公开(公告)号：KR100520821B1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：KR1020030020786

申请日：2003-04-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고창현 ,  황기현 ,  김효정

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02299 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3142

Abstract: 반응 조건을 자유롭게 변화시켜 효과적으로 다층막을 형성할 수 있는 반도체 소자의 박막 형성방법이 개시되어 있다. 챔버 내에 장착된 반도체 기판 상으로 복수개의 반응물질을 동시에 도입하거나, 순차적으로 도입한다. 상기 반응물질 각각의 분자들을 순차적으로 운동시킬 수 있는 에너지를 제공하여 상기 분자들을 개별적으로 활성화시킴으로서 반도체 기판에 박막을 형성한다. 이와 같이, 물질을 선택적으로 활성화시킬 수 있는 분위기를 조성함으로서 동일 챔버 내에서 서로 다른 종류의 박막을 형성할 수 있으므로, 공정 시간을 단축할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040100766A

公开(公告)日：2004-12-02

申请号：KR1020030033230

申请日：2003-05-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고창현 ,  황기현

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A method of forming composite dielectric films and a method of manufacturing a capacitor using the same are provided to form sequentially thin films with different decomposition temperature in one chamber by performing an ALD(Atomic Layer Deposition) using a reaction material with a large temperature window. CONSTITUTION: A substrate is loaded in a reaction chamber(S10). A first metal(S20) is adsorbed on the substrate by providing a first metal compound to the reaction chamber(S20). A first dielectric film is formed by oxidizing the adsorbed first metal by providing oxidizing gas to the reaction chamber(S30). A second metal is adsorbed on the first dielectric film by providing a second metal compound to the reaction chamber(S40). The second metal compound is a metal alkoxide compound with electron withdrawing group substituted for at least one hydrogen. A second dielectric film is formed by oxidizing the adsorbed second metal by providing oxidizing gas to the reaction chamber(S50).

Abstract translation: 目的：提供一种形成复合电介质膜的方法和使用其制造电容器的方法，以通过使用具有大温度的反应材料进行ALD（原子层沉积）在一个室中形成具有不同分解温度的顺序薄膜 窗口。 构成：将基板装入反应室（S10）。 通过向反应室提供第一金属化合物，第一金属（S20）被吸附在基板上（S20）。 通过向反应室提供氧化气体来氧化吸附的第一金属来形成第一电介质膜（S30）。 通过向反应室提供第二金属化合物，第二金属被吸附在第一电介质膜上（S40）。 第二金属化合物是具有吸电取代基的至少一个氢的金属醇盐化合物。 通过向反应室提供氧化气体来氧化吸附的第二金属形成第二电介质膜（S50）。

公开(公告)号：KR1020040020422A

公开(公告)日：2004-03-09

申请号：KR1020020052021

申请日：2002-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재동 ,  황기현 ,  고창현

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4482 ,  Y10S261/65

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for supplying source gas are provided to improve a deposition ratio by increasing the density of source gas according to the vapor pressure of vapor source. CONSTITUTION: The first heating process is performed on heat carrier gas for transporting a vapor source to form a layer on a substrate(S100). The second heating process is performed on heat the vapor source(S102). The vapor source is generated by bubbling the heated carrier gas within a liquid source of a receptacle(S200). The mixed source gas of the vapor source and the heated carrier gas is provided to a process chamber in order to form the layer on the substrate(S300). The third heating process is performed to heat purge gas and the heated gas is provided to the process chamber(S400).

