X）的位置，并将反应气体喷射到 变得远离轴线（X）的方向。 当从轴线（X）的方向观察时，外侧喷孔（51b）布置在比天线（22a）的区域更远离轴线（X）的位置，并且将反应气体与 流量，其独立于从内侧喷孔（50b）喷射的反应气体的流量在接近轴线（X）的方向上被控制。
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公开(公告)号：KR1020140036235A
公开(公告)日：2014-03-25
申请号：KR1020137033375
申请日：2012-06-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이와사키마사히데
IPC: H01L21/3065 , C23C16/511 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32201 , H01J37/32211 , H01J37/3222
Abstract: RF 바이어스용 고주파를 인가하기 위한 급전봉과, 상기 급전봉의 상단에 서셉터를 접속하고, 하단에 매칭 유닛 내의 정합기의 고주파 출력 단자를 접속하며, 급전봉을 내부 도체로 하여 그 주위를 둘러싸는 원통형의 외부 도체를 설치하고, 동축 선로를 형성한 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 동축 선로에는, 챔버 내의 플라즈마 생성 공간으로부터 선로 내에 들어간 원하지 않는 마이크로파의 공간 전파를 차단하기 위한 쵸크 기구를 설치하고, 마이크로파의 RF 급전 라인에 대한 누설을 라인 도중에서 차단하여 마이크로파 누설 장애를 방지한다.
Abstract translation: 微波等离子体处理装置包括供电棒，该供电棒对RF偏压施加高频波，其上端连接到基座，下端连接到匹配器的高频输出端，匹配 单元; 围绕用作内部导体的供电杆的圆柱形外部导体; 和同轴线。 同轴线安装有扼流器机构，其构造成阻挡从腔室中的等离子体产生空间进入管线的不期望的微波，并且在线路中部防止微波对RF馈电线的泄漏，从而抑制微波 泄漏。
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公开(公告)号：KR101333112B1
公开(公告)日：2013-11-26
申请号：KR1020127003140
申请日：2008-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이와사키마사히데
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/511 , H01J37/32229 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 소정의 플라즈마 처리가 실시되는 기판을 수납하는 감압 배기 가능한 처리실과, 플라즈마를 생성하기 위해 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기와, 상기 마이크로파 발생기로부터의 마이크로파를 상기 처리실로 전파하는 도파관과, 상기 도파관의 일단에 연결된 도파관-동축관 변환기와, 마이크로파가 상기 도파관-동축관 변환기로부터 상기 처리실로 전파되는 라인을 형성하는 동축관을 포함하는 플라즈마 처리 장치가 개시된다. 상기 동축관의 내부 도전체는, 중공부와, 상기 동축관의 내부 도전체의 중공부를 통해 상기 처리실로 처리 가스를 공급하는 제 1 처리 가스 공급부를 구비한다.
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