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公开(公告)号：KR100706949B1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：KR1020050077108
申请日：2005-08-23
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
Abstract: 본 발명은 고휘도 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극과, 상기 p형 전극 상에 형성된 p형 본딩금속과, 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있으며, TCO로 이루어진 전류확산층 및 상기 전류확산층 상에 형성된 n형 전극을 포함하는 고휘도 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물계, 발광소자, 전류확산, 발광면적, TCO, 고휘도Abstract translation: 本发明涉及一种基于氮化物的高亮度的半导体发光装置，在基板上形成的n型氮化物半导体层，形成在所述n型氮化物半导体层上的预定区域的有源层，形成在有源层和p型氮化物半导体层， 形成的p型电极的p型氮化物半导体层上，并且在形成于一个金属在p型接合的p型电极，且所述形成在n型氮化物半导体层上的活性层未形成，由TCO的电流扩散层和 并且在电流扩散层上形成n型电极。
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公开(公告)号：KR100699578B1
公开(公告)日：2007-03-23
申请号：KR1020050070555
申请日：2005-08-02
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/60
Abstract: 본 발명은 발광소자용 반사부재 및 이를 사용한 발광다이오드 패키지에 관한 것으로서, 상·하가 개방되어 있는 소정 형상으로 별도로 제작된 반사판과, 상기 반사판의 내부 측벽에 형성된 제1 반사막 및 상기 반사판과 접촉하지 않는 상기 제1 반사막의 다른 면에 형성된 제2 반사막을 포함하는 발광소자용 반사부재를 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 발광소자용 반사부재를 사용한 발광다이오드 패키지를 제공한다.
발광다이오드, 반사부재, 패키지, 휘도, 열방출Abstract translation: 本发明发射光作为反射部件及使用该二极管封装体的发光元件中，＆middot;与接触件和第一反射膜和反射板形成，是开放的反射板，并在预定的形状分别产生的反射板的内侧壁 并且在第一反射膜的另一个表面上形成第二反射膜。 另外，本发明提供一种使用发光元件用反射部件的发光二极管封装。
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公开(公告)号：KR100665283B1
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020050104016
申请日：2005-11-01
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A semiconductor light emitting diode is provided to prevent a current crowding phenomenon by maintaining an interval variation between first electrode and second electrode within 15%. A light emitting structure consists of an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer. A first electrode(120) is formed on a center portion of the light emitting structure, and has an extension of a line type. A second electrode(130) is formed on an edge of the light emitting structure to enclose the first electrode. A difference between the longest interval and the shortest interval in an interval(R) of the first and the second electrodes is within 15 % of the longest interval. A transparent electrode(107) is formed on the light emitting structure.
Abstract translation: 提供半导体发光二极管，以通过将第一电极和第二电极之间的间隔变化保持在15％以内来防止电流拥挤现象。 发光结构由n型半导体层，有源层和p型半导体层构成。 第一电极（120）形成在发光结构的中心部分，并具有线型延伸。 第二电极（130）形成在发光结构的边缘上以包围第一电极。 第一和第二电极的间隔（R）中最长间隔和最短间隔之间的差在最长间隔的15％以内。 在发光结构上形成透明电极（107）。
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公开(公告)号：KR1019920004016B1
公开(公告)日：1992-05-22
申请号：KR1019900009883
申请日：1990-06-30
Applicant: 삼성전기주식회사
Inventor： 한재호
Abstract: A anodizing method for Al-Cu-Si alloy is characterized by following processes; (1) after cleaning and pretreating Al-Cu-Si alloy, etching it by the solution of 40-60 wt.% NHO3, 20-30 wt.% H2SO4 and 20-30 wt.% D.I. water; (2) chromating it by conventional method; (3) washing and drying it by hot air at 50-60 deg.C for 10 mins; (4) finally, annealing it at 110-130 deg.C for 20-30 mins. It has advantages of promoting corrosion- and wear-resisitance properties of aluminum material for automobile, aircraft and electronic industry.
