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公开(公告)号：KR1020010007165A
公开(公告)日：2001-01-26
申请号：KR1020000029912
申请日：2000-06-01
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 파틀로윌리엄엔. , 포멘코프이고르브이. , 벅스다니엘엘.
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A plasma focused high energy photon source is provided to make it possible to work at a high repeat speed and to generate high-energy ultraviolet rays and X-ray radiation by installing a pair of plasma pinch electrodes in a vacuum chamber including a working gas. CONSTITUTION: Since a small amount of a working gas such as a mixture of helium and lithium steam exists near a base of coaxial electrodes(8) to which electricity is supplied by a low-inductance pulse power circuit(10), avalanche breakdown occurs between inside and outside electrodes of the electrodes(8) whenever a high-voltage pulse is applied, the gas is ionized and conductive plasma is generated between the electrodes. Then, current flows from the inside electrode to the outside electrode to generate a magnetic field, which accelerates a fluid charge carrier and moves it away from the base of the electrodes(8). When the plasma reaches a tip of a central electrode, the force of an electric field and a magnetic field pinches the plasma along the center line of the central electrode and rapidly raises the pressure and temperature of the plasma to reach an extremely high temperature.
Abstract translation: 目的：提供等离子体聚焦的高能量光子源，以便能够以高重复速度工作，并通过在包括工作的真空室中安装一对等离子体夹持电极来产生高能量的紫外线和X射线辐射 加油站。 构成：由于在由低电感脉冲电源电路（10）供电的同轴电极（8）的基部附近存在少量诸如氦和锂蒸汽混合物的工作气体，所以在 只要施加高电压脉冲，电极（8）的内部和外部电极中的气体被电离，并且在电极之间产生导电等离子体。 然后，电流从内部电极流到外部电极，产生磁场，加速流体电荷载体并将其从电极（8）的基底移开。 当等离子体到达中心电极的尖端时，电场和磁场的力沿着中心电极的中心线夹住等离子体，并迅速升高等离子体的压力和温度以达到极高的温度。
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公开(公告)号：KR1020000076846A
公开(公告)日：2000-12-26
申请号：KR1020000012713
申请日：2000-03-14
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 파틀로윌리엄엔. , 포멘코프이고르브이. , 벅스다니엘엘.
IPC: H01L21/263
CPC classification number: H05G2/003 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70166 , G03F7/70916 , H05G2/005 , H05H1/06
Abstract: 고에너지광자원. 한쌍의플라즈마핀치전극이진공챔버에위치되어있다. 요구되는스펙트럼라인을제공하기위해선택되는활성가스와불활성버퍼가스를포함하는작용가스. 펄스전력원은활성가스의스펙트럼라인에서방사를제공하는작용가스에서고 밀도플라즈마핀치, 초고온을발생하기위해전극간의전기방전을발생시키기에충분히높은전압에서전기펄스를제공한다. 외부의반사방사컬렉터-디렉터는플라즈마핀치에서발생된방사를수집하고요구되는방향으로방사를향하게한다. 바람직한실시예에서, 활성가스는리튬이고완충가스는헬륨이며방사컬렉터-디렉터는전극에사용되는물질로코팅된다. 양호하게선택되는물질은텅스텐이다. 제 2의바람직한실시예에서완충가스는아르곤이고리튬가스는동축의전극구성의중심전극축을따라홀에위치된고형또는액체리튬의증기화에의해발생된다. 기타바람직한실시예에서는방사컬렉터-디렉터상부로원추형내포파편컬렉터가사용된다.