Abstract translation: 目的：提供一种用于提供源气体的方法和装置，以通过根据蒸汽源的蒸汽压增加源气体的密度来提高沉积比。 构成：在热载体上进行第一加热处理，以输送蒸气源以在基板上形成层（S100）。 在加热蒸气源时进行第二加热处理（S102）。 蒸气源是通过将加热的载气鼓泡在容器的液体源（S200）中而产生的。 将蒸气源和被加热的载体气体的混合源气体提供给处理室，以便在基板上形成该层（S300）。 执行第三加热过程以加热净化气体，并将加热的气体提供给处理室（S400）。

公开(公告)号：KR1020030079298A

公开(公告)日：2003-10-10

申请号：KR1020020018250

申请日：2002-04-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유영섭 ,  박영욱 ,  임헌형 ,  황기현 ,  고창현 ,  이재동 ,  허형조

IPC: H01L27/04

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided to be capable of preventing junction leakage when forming a contact hole by uniformly forming a capping layer at the upper portion of a transition metal silicide layer. CONSTITUTION: A semiconductor device is provided with a semiconductor substrate(100) including a gate electrode(106) and a junction region(110) formed at both sides of the gate electrode, a transition metal silicide layer(115) selectively formed at the upper portion of the resultant structure, a capping layer(120) used as an etch stop layer, formed at the upper portion of the transition metal silicide layer, an interlayer dielectric(130) formed on the entire surface of the resultant structure, and a contact plug(140) formed in the interlayer dielectric and the capping layer for partially contacting the transition metal silicide layer.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，能够通过在过渡金属硅化物层的上部均匀形成覆盖层来防止形成接触孔时的结漏电。 构成：半导体器件设置有半导体衬底（100），该半导体衬底（100）包括栅电极（106）和形成在栅电极两侧的接合区（110），过渡金属硅化物层（115）选择性地形成在上部 所得结构的一部分，用作蚀刻停止层的覆盖层（120），形成在过渡金属硅化物层的上部，形成在所得结构的整个表面上的层间电介质（130）和接触 形成在层间电介质中的插塞（140）和用于部分地接触过渡金属硅化物层的覆盖层。

公开(公告)号：KR1020050038758A

公开(公告)日：2005-04-29

申请号：KR1020030073993

申请日：2003-10-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유영섭 ,  남석우 ,  고창현 ,  오정환 ,  김봉현 ,  김효정

IPC: H01L27/108

Abstract: 복수 형태로 된 하부전극을 갖는 반도체 장치를 제공한다. 이 장치는 점점 가속화되는 디자인 룰의 축소에 대응해서 하부 전극의 쓰러짐을 방지하고 동시에 하부전극의 면적이 증가된 커패시터를 갖는다. 이를 위해서, 반도체 기판의 상부에 식각 저지막이 덮이고, 상기 식각 저지막을 갖는 반도체 기판의 상부에 하부전극이 배치된다. 상기 하부 전극은 식각 저지막을 관통해서 그 막의 상면으로부터 돌출되며, 차례로 적층된 스토리지 바 노드 및 스토리지 주형 노드로 이루어진다. 계속해서. 상기 스토리지 바 노드, 스토리지 주형 노드 및 식각 저지막에 유전막이 덮이고, 상기 유전막의 상면에 상부전극이 덮인다. 이때에, 상기 스토리지 주형 노드 및 스토리지 바 노드는 각각이 실린더 형태(Cylinder Shape) 및 바 형태(Bar Shape)를 가지며, 상기 스토리지 주형 노드는 스토리지 바 노드보다 작은 두께를 갖는다. 이로써, 상기 하부 전극을 갖는 반도체 장치는 복수 형태로 된 하부전극을 통해서 증가된 정전용량을 갖는 커패시터를 가지고 아울러서 하부전극의 쓰러짐으로 인한 그 장치 내의 불량 셀의 발생을 최소화할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050001219A

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：KR1020030042794

申请日：2003-06-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정환 ,  황기현 ,  신원식 ,  이현덕 ,  고창현 ,  남석우

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal oxide layer by an ALD(atomic layer deposition) method is provided to reduce impurities in a metal oxide layer and improve an electrical characteristic by increasing an ozone density to 300-500 Ng in forming the metal oxide layer. CONSTITUTION: Metal reactant is injected to a reaction chamber including a semiconductor substrate to make the metal reactant chemically absorbed into the substrate(25). The first purging process is performed on the reaction chamber by using inert gas to eliminate physically absorbed metal reactant(27). An ozone oxide agent of 300-500 Ng is injected to the reaction chamber to make the chemically absorbed metal reactant react with the ozone oxide agent so that a metal oxide layer of a unit of an atomic layer is formed(29). The second purging process is performed on the reaction chamber by using inert gas to eliminate the physically absorbed reactant(31).