Abstract translation: Al-Cu-Si合金的阳极氧化方法的特征在于以下工艺： （1）在清洗和预处理Al-Cu-Si合金之后，用40-60重量％的NHO 3，20-30重量％的H 2 SO 4和20-30重量％的D.I. 水; （2）通过常规方法对其进行铬化; （3）用50-60℃的热空气洗涤干燥10分钟; （4）最后在110-130℃退火20-30分钟。 具有提高汽车，飞机，电子工业铝材耐腐蚀性和耐磨性等优点。
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公开(公告)号：KR1020080096997A
公开(公告)日：2008-11-04
申请号：KR1020070042034
申请日：2007-04-30
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/02
Abstract: A method for forming the LED(Light Emitting Diode) device is provided to improve the luminance by minimizing the damage of the first scribing line surface formed by laser through the dry etch. A method for forming the LED(Light Emitting Diode) device includes the step of forming a plurality of light emitting structures in which the n-type nitride semiconductor layer(122) and the active layer and p-type nitride semiconductor layer are sequentially laminated on the top of the substrate; the step of exposing a part of the n-type nitride semiconductor layer by mesa-etching the light emitting structure; the step of forming a light emitting diode wafer(100) by forming a N type electrode(150) and P-contact(140) on a n-type nitride semiconductor layer and a p-type nitride semiconductor layer(126); the step of forming light emitting diode wafer(100); the step of forming the first scribing line of the groove shape, it uses the laser in the upper side of the light emitting diode wafer; the step of forming the second scribing line perpendicularity corresponding to the first scribing line at the lower-part of the light emitting diode wafer; the step of separating to the size of the unit LED element by cutting the light emitting diode wafer using the first and the second scribing lines.
Abstract translation: 提供了一种用于形成LED（发光二极管）器件的方法，通过最小化由激光穿过干蚀刻形成的第一刻划线表面的损伤来提高亮度。 一种形成LED（发光二极管）器件的方法包括：形成多个发光结构的步骤，其中n型氮化物半导体层（122）和有源层和p型氮化物半导体层依次层压在 基材的顶部; 通过台面蚀刻所述发光结构来暴露所述n型氮化物半导体层的一部分的步骤; 通过在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层（126）上形成N型电极（150）和P型接触（140）形成发光二极管晶片（100）的步骤; 形成发光二极管晶片（100）的步骤; 形成沟槽形状的第一刻划线的步骤，其使用发光二极管晶片的上侧的激光器; 在发光二极管晶片的下部形成对应于第一划线的第二刻划线垂直度的步骤; 通过使用第一划线和第二划线切割发光二极管晶片来分离到单元LED元件的尺寸的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100833313B1
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：KR1020060127330
申请日：2006-12-13
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화갈륨계 LED 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 n형 질화갈륨층과, 상기 n형 질화갈륨층 상의 소정 영역에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화갈륨층과, 상기 p형 질화갈륨층 상에 형성된 투명 전극과, 상기 투명 전극 상에 형성된 p형 전극과, 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화갈륨층 상에 형성된 n형 전극 및 상기 투명 전극과 상기 n형 전극 사이의 결과물 상에 형성되되, 플라즈마 산화처리된 투명층으로 이루어진 보호막을 포함하는 질화갈륨계 LED 소자를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법을 제공한다.
질화갈륨계, LED, 보호막, 투명전극, 공정단순화-
公开(公告)号：KR100793337B1
公开(公告)日：2008-01-11
申请号：KR1020060114276
申请日：2006-11-20
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A nitride semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve electrical and optical properties of an ITO(Indium Tin Oxide) film by forming a transparent electrode through an electron beam evaporation process and a sputtering process. A nitride semiconductor light emitting device includes an n-type nitride semiconductor layer(120), an active layer(130), a p-type nitride semiconductor layer(140), a transparent electrode(150), a p-type bonding metal(170), and an n-type electrode(160). The n-type nitride semiconductor layer is formed on a substrate. The active layer is formed on a predetermined region on the n-type nitride semiconductor layer. The p-type nitride semiconductor layer is formed on the active layer. The transparent electrode is formed on the p-type nitride semiconductor layer and includes first and second ITO films. The first ITO film is formed by an electron beam evaporation process. The second ITO film is formed by a sputtering process. The n-type electrode is formed on the n-type nitride semiconductor layer except for the active layer.