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公开(公告)号：KR101238739B1
公开(公告)日：2013-03-04
申请号：KR1020117014864
申请日：2006-10-20
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 에르쇼프알렉산더아이. , 파틀로윌리엄엔. , 브라운다니엘제이.더블유. , 포멘코프아이고르브이. , 베르그스테츠로버트에이. , 샌드스트롬리차드엘. , 라로빅이반
CPC classification number: H01S3/225 , G03F7/70583 , H01S3/005 , H01S3/0057 , H01S3/03 , H01S3/034 , H01S3/08036 , H01S3/08059 , H01S3/10092 , H01S3/105 , H01S3/2251 , H01S3/2333
Abstract: 제1가스방전 엑시머 또는 분자 플루오르 레이저 챔버, 및 제1오실레이터 캐비티 내의 라인 내로우잉 모듈을 포함하는 레이저 출력 광 빔 펄스를 포함하는 출력을 산출하는 시드 레이저 오실레이터; 레이저 출력 광 빔 펄스를 포함하는 레이저 시스템 출력을 형성하기 위해 시드 레이저 오실레이터의 출력을 수신하고, 시드 레이저 오실레이터의 출력을 증폭하는 제2가스방전 엑시머 또는 분자 플루오르 레이저 챔버 내에 증폭 이득 매체를 포함하는 레이저 증폭 스테이지; 및 링 파워 증폭 스테이지를 포함하는 라인 내로우드 펄스 엑시머 또는 분자 플루오르 가스방전 레이저 시스템을 포함할 수 있는 방법 및 장치가 개시된다.
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公开(公告)号：KR101235047B1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：KR1020127002413
申请日：2005-11-28
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 알고트스마틴제이. , 버그스테트로버트에이. , 글레스피월터디. , 쿨게이코블라디미르에이. , 파틀로윌리엄엔. , 라일로프게르만이. , 샌드스트롬리차드엘. , 스트레이트브라이언디. , 다이어디모티에스.
IPC: H01S3/22
CPC classification number: H01S3/1055 , G03F7/70025 , G03F7/70041 , H01S3/005 , H01S3/036 , H01S3/08 , H01S3/08004 , H01S3/08059 , H01S3/097 , H01S3/106 , H01S3/2251
Abstract: 공칭 광경로를 갖고 있고, 펄스의 버스트를 포함하는 출력 레이저 광 빔을 생성하는 협대역 DUV 고전력 고반복율 가스 방전 레이저용 라인 내로잉 모듈에 있어서, 분산 중심 파장 선택 광학기구상의 각각의 펄스를 포함하는 레이저 광 빔의 입사각에 의해 적어도 부분적으로 결정된 각 펄스에 대하여 적어도 하나의 중심 파장을 선택하는, 상기 라인 내로우잉 모듈의 광경로내에 이동가능하게 장착된 상기 분산 중심 파장 선택 광학기구; 상기 분산 중심 파장 선택 광학기구쪽으로 펄스를 포함하는 레이저 광 빔의 투사각을 선택함으로써, 상기 분산 중심 파장 선택 광학 기구상에 각 펄스를 포함하는 레이저 광 빔의 입사각을 선택하도록 부분적으로 동작하는 제1 튜닝 메커니즘; 및 상기 라인 내로우잉 모듈의 공칭 광경로에 대하여 상기 분산 중심 파장 선택 광학기구의 위치를 변경함으로써 상기 각 펄스를 포함하는 레이저 광 빔의 입사각을 선택하도록 부분적으로 동작하는 제2 튜닝 메커니즘;을 포함하고, 상기 제2 튜닝 메커니즘은 상기 중심 파장에 대한 값을 거칠게 선택하고 상기 제1 튜닝 메커니즘은 상기 중심 파장에 대한 값을 보다 미세하게 선택하는 라인 내로우잉 방법 및 모듈이 개시되어 있다.
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公开(公告)号：KR101151260B1
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：KR1020057024794
申请日：2004-06-14
Applicant: 사이머 엘엘씨
CPC classification number: H01F27/266 , H01F27/025 , H01F27/10 , H01S3/097
Abstract: 적어도 하나의 코어 지지 부재 벽을 구비하고 중심에 위치된 코어 지지 부재(200) 주위에 배치된 자기 코어를 구비한 자기 회로 소자를 냉각하기 위한 장치와 방법이 개시되고, 자기 회로 소자는 코어 지지 냉각제 유입부(282); 코어 지지 냉각제 유출부(283); 및 복수의 상호 연결된 냉각제 유로(270);를 포함할 수 있고, 상기 냉각제 유로는 코어 지지 부재 벽내에 포함되고 상호 연결되며, 코어 지지 냉각제 유입부로부터 코어 지지 냉각제 유출부까지 코어 지지 부재 벽의 적어도 실질적인 부분내에 있는 냉각제 흐름 경로를 따라 코어 지지 부재 벽내의 하나의 냉각제 유로로부터 다음 냉각제 유로로 냉각제를 통과시키도록 배치된다. 또한, 본 장치에서, 각각의 코어 지지 냉각제 유로는 각각의 코어 지지 냉각제 유로의 각각의 단부에서 유체 연통 플레넘과 유체 연통하고, 각각의 유체 연통 플레넘은 각각의 코어 지지 냉각제 유로중 적어도 제 1 유로를 위한 유출 플레넘 및 각각의 코어 지지 냉각제 유로중 적어도 제 2 유로를 위한 유입 플레넘을 코어 지지 냉각제 유입부로부터 코어 지지 냉각제 유출부까지의 냉각제 흐름 경로를 따라 형성한다.
