公开(公告)号：KR1020070060174A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020050119155

申请日：2005-12-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  정종현 ,  김봉균 ,  이병진 ,  신원석 ,  홍선영

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/1343 ,  G02F1/136 ,  G02F2201/123 ,  H01L29/786

Abstract: A pixel electrode, a thin film transistor substrate including the same, and a method for manufacturing a semiconductor substrate are provided to prevent light leakage by forming a pixel electrode having conductivity and transparency depending on a voltage being applied. A thin film transistor is formed on a substrate(101). A pixel electrode is connected to the thin film transistor and is formed of a polymer having transparency and conductivity, wherein at least one of transparency and conductivity is changed in accordance with a voltage applied through the thin film transistor. The pixel electrode is formed of one of PEDOT, PProDOT-(CH3)2, and PSS. A dopant is added to the pixel electrode, and is formed of metal such as Au, Pt, Ag, and Cu or a negative ion such as Cl-, ClO4-, and NO3-.

Abstract translation: 提供像素电极，包括该像素电极的薄膜晶体管基板和用于制造半导体基板的方法，以通过根据所施加的电压形成具有导电性和透明度的像素电极来防止漏光。 薄膜晶体管形成在基板（101）上。 像素电极连接到薄膜晶体管，并且由具有透明度和导电性的聚合物形成，其中透明度和导电率中的至少一个根据通过薄膜晶体管施加的电压而改变。 像素电极由PEDOT，PProDOT-（CH 3）2和PSS中的一种形成。 掺杂剂添加到像素电极中，并且由诸如Au，Pt，Ag和Cu的金属或诸如Cl - ，ClO 4 - 和NO 3 - 的负离子形成。

公开(公告)号：KR1020070052419A

公开(公告)日：2007-05-22

申请号：KR1020050110035

申请日：2005-11-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김봉균 ,  박홍식 ,  정종현 ,  홍선영 ,  신원석 ,  이병진

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 공정 용액 공급장치를 제공하며, 상기 공급장치는 기판이 안착되어 이송되는 이송기와, 상기 기판에 공정 용액을 분사하며 일방향을 따라 규칙적으로 배치된 복수의 분사기들과 상기 기판의 존부를 식별하는 적어도 하나의 감지센서를 포함한다.
본 발명에 따르면, 감지센서에서 기판을 감지하는 순간 상기 감지센서로부터 일정 영역내의 분사기만이 작동되고 나머지는 작동되지 않는다. 따라서 일률적으로 모든 분사기가 작동되는 경우에 비하여, 불필요하게 공정 용액이 낭비되는 것을 방지할 수 있다.
공정 용액, 포토레지스트, 순수

公开(公告)号：KR1020070014335A

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：KR1020050068867

申请日：2005-07-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신원석 ,  정종현 ,  박홍식

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1262 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/124

Abstract: A method for manufacturing a thin film transistor substrate is provided to have no additive photolithographic process for forming a pixel electrode, thereby simplifying the manufacturing process, by simultaneously forming the pixel electrode and a gate line. A transparent conductive layer is formed on a substrate(110). A conductive layer is formed on the transparent conductive layer. A first photoresist film is formed on the conductive layer. The conductive layer is etched by using the first photoresist film as a mask with a first etching solution. The transparent conductive layer is etched by using the first photoresist film as a mask with a second etching solution, thereby forming a pixel electrode(191). A second photoresist film is formed on the first photoresist film. An exposed portion of the conductive layer is removed by using the second mask as a mask with the first etching solution, thereby forming a gate line having a gate electrode(124). A gate insulating layer(140), a semiconductor layer(154), a data line, drain and source electrodes(173,175), and a passivation layer(180) are sequentially formed by performing subsequent processes.

Abstract translation: 提供了制造薄膜晶体管基板的方法，以便不形成像素电极的附加光刻工艺，从而通过同时形成像素电极和栅极线来简化制造工艺。 在基板（110）上形成透明导电层。 导电层形成在透明导电层上。 在导电层上形成第一光致抗蚀剂膜。 通过使用第一光致抗蚀剂膜作为掩模用第一蚀刻溶液来蚀刻导电层。 通过使用第一光致抗蚀剂膜作为掩模用第二蚀刻溶液来蚀刻透明导电层，由此形成像素电极（191）。 在第一光致抗蚀剂膜上形成第二光致抗蚀剂膜。 通过使用第二掩模作为具有第一蚀刻溶液的掩模来去除导电层的暴露部分，从而形成具有栅电极（124）的栅极线。 通过执行后续处理，依次形成栅极绝缘层（140），半导体层（154），数据线，漏极和源电极（173,175）以及钝化层（180）。

公开(公告)号：KR1020060078697A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：KR1020040117010

