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    반도체 노광설비의 웨이퍼 얼라이너
    11.
    发明公开
    반도체 노광설비의 웨이퍼 얼라이너 无效
    半导体辐射设备的波对准器

    公开(公告)号：KR1020070052602A

    公开(公告)日：2007-05-22

    申请号：KR1020050110416

    申请日：2005-11-17

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김미연 ,  배용국 ,  유지용 ,  백경윤 ,  김은성

    IPC: H01L21/027

    Abstract: 본 발명은 반도체 노광설비의 웨이퍼 얼라이너를 제공한다. 상기 웨이퍼 얼라이너는 캐리어와, 상기 캐리어의 내부에 배치되는 슬롯들과, 상기 캐리어의 하부에 배치되는 본체 및 상기 본체의 내부에 마련되며, 상기 슬롯들을 승강시키는 구동부를 구비한다.

    수직형 메모리 장치의 제조 방법
    15.
    发明公开
    수직형 메모리 장치의 제조 방법 审中-实审
    制造垂直存储器件的方法

    公开(公告)号：KR1020160043263A

    公开(公告)日：2016-04-21

    申请号：KR1020140137367

    申请日：2014-10-13

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김철호 ,  박승학 ,  김미연 ,  김철홍 ,  김형도 ,  이재한

    IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/027 ,  H01L21/56

    Abstract: 수직형메모리장치의제조방법에있어서, 기판상에층간절연막들및 희생막들을교대로반복적으로적층하여몰드구조물을형성한다. 제1 식각공정을통해몰드구조물의측부를부분적으로식각하여예비계단형몰드구조물을형성한다. 제2 식각공정을통해예비계단형몰드구조물에포함된계단들을부분적으로식각하여계단형몰드구조물을형성한다. 계단형몰드구조물을관통하는채널들을형성한다. 계단형몰드구조물에포함된희생막들을게이트라인들로치환한다.

    Abstract translation: 在可靠性提高的立式存储装置的制造方法中，通过在基板上交替层叠电介质和牺牲层层叠而形成模具结构体。 通过第一蚀刻工艺部分地蚀刻模具结构的侧部来形成初步的阶梯型模具结构。 通过第二蚀刻工艺通过蚀刻包括在初步阶梯型模具结构中的部分步骤形成阶梯型模具结构。 形成贯穿阶梯式模具结构的通道。 包括在阶梯型模具结构中的牺牲层被栅极线代替。

    인쇄회로기판 및 이를 포함하는 반도체 패키지
    17.
    发明公开
    인쇄회로기판 및 이를 포함하는 반도체 패키지 有权
    印刷电路板和包含该印刷电路板的半导体封装

    公开(公告)号：KR1020120077510A

    公开(公告)日：2012-07-10

    申请号：KR1020100139485

    申请日：2010-12-30

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김현기 ,  최대영 ,  김미연

    IPC: H01L23/498 ,  H05K3/46

    CPC classification number: H05K3/4602 ,  H01L23/49822 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/4608 ,  H05K2201/068 ,  H05K2201/09136 ,  H01L2924/00

    Abstract: PURPOSE: A printed circuit board and a semiconductor package including the same are provided to prevent the bending of a semiconductor package by setting different heat expansion coefficients for first and second sub core layers of a printed circuit board. CONSTITUTION: A printed circuit board(1) comprises a core layer(10), an upper wiring layer(20), and a lower wiring layer(30). The core layer comprises a first sub core layer(11) and a second sub core layer(12). The upper wiring layer, which includes an upper circuit pattern(22) formed in an upper insulating layer(21) and an upper connection pad(23) electrically connected to the upper circuit pattern, is formed on the top of the core layer. The lower wiring layer, which includes a lower circuit pattern(32) formed in a lower insulating layer(31) and a lower connection pad(33) electrically connected to the lower circuit pattern, is formed at the bottom of the core layer.

    Abstract translation: 目的：提供一种印刷电路板和包括该印刷电路板的半导体封装，以通过为印刷电路板的第一和第二子芯层设置不同的热膨胀系数来防止半导体封装的弯曲。 构成：印刷电路板（1）包括芯层（10），上布线层（20）和下布线层（30）。 芯层包括第一子芯层（11）和第二子芯层（12）。 在芯层的顶部形成上布线层，其包括形成在上绝缘层（21）中的上电路图案（22）和与上电路图案电连接的上连接焊盘（23）。 在芯层的底部形成下布线层，其包括形成在下绝缘层（31）中的下电路图案（32）和与下电路图案电连接的下连接焊盘（33）。

    콘택홀 형성용 노광 마스크
    18.
    发明公开
    콘택홀 형성용 노광 마스크 无效
    接触掩模用于形成接触孔

    公开(公告)号：KR1020070049264A

    公开(公告)日：2007-05-11

    申请号：KR1020050106244

    申请日：2005-11-08

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김은성 ,  김미연

    IPC: G03F1/54 ,  G03F1/38

    Abstract: 콘트라스트를 높힐 수 있는 콘택홀 형성용 노광 마스크는 콘택홀 형성 영역을 선택적으로 노광하기 위하여 구비되고, 광투과 물질로 이루어지며, 사각형 구조가 반복적으로 배치되는 투광 영역과, 상기 콘택홀 형성 영역 이외의 나머지 영역를 차광하기 위하여, 상기 투광 영역과 접하도록 형성되는 차광 영역으로 구성되며, 상기 투광 영역은 하나의 콘택홀로부터 인접하는 콘택홀이 형성되는 기준 방향에 대해 30도 회전된 형상을 갖다. 상기한 노광 마스크를 사용하는 경우 찌그러짐이나 왜곡이 없는 콘택홀을 형성할 수 있다.

    포토 마스크 및 이를 이용한 노광 방법
    19.
    发明公开
    포토 마스크 및 이를 이용한 노광 방법 无效
    照相机和使用它的曝光方法

    公开(公告)号：KR1020060135156A

    公开(公告)日：2006-12-29

    申请号：KR1020050054869

    申请日：2005-06-24

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 유지용 ,  성승원 ,  김형국 ,  김미연

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: G03F1/38 ,  G03F1/70

    Abstract: A photo mask and an exposing method using the same are provided to increase resolution of a photoresist pattern formed on a wafer even though at least two patterns having different pitches are formed on one mask. A photo mask includes a transparent substrate, plural light shielding patterns formed on a front surface of the substrate to define a transmitting region on the substrate, and a transmittance control film(140) formed on a rear surface of the transparent to adjust an index of reflection of an entering light source(110). The light shielding pattern has a first pattern(146) having a first pitch and a second pattern(148) having a second pitch smaller than the first pitch. The first pattern is formed on a periphery region, and the second pattern corresponds to a cell region.

    Abstract translation: 提供光掩模和使用其的曝光方法，以增加形成在晶片上的光致抗蚀剂图案的分辨率，即使在一个掩模上形成具有不同间距的至少两个图案。 光掩模包括透明基板，形成在基板的前表面上的多个遮光图案，以限定基板上的透射区域，以及形成在透明体的后表面上的透射率控制膜， 进入光源（110）的反射。 遮光图案具有具有第一间距的第一图案（146）和具有小于第一间距的第二间距的第二图案（148）。 第一图案形成在周边区域上，第二图案对应于单元区域。

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