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公开(公告)号：KR100593907B1
公开(公告)日：2006-06-30
申请号：KR1020040036329
申请日：2004-05-21
Applicant: 삼성전기주식회사
Inventor： 신효순
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J2329/00
Abstract: 본 발명은 전계방출 에미터전극 제조방법에 관한 것으로서, 전해조에 금속이온을 함유한 전해액을 제공하는 단계와, 상기 전해액에 탄소나노튜브와 상기 탄소나노튜브 입자의 응집을 방해하기 위한 양이온 분산제를 제공하는 단계와, 상기 전해액에 함침된 음극드럼과 불용성 양극부에 소정의 전압을 인가하고 상기 음극드럼의 표면을 따라 상기 탄소나노튜브를 포함한 금속막을 형성하는 단계를 포함하는 전계방출 에미터전극 제조방법을 제공한다.
전해도금공정(electrolythical plating), 전계방출장치(field emitting device), 전계방출 에미터(field emittere), 탄소나노튜브(carbon nanotube)-
公开(公告)号：KR100587006B1
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：KR1020040110924
申请日：2004-12-23
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01G4/30
Abstract: 균열 발생을 방지하고 높은 신뢰성을 갖는 적층형 칩 커패시터 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 적층형 칩 커패시터는, 복수의 유전체층이 적층되어 형성된 커패시터 본체와; 상기 복수의 유전체 상에 형성되어, 메인 전극부와 리드부를 갖는 복수의 제1 내부 전극 및 제2 내부 전극과; 상기 커패시터 본체의 양 측면에 형성되어 상기 제1 및 제2 내부 전극의 양 측단부와 접하는 칩 보호용 측면 부재와; 상기 커패시터 본체의 외면에 형성되어 상기 리드부를 통해 상기 내부 전극에 연결된 한쌍의 외부 단자 전극을 포함하며, 상기 메인 전극부의 폭은 상기 유전체층의 폭과 동일하고, 상기 리드부의 폭은 상기 유전체층의 폭보다 작다.
적층형 칩 커패시터Abstract translation: 本发明提供防止发生裂纹并且具有高可靠性的多层片状电容器及其制造方法。 根据本发明的多层片状电容器包括：电容器主体，其通过堆叠多个介电层而形成; 多个第一内部电极和第二内部电极，形成在所述多个电介质上并具有主电极部分和引线部分; 芯片保护侧部件，形成在电容器主体的两侧表面上并与第一和第二内部电极的两侧端接触; 形成的电容器主体，其包括一对通过所述盖连接到所述内部电极的外部端子电极的外表面上，所述主电极部的宽度是宽和相同的，并且所述介电层的引出部的宽度小于所述电介质层的宽度 它很小。
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公开(公告)号：KR100586963B1
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：KR1020040031374
申请日：2004-05-04
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01B3/10
CPC classification number: H05K1/162 , C08L101/12 , H01G4/206 , H05K2201/0209 , Y10T428/257
Abstract: 고유전율을 갖는 임베디드 캐패시터용 유전체 형성용 조성물, 이로 제조된 캐패시터층 및 이를 포함하는 인쇄회로기판에 관한 것이다. 열가소성 혹은 열경화성 수지 40-99vol%와 반도성 충진제 1-60vol%를 포함하는 유전체 형성용 조성물 및 열가소성 혹은 열경화성 수지 40-95vol%와 반도성화 강유전체 5-60vol%를 포함하는 유전체 형성용 조성물이 제공된다. 또한, 상기 본 발명의 유전체 형성용 조성물로 형성된 캐패시터층 및 이를 포함하는 인쇄회로기판이 제공된다. 본 발명의 반도성 충진제 또는 반도성화 강유전체를 포함하는 유전체 성형용 조성물을 사용하여 제조된 유전체는 높은 유전율과 낮은 유전손실을 나타내는 것으로 고유전율의 내장형 캐패시터층 및 인쇄회로 기판 형성에 이롭게 사용될 수 있다.