Abstract translation: 提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，用于通过电子束蒸发法和溅射法形成透明电极来改善ITO（氧化铟锡）膜的电学和光学性能。 氮化物半导体发光器件包括n型氮化物半导体层（120），有源层（130），p型氮化物半导体层（140），透明电极（150），p型结合金属 170）和n型电极（160）。 n型氮化物半导体层形成在基板上。 有源层形成在n型氮化物半导体层上的预定区域上。 p型氮化物半导体层形成在有源层上。 透明电极形成在p型氮化物半导体层上，并且包括第一和第二ITO膜。 第一ITO膜通过电子束蒸发法形成。 第二ITO膜通过溅射工艺形成。 n型电极形成在除了有源层之外的n型氮化物半导体层上。
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公开(公告)号：KR1020070016240A
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：KR1020050070555
申请日：2005-08-02
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/60
Abstract: 본 발명은 발광소자용 반사부재 및 이를 사용한 발광다이오드 패키지에 관한 것으로서, 상·하가 개방되어 있는 소정 형상으로 사출성형된 반사판과, 상기 반사판의 내부 측벽에 형성된 제1 반사막 및 상기 반사판과 접촉하지 않는 상기 제1 반사막의 다른 면에 형성된 제2 반사막을 포함하는 발광소자용 반사부재를 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 발광소자용 반사부재를 사용한 발광다이오드 패키지를 제공한다.
발광다이오드, 반사부재, 패키지, 휘도, 열방출Abstract translation: 本发明发射光作为使用相同的二极管封装的反射部件和元件的发光时，＆middot;与接触件和第一反射膜以及形成在侧壁上的反射板，其是打开的注射成型成规定形状的反射板和所述反射板 并且在第一反射膜的另一个表面上形成第二反射膜。 另外，本发明提供一种使用发光元件用反射部件的发光二极管封装。
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公开(公告)号：KR100650279B1
公开(公告)日：2006-11-27
申请号：KR1020050081144
申请日：2005-09-01
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: An LED device is provided to prevent the loss of light emitted from an LED chip by mounting horizontally the LED chip in a package using a socket type lead terminal with a predetermined groove. An LED device includes a lead frame, a package, an LED chip, a reflective member, and a molding material. The lead frame has a pair of socket type lead terminals with predetermined grooves. The package(20) is made of a synthetic resin material to hold partially the lead frame. The LED chip(60) is inserted into the predetermined groove of the lead terminal. The reflective member is formed along an inner surface of the package. The molding material(80) is filled in the package to protect the LED chip.
Abstract translation: 提供LED器件以通过使用具有预定凹槽的插座型引线端子将LED芯片水平地安装在封装中来防止从LED芯片发射的光的损失。 一种LED器件包括引线框架，封装，LED芯片，反射构件和成型材料。 引线框架具有一对具有预定凹槽的插座型引线端子。 包装（20）由合成树脂材料制成以部分地保持引线框架。 LED芯片（60）插入到引线端子的预定凹槽中。 反射构件沿着包装的内表面形成。 模制材料（80）填充在封装中以保护LED芯片。
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公开(公告)号：KR100631419B1
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：KR1020050106853
申请日：2005-11-09
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A method for manufacturing a GaN LED is provided to improve surface roughness of sides of the LED by scribing the sides of the LED using a micro diamond wheel. An n-type clad layer(203), an active layer(204) and a p-type clad layer(205) are sequentially formed on a sapphire substrate(201). The n-type clad layer is exposed by mesa-etching the p-type clad layer, the active layer and the n-type clad layer. A p-type electrode(207) and an n-type electrode(208) are formed on the p-type clad layer and the n-type clad layer respectively, thereby forming an LED wafer. By scribing the LED wafer using a micro diamond wheel, each LED device(200a) is formed.
Abstract translation: 提供一种用于制造GaN LED的方法，以通过使用微型金刚石砂轮刻划LED的侧面来改善LED侧面的表面粗糙度。 在蓝宝石衬底（201）上依次形成n型覆盖层（203），有源层（204）和p型覆盖层（205）。 通过台面蚀刻p型覆盖层，有源层和n型覆盖层来暴露n型覆盖层。 分别在p型覆盖层和n型覆盖层上形成p型电极（207）和n型电极（208），由此形成LED晶片。 通过使用微型金刚石砂轮刻划LED晶片，形成每个LED器件（200a）。
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