코어 지지 부재, 자기 회로 소자, 자기 코어, 냉각제 유입부, 냉각제 유출부, 냉각제 유로-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070110885A
公开(公告)日：2007-11-20
申请号：KR1020077021531
申请日：2006-02-24
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 보워링노보트알. , 한손브존에이.,엠. , 바이카노프알렉산더엔. , 코디킨올레 , 엘쇼프알렉산더아이. , 파틀로윌리엄엔.
CPC classification number: G03F7/70925 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70166 , G03F7/70916 , G21K2201/06 , H05G2/001
Abstract: Systems and methods are disclosed for protecting an EUV light source plasma production chamber optical element surface from debris generated by plasma formation. In one aspect of an embodiment of the present invention, a shield is disclosed which comprises at least one hollow tube positioned between the optical element and a plasma formation site. The tube is oriented to capture debris while allowing light to pass through the tube's lumen via reflection at relatively small angles of grazing incidence. In another aspect of an embodiment of the present invention, a shield is disclosed which is heated to a temperature sufficient to remove one or more species of debris material that has deposited on the shield. In yet another aspect of an embodiment of the present invention, a system is disclosed which a shield is moved from a light source plasma chamber to a cleaning chamber where the shield is cleaned.
Abstract translation: 公开了用于保护EUV光源等离子体生产室光学元件表面免受等离子体形成产生的碎片的系统和方法。 在本发明的实施例的一个方面，公开了一种屏蔽件，其包括位于光学元件和等离子体形成部位之间的至少一个中空管。 管被定向以捕获碎片，同时允许光以相对较小的掠入射角度的反射通过管的内腔。 在本发明的一个实施例的另一方面，公开了一种屏蔽件，其被加热到足以去除沉积在屏蔽上的一种或多种碎屑材料的温度。 在本发明的一个实施例的另一方面，公开了一种系统，其将屏蔽件从光源等离子体室移动到清洁室，其中屏蔽件被清洁。
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公开(公告)号：KR100767301B1
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：KR1020027006940
申请日：2000-11-22
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 파틀로윌리엄엔. , 샌드스트롬리차드엘. , 사이벌스키레이몬드에프. , 포멘코프이고르브이. , 에르쇼프알렉산더아이.
IPC: H01S3/22
Abstract: 높은 반복률의 고 에너지 레이저 빔을 생성하는 라인 협소화된 레이저내의 열 왜곡을 최소화하는 격자 기반 라인 협소화 디바이스용 헬륨 퍼지가 개시된다. 출원인은 종래의 질소 퍼지에 비해 헬륨 퍼지를 사용함으로써 성능면에서 실질적인 향상을 보여주었다. 바람직한 실시예에서, 헬륨 가스의 흐름은 격자(16)를 가로지른다. 다른 실시예에서, 퍼지 가스 압력은 감소되어서, 고온 가스 레이어의 광학효과를 감소시킨다.
반복률, 헬륨 가스, 퍼지 가스, 고온 가스 레이어, 매니폴드-
公开(公告)号：KR1020070091603A
公开(公告)日：2007-09-11
申请号：KR1020077009514
申请日：2005-10-20
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 파틀로윌리엄엔. , 포멘코프이고르브이. , 에르쇼프알렉산더아이. , 올드햄윌리엄 , 햄버그오스카 , 마르크스윌리엄에프.