반도성 충진제, 반도성화 강유전체, 캐패시터층, 인쇄회로기판-
14.发明公开
公开(公告)号：KR1020060046974A
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：KR1020040092526
申请日：2004-11-12
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y40/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 본 발명은 전계방출용 탄소나노튜브 에미터, 그 제조방법 및 이를 포함하는 전계방출램프에 관한 것으로, 통상의 전해동박 제조공정에서 동박의 제조과정 중 후처리 공정인 열적 배리어층 형성 공정 및 전기화학적 배리어층 형성 공정을 대체하여 탄소나노튜브와 금속 이온의 공석도금공정을 도입한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따라 탄소계 나노입자를 이용하여 에미터를 제조하는 경우, 전극과 분리하여 형성하지 않고 동시에 형성함으로써 다양한 형상의 다양한 기판에 이를 접착하여 에미터로 바로 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 기존의 전해동박공정을 이용함으로써 생산 속도와 단가를 획기적으로 개선할 수 있다.
전해동박, 전계방출용 탄소나노튜브 에미터, 전계방출램프-
公开(公告)号：KR1020050059995A
公开(公告)日：2005-06-21
申请号：KR1020040102612
申请日：2004-12-07
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01G4/30
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/1227 , Y10T29/417 , Y10T29/43 , Y10T29/435
Abstract: 본 발명은 스핀코팅법에 의한 적층세라믹 커패시터의 제조방법과 이로부터 얻어지는 적층세라믹 커패시터에 관한 것이다. 이 제조방법은 스핀코팅방식에 의해 복수의 유전체층을 형성하는 것으로, 유전체층코팅과 내부전극의 인쇄공정을 단일화 할 수 있다. 따라서 유전체층의 두께를 박층으로 하면서 두께제어가 용이하며 또한, 유전체층을 내부전극과 연속하여 형성하므로 유전체층의 박리와 적층공정 그리고, 세라믹적층체의 압착공정을 생략할 수 있다. 본 발명에 따르면 세라믹적층체를 압착하지 않으므로 적층세라믹커패시터에서 필로잉현상이 발생하지 않는다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070002393A
公开(公告)日：2007-01-05
申请号：KR1020050057907
申请日：2005-06-30
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H05K1/162 , H01G4/10 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179
Abstract: An embedded thin film capacitor, a laminated structure and a method for manufacturing the same are provided to obtain sufficient dielectric constant without high-temperature annealing by using a BiZnNb-based amorphous metal oxide layer as a dielectric film. A thin film capacitor includes a first metal electrode(32a), a second metal electrode(32b), and a dielectric film(35) composed of BiZnNb-based amorphous metal oxide with dielectric constant of 15 over. The dielectric film is formed between the first and the second electrodes. Also, a laminated structure includes a first metal electrode(32a) formed on polymer-based complex substances(31a,31b), a dielectric film(35) composed of BiZnNb-based amorphous metal oxide formed on the first metal electrode, and a second metal electrode(32b) formed on the dielectric film.
Abstract translation: 提供嵌入式薄膜电容器，层压结构及其制造方法，以通过使用BiZnNb基非晶态金属氧化物层作为电介质膜来获得足够的介电常数而不进行高温退火。 薄膜电容器包括第一金属电极（32a），第二金属电极（32b）和由介电常数为15以上的BiZnNb系非晶态金属氧化物构成的电介质膜（35）。 电介质膜形成在第一和第二电极之间。 此外，叠层结构包括形成在聚合物系复合物（31a，31b）上的第一金属电极（32a），形成在第一金属电极上的由BiZnNb系非晶态金属氧化物构成的电介质膜（35），第二金属电极 形成在电介质膜上的金属电极（32b）。
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公开(公告)号：KR100638620B1
公开(公告)日：2006-10-26
申请号：KR1020040076557
申请日：2004-09-23
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: B32B7/04 , H05K1/0233 , H05K1/024 , H05K1/162 , H05K3/386 , H05K2201/0116 , H05K2201/0195 , H05K2201/0209 , H05K2201/0254 , H05K2201/0355 , H05K2201/086 , H05K2201/09309 , Y10T428/24917 , Y10T428/249994 , Y10T428/256
Abstract: 우수한 전자기적특성 및 신뢰성을 갖는 임베디드 수동소자용 인쇄회로기판 재료에 관한 것이다. 구리호일 전도층; 전도층에 형성된 수지 70vol%초과-100vol% 및 필러 0-30vol%미만으로 포함하는 수지결합층; 및 수지결합층에 형성된 수지 및 필러를 포함하는 기능성층;으로 이루어지는 임베디드 수동소자용 인쇄 회로기판재료 및 구리호일 전도층; 전도층에 형성된 수지를 70vol%초과-100vol% 및 필러 0-30vol%미만으로 포함하는 제 1수지결합층; 제 1수지결합층에 형성된 수지 및 필러를 포함하는 기능성층; 기능성층상의 수지를 70vol%초과-100vol% 및 필러 0-30vol%미만으로 포함하는 제 2수지결합층; 및 제 2 수지결합층상의 구리호일 전도층;으로 이루어지는 임베디드 수동소자용 인쇄 회로기판재료가 제공된다. 전도층과 기능성층 사이에 수지결합층을 게재함으로써 기능성층에서의 필러함량이 증가하더라도, 유전특성 및 자기특성등 기능성층의 특성 열화없이 전도층과 기능성층 사이의 접착력이 확보된다.