Abstract translation: 目的：提供一种通过ALD（原子层沉积）方法形成金属氧化物层的方法，以减少金属氧化物层中的杂质，并且通过在形成金属氧化物层时将臭氧密度提高到300-500Gu而提高电特性 。 构成：将金属反应物注入到包括半导体衬底的反应室中，以使金属反应物被化学吸收到衬底（25）中。 通过使用惰性气体在反应室上进行第一次净化处理以消除物理吸收的金属反应物（27）。 向反应室注入300-500Wo的臭氧氧化剂，使化学吸收的金属反应物与臭氧氧化剂反应，形成原子层单元的金属氧化物层（29）。 通过使用惰性气体在反应室上进行第二次净化处理以消除物理吸收的反应物（31）。

公开(公告)号：KR1020040105195A

公开(公告)日：2004-12-14

申请号：KR1020030036502

申请日：2003-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김효정 ,  황기현 ,  고창현

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A gas supply method of an atomic layer deposition apparatus is provided to prevent the flowing backward of a reactive gas, thereby preventing the reaction with other reactive gases by supplying a reactive gas and a purge gas simultaneously. CONSTITUTION: At least two sorts of reactive gases are supplied to a gas reacting room(1) at regular intervals. A first reactive gas is supplied from a first gas supply unit(15), thereby forming a fist atomic layer, And then, a second reactive gas is supplied from a second gas supply unit(17), thereby forming a second atomic layer on the first atomic layer. When each of the reactive gases is supplied, a purge gas is supplied simultaneously.

Abstract translation: 目的：提供原子层沉积装置的气体供应方法，以防止反应气体向后流动，从而通过同时供应反应气体和吹扫气体来防止与其它反应气体的反应。 构成：定期向气体反应室（1）供应至少两种反应气体。 从第一气体供给单元（15）供给第一反应气体，由此形成第一原子层，然后从第二气体供给单元（17）供给第二反应气体，由此在第二气体供给单元 第一原子层。 当供应每种反应性气体时，同时供应净化气体。

公开(公告)号：KR1020020066248A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：KR1020010006451

申请日：2001-02-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배용국 ,  고창현 ,  심우석

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A bake apparatus for fabricating a semiconductor is provided to minimize contamination of a wafer in baking photoresist, by preventing the fume generated in the photoresist from being used as particles regarding the wafer while a net is used. CONSTITUTION: A bake oven(110) has a closed space of a box type. A heat plate(120) is installed inside the bake oven. A supporting member(125) upwardly protrudes from the upper surface of the heat plate to settle the wafer(50). The heat plate heats the wafer. The net(140) is higher than the heat plate, installed inside the bake oven. The net prevents the particles from dropping to the wafer. A temperature control unit(145) for controlling the temperature of the net is installed in a part of the net.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体的烘烤装置，以通过防止在使用网状物时在光致抗蚀剂中产生的烟雾作为颗粒被用作颗粒，以最小化烘烤光致抗蚀剂中的晶片的污染。 构成：烤箱（110）具有盒式封闭空间。 加热板（120）安装在烤箱内部。 支撑构件（125）从加热板的上表面向上突出以沉淀晶片（50）。 加热板加热晶片。 网（140）高于加热板，安装在烘箱内。 网防止颗粒掉落到晶片上。 用于控制网的温度的温度控制单元（145）安装在网的一部分中。