IPC: H01L21/306
CPC classification number: B08B7/00
Abstract: A method and apparatus that may comprise an EUV light producing mechanism utilizing an EUV plasma source material comprising a material that will form an etching compound, which plasma source material produces EUV light in a band around a selected center wavelength comprising: an EUV plasma generation chamber; an EUV light collector contained within the chamber having a reflective surface containing at least one layer comprising a material that does not form an etching compound and/or forms a compound layer that does not significantly reduce the reflectivity of the reflective surface in the band; an etchant source gas contained within the chamber comprising an etchant source material with which the plasma source material forms an etching compound, which etching compound has a vapor pressure that will allow etching of the etching compound from the reflective surface. The etchant source material may comprises a halogen or halogen compound. The etchant source material may be selected based upon the etching being stimulated in the presence of photons of EUV light and/or DUV light and/or any excited energetic photons with sufficient energy to stimulate the etching of the plasma source material. The apparatus may further comprise an etching stimulation plasma generator providing an etching stimulation plasma in the working vicinity of the reflective surface; and the etchant source material may be selected based upon the etching being stimulated by an etching stimulation plasma. There may also be an ion accelerator accelerating ions toward the reflective surface. The ions may comprise etchant source material. The apparatus and method may comprise a part of an EUV production subsystem with an optical element to be etched of plasma source material.
Abstract translation: 可以包括使用EUV等离子体源材料的EUV发光机构的方法和装置，所述EUV等离子体源材料包括将形成蚀刻化合物的材料，所述等离子体源材料在所选择的中心波长周围的带内产生EUV光，包括：EUV等离子体产生室 ; 包含在室内的EUV光收集器具有反射表面，该反射表面包含至少一层，该层包含不形成蚀刻化合物的材料和/或形成不显着降低该带中的反射表面的反射率的化合物层; 包含在腔室内的蚀刻剂源气体包括蚀刻剂源材料，等离子体源材料与蚀刻剂源材料形成蚀刻化合物，该蚀刻化合物具有允许从反射表面蚀刻蚀刻化合物的蒸气压。 蚀刻剂源材料可以包含卤素或卤素化合物。 蚀刻剂源材料可以基于在存在EUV光和/或DUV光的光子和/或具有足够能量以激发等离子体源材料的蚀刻的任何激发能量光子的情况下被激发的蚀刻来选择。 该装置还可以包括在反射表面的工作附近提供蚀刻刺激等离子体的蚀刻刺激等离子体发生器; 并且蚀刻剂源材料可以基于通过蚀刻刺激等离子体刺激的蚀刻来选择。 还可以存在离子加速剂将离子朝向反射表面加速。 离子可以包括蚀刻剂源材料。 该装置和方法可以包括具有待蚀刻的等离子体源材料的光学元件的EUV生产子系统的一部分。
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公开(公告)号：KR100585624B1
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：KR1020027001587
申请日：2000-07-25
Applicant: 사이머 엘엘씨
IPC: H01S3/00
Abstract: 2000㎐ 이상의 비율로 제어되는 높은 에너지의 전기 펄스를 공급하는 고펄스율 펄스전원(20)이 개시되어 있다. 상기 전원(20)은 충전 커패시터(20), 고체 스위치(44-46) 및 전류제한인덕터(48)를 포함하는 펄스발생회로(50)를 포함한다. 펄스발생회로(30)에서 발생된 펄스는 적어도 2개의 펄스압축회로에서 압축되고 승압 펄스 변압기는 피크 전압을 적어도 12,000볼트로 증가시킨다. 초고속 안정화 전원은 충전 커패시터(42)를 400마이크로초 미만내에 충전시키기 위해 제공되고 프로그램된 프로세서(102)를 포함하는 펄스 제어 시스템은 초 당 적어도 4000 전하의 충전속도로 약 1% 미만의 정밀도로 충전 커패시터(42)의 충전을 제어한다. 2000 내지 4000㎐ 이상의 펄스율에서 동작할 수 있는 바람직한 실시예에서, 가포화 인덕터(48,54,64)의 수냉장치가 제공된다.