인쇄회로기판, 수지결합층, 접착력, 필 강도-
公开(公告)号：KR100631894B1
公开(公告)日：2006-10-09
申请号：KR1020040102522
申请日：2004-12-07
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: C04B35/468 , H01B3/12
CPC classification number: C04B35/624 , C04B35/468 , C04B35/62218 , C04B35/62615 , C04B35/6325 , C04B2235/449 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , Y10T428/24926
Abstract: 초박막 유전체 세라믹용 졸 조성물과 이로부터 제조되는 유전체 세라믹 및 이를 이용한 적층세라믹 커패시터가 제공된다.
본 발명의 졸 조성물은, BaTiO
3 의 주성분과 부성분으로 조성되는 유전체 세라믹용 졸 조성물에 있어서, 상기 BaTiO
3 의 금속전구체용액과 유기용제를 포함하는 폴리머릭졸과, 상기 부성분으로 상기 유기용제에 용해되는 유기첨가제가 상기 유전체 세라믹의 부성분의 함량을 만족하도록 포함되는 것이다.
본 발명에 의하면 졸-겔법에 의해 초박막 유전체 세라믹이 얻어지고, 이 초박막 유전체 세라믹은 부성분이 첨가되어 저온소성이 가능하고, 유전율과 소성밀도가 높다. 나아가, 정전용량의 온도변화율이 EIA규격으로 X5R을 충족한다.
하이브리드졸, 유기액상첨가제, 유전율, 소성밀도Abstract translation: 提供了一种超薄介电陶瓷溶胶组合物，由其制成的介电陶瓷，以及使用该介电陶瓷的多层陶瓷电容器。
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公开(公告)号：KR1020060063361A
公开(公告)日：2006-06-12
申请号：KR1020040102522
申请日：2004-12-07
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: C04B35/468 , H01B3/12
CPC classification number: C04B35/624 , C04B35/468 , C04B35/62218 , C04B35/62615 , C04B35/6325 , C04B2235/449 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , Y10T428/24926
Abstract: 초박막 유전체 세라믹용 졸 조성물과 이로부터 제조되는 유전체 세라믹 및 이를 이용한 적층세라믹 커패시터가 제공된다.
본 발명의 졸 조성물은, BaTiO
3 의 주성분과 부성분으로 조성되는 유전체 세라믹용 졸 조성물에 있어서, 상기 BaTiO
3 의 금속전구체용액과 유기용제를 포함하는 폴리머릭졸과, 상기 부성분으로 상기 유기용제에 용해되는 유기첨가제가 상기 유전체 세라믹의 부성분의 함량을 만족하도록 포함되는 것이다.
본 발명에 의하면 졸-겔법에 의해 초박막 유전체 세라믹이 얻어지고, 이 초박막 유전체 세라믹은 부성분이 첨가되어 저온소성이 가능하고, 유전율과 소성밀도가 높다. 나아가, 정전용량의 온도변화율이 EIA규격으로 X5R을 충족한다.
하이브리드졸, 유기액상첨가제, 유전율, 소성밀도
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