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    기판처리장치 및 기판처리방법
    11.
    发明授权
    기판처리장치 및 기판처리방법 有权
    基板处理装置及基板处理方法

    公开(公告)号：KR100887360B1

    公开(公告)日：2009-03-06

    申请号：KR1020020003783

    申请日：2002-01-23

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 토시마타카유키 ,  오리이타케히코

    IPC: H01L21/304

    CPC classification number: H01L21/67103 ,  B08B3/04 ,  B08B3/10 ,  H01L21/67051

    Abstract: 본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로서, 처리액을 공급하여 기판(W)을 기판처리장치(8)에서 기판(W)을 보유유지하는 보유유지수단(22) 과, 보유유지수단(22)에 의해 보유유지된 기판(W) 하면에 근접한 처리위치(A)와 기판(W)하면에서 분리된 퇴피위치(B)와의 사이에서 상대적으로 이동하는 하면부재(42)를 구비한다. 처리위치(A)에 이동한 하면부재(42)와 보유유지수단(22)에 의해 보유유지된 기판(W) 하면간에 처리액이 공급되어 기판(W) 하면이 처리된다. 또한, 액처리장치의 일실시형태인 세정처리유니트(221a)는 웨이퍼(W)를 대략 수평으로 보유유지하는 스핀척(223)과 스핀척(223)에 보유유지된 웨이퍼(W)의 하측으로 대략 수평으로 설치된 스테이지(224)와, 스핀척(223)으로 보유유지된 웨이퍼(W)와 스테이지(224)와의 간격에 소정의 세정액을 공급하는 세정액 공급구멍(241)을 구비한다. 스테이지(224)의 표면은 세정액의 접촉각이 50도 이상이되는 누수성을 갖추도록 소수성 폴리머로 코팅되어 있고, 스핀척(223)에 보유유지된 웨이퍼(W) 와 스테이지(224)의 간격에 세정액층을 형성하여 웨이퍼(W)의 액처리를 실행하는 기술이 제공된다.

    Abstract translation: 基板处理装置和基板处理方法技术领域本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法，并且包括用于将基板（W）保持在基板处理设备（8）中的保持装置（22） 以及下表面部件42，其在靠近被下表面22保持的基板W的下表面的加工位置A与从基板W的下表面离开的后退位置B之间相对移动。 处理液被供给到由保持部件22保持的基板W的下表面，移动到处理位置A的下表面部件42被处理，基板W的下表面被处理。 此外，该液体处理装置的清洗处理单元（221A）的一个实施方案中的下侧为在大致水平保持机构保持的晶片（W）保持在旋转卡盘223的晶片（W），和一个旋转卡盘223 以及清洗液供给孔241，用于向由旋转卡盘223保持的晶圆W与工作台224之间的间隔供给规定的清洗液。 所述级224的表面是涂布有方式的疏水性聚合物的有泄漏的特性，即清洗液异常50度的接触角，并在晶片（W）的时间间隔内的洗涤液层和载物台224被保持保持在旋转卡盘223 提供晶片W的液体处理。

    기판처리장치 및 기판처리방법
    13.
    发明公开
    기판처리장치 및 기판처리방법 失效

    公开(公告)号：KR1020030087543A

    公开(公告)日：2003-11-14

    申请号：KR1020030028500

    申请日：2003-05-06

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  소니 주식회사

    Inventor： 토시마타카유키 ,  아베히토시

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: H01L21/67757 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/6708 ,  Y10S156/914

    Abstract: 본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로서, 기판처리장치의 하나의 실시예인 레지스트 제거장치(1)는 처리용기(10)의 내부에 웨이퍼(W)를 수용하고, 수증기와 오존 함유 가스를 처리용기(10)내에 공급함으로써 웨이퍼에 부착하고 있는 레지스트의 제거처리를 행한다. 수증기와 오존 함유 가스의 혼합가스 분위기에 노출되는 처리용기(10)의 내면 및 처리용기(10)의 내부에 설치된 부재의 표면에는 SiO
    2 피막(13)이 형성되어 있고, 이것에 의해 처리용기(10) 및 처리용기(10)의 내부에 설치된 부재의 내구성을 향상시키고, 또 파티클의 발생을 억제하는 기술을 제공한다.

    캡 메탈 형성 방법
    15.
    发明授权
    캡 메탈 형성 방법 有权
    CAP金属成型方法

    公开(公告)号：KR101123703B1

    公开(公告)日：2012-03-16

    申请号：KR1020090022548

    申请日：2009-03-17

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 토시마타카유키 ,  이와시타미츠아키 ,  타나까타카시 ,  사이토유스케

    IPC: H01L21/288 ,  C23C18/31

    CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1669 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/76849

    Abstract: 기판면 내에서 균일한 막 두께 형성을 실현하는 것이다. 이 캡 메탈 형성 방법은, 기판의 피처리면에 형성된 구리 배선 상에 캡 메탈을 형성하는 방법으로서, 기판을 회전 가능하게 유지하는 단계와, 유지된 기판을 기판의 피처리면에 따르는 방향으로 회전시키는 단계와, 기판의 주연부의 피처리면 상에 일정 간격으로 대향하여 교반(攪拌) 부재의 단부(端部)를 배치하는 단계와, 피처리면에 도금 처리액을 공급하는 단계와, 도금 처리액의 공급을 정지시키고, 또한, 교반 부재를 이동하여 해당 교반 부재의 단부를 기판의 피처리면으로부터 이간시키는 단계를 갖는다.