펄스전력 시스템, 펄스변압기, 압축회로, 피킹 커패시터, 가포화 인덕터, 펄스발생회로, 누설전류, 수냉장치-
公开(公告)号：KR1020060035635A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：KR1020057024794
申请日：2004-06-14
Applicant: 사이머 엘엘씨
CPC classification number: H01F27/266 , H01F27/025 , H01F27/10 , H01S3/097
Abstract: An apparatus and method for providing cooling to a magnetic circuit element having a magnetic core disposed around a centrally located core support member having at least one core support member wall is disclosed which may comprise a core support coolant inlet; a core support coolant outlet; a plurality of interconnected coolant flow passages contained within the core support member wall and interconnected and arranged to pass coolant from one coolant flow passage to the next within the core support member wall along a coolant flow path within at least a substantial portion of the core support member wall from the core support coolant inlet to the core support coolant outlet. The apparatus may also comprise each core support coolant flow passage is in fluid communication with a fluid communication plenum at each end of each respective core support coolant flow passage, with each respective fluid communication plenum forming an outlet plenum for at least a first one of the respective core support coolant flow passages and an inlet plenum for at least a second one of the respective core support coolant flow passages along the coolant flow path from the core support coolant inlet to the core support coolant outlet. The core support member may comprise a flange extending from the core support member, the flange having an inner dimension and an outer dimension, which may also comprise a plurality of interconnected flange coolant flow passages extending alternatively toward the inner dimension and away from the outer dimension and then toward the outer dimension and away from the inner dimension, between the core support coolant inlet and the core support coolant outlet. The core and core support may be contained in a housing which may comprise a housing wall; a housing coolant inlet; a housing coolant outlet; and a plurality of interconnected housing coolant flow passages contained within the housing wall and interconnected and arranged to pass coolant from one coolant flow passage to the next within the housing wall along a coolant flow path within at least a substantial portion of the housing wall from the housing coolant inlet to the housing coolant outlet. The housing and core support may forma a part of at least a portion of an electrical current flow path forming two turns around the magnetic core. In another aspect of the invention buswork may be coated with a thin film of electrically conductive material.
Abstract translation: 公开了一种用于向具有设置在具有至少一个芯支撑构件壁的中心定位的芯支撑构件周围的磁芯的磁路元件提供冷却的装置和方法，其可包括芯支撑冷却剂入口; 核心支撑冷却液出口; 多个互连的冷却剂流动通道，其容纳在所述芯部支撑构件壁内并且互连并且布置成沿着所述芯部支撑件的至少大部分内的冷却剂流动路径将冷却剂从一个冷却剂流动通道传递到所述芯部支撑构件壁内的下一个 构件壁从芯部支撑冷却剂入口到芯部支撑冷却剂出口。 该装置还可以包括每个芯支撑冷却剂流动通道与每个相应的芯支撑冷却剂流动通道的每个端部处的流体连通通气室流体连通，每个相应的流体连通增压室形成出口压力室，用于至少第一个 相应的芯支撑冷却剂流动通道和用于沿着从芯支撑冷却剂入口到芯支撑冷却剂出口的冷却剂流动路径的相应的芯支撑冷却剂流动通道中的至少第二个的入口气室。 芯支撑构件可以包括从芯支撑构件延伸的凸缘，凸缘具有内部尺寸和外部尺寸，该凸缘还可以包括多个互连的凸缘冷却剂流动通道，所述凸缘冷却剂流动通道相对于内部尺寸交替地延伸并远离外部尺寸 然后朝向外部尺寸并远离内部尺寸，在核心支撑冷却剂入口和芯部支撑冷却剂出口之间。 芯和芯支撑件可以包含在可以包括壳体壁的壳体中; 壳体冷却剂入口; 外壳冷却液出口; 以及多个互连的壳体冷却剂流动通道，其容纳在所述壳体壁内并且被互连并且布置成将冷却剂沿着沿着所述壳体壁的至少大部分内的冷却剂流动路径从所述壳体壁在所述壳体壁内向下流动 将冷却剂入口容纳到壳体冷却剂出口。 壳体和芯部支撑件可以形成绕磁芯形成两圈的电流流路的至少一部分的一部分。 在本发明的另一方面，母线可以涂覆有导电材料的薄膜。
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