    캡 메탈 형성 방법
    16.
    发明公开
    캡 메탈 형성 방법 有权
    CAP金属成型方法

    公开(公告)号：KR1020100033915A

    公开(公告)日：2010-03-31

    申请号：KR1020090022548

    申请日：2009-03-17

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 토시마타카유키 ,  이와시타미츠아키 ,  타나까타카시 ,  사이토유스케

    IPC: H01L21/288 ,  C23C18/31

    CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1669 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/76849

    Abstract: PURPOSE: A cap metal forming method is provided to improve adhesion of plating and wring by removing organic materials contained in the plating and supplying an electroless plating solution by rotating a substrate. CONSTITUTION: A cap metal forming method comprises the following steps: maintaining a substrate; rotating the substrate on a direction followed into the processed surface; arranging an end part of an agitating member(155) by arranging a peripheral part of the substrate on the surface to be processed; supplying plating processing liquid; stopping supply of the plating processing liquid; and separating one end of the agitating member from the surface to be processed.

    Abstract translation: 目的：提供一种金属帽形成方法，通过去除电镀中包含的有机材料并通过旋转基底来提供化学镀溶液来提高电镀和拧紧的附着力。 构成：帽金属成形方法包括以下步骤：保持基材; 在沿着加工表面的方向旋转基板; 通过将所述基板的周边部分布置在待处理的表面上来布置搅拌构件（155）的端部; 电镀处理液供应; 停止电镀处理液的供应; 并且将搅拌构件的一端与要处理的表面分离。

    반도체 제조 장치, 반도체 제조 방법
    17.
    发明公开
    반도체 제조 장치, 반도체 제조 방법 有权
    半导体制造设备和半导体制造方法

    公开(公告)号：KR1020090106339A

    公开(公告)日：2009-10-08

    申请号：KR1020090023061

    申请日：2009-03-18

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 하라켄이치 ,  이와시타미츠아키 ,  타나까타카시 ,  토시마타카유키 ,  오리이타케히코

    IPC: C23C18/54 ,  C23C18/31 ,  H01L21/288

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor manufacturing method thereof are provided to suppress effect of by-products generated in the plating reaction and reduce the used amount of the electroless plating solution. CONSTITUTION: A semiconductor manufacturing apparatus comprises a holding mechanism, a nozzle, a board rotation device, a nozzle transfer device, and a controller. The holding mechanism maintains a substrate(W) to be rotated. The nozzle supplies the processing liquid to perform the plating treatment on the processed surface of the substrate. The board rotation device rotates the substrate maintained in the holding mechanism in the direction according to the processed surface. The nozzle transfer device moves a nozzle in the location faced with the processed surface of the substrate maintained in the holding mechanism in the direction according to the processed surface. The controller controls the supply of the processing liquid by the nozzle and the movement of processing liquid by the nozzle transfer device.

    Abstract translation: 目的：提供一种半导体制造装置及其半导体制造方法，以抑制电镀反应中产生的副产物的影响，并减少化学镀溶液的使用量。 构成：半导体制造装置包括保持机构，喷嘴，板旋转装置，喷嘴传送装置和控制器。 保持机构保持要旋转的基板（W）。 喷嘴供给处理液，对基板的被处理面进行电镀处理。 板旋转装置使保持在保持机构中的基板沿着经处理的表面的方向旋转。 喷嘴传送装置在保持在保持机构中的基板的被处理面朝向与处理面相对的方向上移动喷嘴。 控制器通过喷嘴控制处理液的供给和喷嘴传送装置的处理液的移动。

    기판처리방법 및 기판처리장치
    18.
    发明授权
    기판처리방법 및 기판처리장치 有权
    基板处理方法及基板处理装置

    公开(公告)号：KR100729410B1

    公开(公告)日：2007-06-15

    申请号：KR1020050065123

    申请日：2005-07-19

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

    IPC: H01L21/304

    CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

    Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

    Abstract translation: 基板处理方法和基板处理装置技术领域本发明涉及一种基板处理方法和基板处理装置，为了清洁半导体晶片（W），在处理容器中容纳晶片，在晶片表面上形成纯水液膜， 并且，通过臭氧水的液膜除去晶片表面的抗蚀剂膜，通过在晶片表面上冷凝水蒸气而形成纯液膜， 并且，通过这些反应产生羟基自由基等，可以除去晶片表面上的抗蚀剂膜，并且提出了能够通过这些方法获得高抗蚀剂去除能力的技术。

    기판처리장치
    19.
    发明公开
    기판처리장치 有权

    公开(公告)号：KR1020060108581A

    公开(公告)日：2006-10-18

    申请号：KR1020060092852

    申请日：2006-09-25

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

    IPC: H01L21/304

    CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

    Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

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