申请日：2004-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김성동 ,  김은식 ,  정주환 ,  고형수 ,  민동기 ,  박홍식 ,  홍승범

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/105

CPC classification number: H03K19/16 ,  H01L43/08

Abstract: 자기 논리 소자와 그 제조 및 동작 방법이 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 제1 배선 상에 적층되어 자기 분극 방향이 주어진 방향으로 고정된 하부 자성막과, 상기 하부 자성막 상에 적층된 비자성막과, 상기 비자성막 상에 적층되어 자기 분극 방향이 상기 하부 자성막의 자기 분극 방향과 동일하거나 반대인 상부 자성막과, 상기 상부 자성막 상에 형성된 제2 배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 논리 소자와 그 제조 및 동작 방법을 제공한다. 상기 제1 배선의 일단과 상기 제2 배선의 일단사이에 제1 전류원이 구비되고, 상기 제1 배선의 타단과 상기 제2 배선의 타단사이에 제2 전류원이 구비될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060062913A

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020040101916

申请日：2004-12-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  김시열

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 본 발명은, 절연 기판, 상기 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트선, 상기 게이트선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 소스 전극과 마주하고 있는 드레인 전극 및 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하며, 상기 게이트선과 상기 데이터선 및 드레인 전극 중 적어도 어느 하나는 몰리브덴(Mo)을 포함하는 제1 도전층, 구리(Cu)를 포함하는 제2 도전층 및 질화몰리브덴(MoN)을 포함하는 제3 도전층으로 이루어지는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법을 제공한다.
게이트선, 데이터선, 저저항, 산화, 구리, 몰리브덴

公开(公告)号：KR100580191B1

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：KR1020040006125

申请日：2004-01-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장봉기 ,  김성기 ,  김영상 ,  박홍식 ,  이두희 ,  성준호 ,  김혜진

IPC: H04H20/71 ,  H04N5/44 ,  H04N7/01

CPC classification number: H04N7/163 ,  H04N5/38 ,  H04N5/4401 ,  H04N5/445 ,  H04N21/4126 ,  H04N21/436 ,  H04N21/440218

Abstract: 무선 채널로 연결된 송신기와 수신기간에 아날로그 정보를 공유하는 무선 송수신 시스템 및 그 방법이 개시되어 있다. 본 발명은 아날로그 방송 신호로부터 아날로그 신호와 아날로그 정보를 추출하고, 아날로그 신호를 트랜스 포트 스트림으로 변환하여 무선 채널로 송신하고, 상기 아날로그 정보를 추출할 때 마다 상기 트랜스포트 스트림과 별개의 무선 채널로 송신한 후 그 아날로그 정보로 이전의 아날로그 정보를 갱신하는 송신수단, 송신 수단으로부터 무선 채널로 수신된 트랜스포트 스트림을 디코딩하고, 상기 다른 무선 채널로 아날로그 정보를 수신할 때마다 이전에 저장된 아날로그 정보를 갱신하는 수신 수단을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020060042368A

公开(公告)日：2006-05-12

申请号：KR1020040091012

申请日：2004-11-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02 ,  E03D1/302 ,  F02D13/0253

Abstract: 본 발명은 반도체 설비의 가스 공급장치에 관한 것으로, 가스 공급 라인 상에 설치되어, 공기압에 의해 밸브를 개폐하는 공기압 밸브; 상기 공기압 밸브를 제어 하는 솔레노이드 밸브; 상기 소레노이드 밸브와 공기압 밸브를 연결하는 공기압 라인; 상기 공기압 라인의 압력을 체크하여 상기 솔레노이드 밸브의 오동작을 체크하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020050072543A

公开(公告)日：2005-07-12

申请号：KR1020040000885

申请日：2004-01-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김혜진 ,  박홍식

IPC: H04N5/50 ,  H04N21/436 ,  H04N21/4363 ,  H04N5/44

CPC classification number: H04N5/50 ,  H04N21/43615 ,  H04N21/43637 ,  H04N5/4401

Abstract: Provided are a method of and an apparatus for automatically setting a channel to achieve channel synchronization between a transmitter and a receiver in a wireless transceiver system. The transmitter stores information about a channel tuned according to an initial channel number, transmits a message indicating a completion of the channel information storage to a receiver, and transmits a next channel number in response to a message confirming the completion of a channel information storage performed in the receiver. The receiver receives a tuned channel number and the message indicating the completion of the channel information storage in sequence from the transmitter, stores channel information corresponding to the received tuned channel number, transmits the message confirming the completion of the channel information storage to the transmitter, and waits for the next channel number to be received from the transmitter.

公开(公告)号：KR1020040088631A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：KR1020030022570

申请日：2003-04-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  정주환 ,  홍승범

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01Q60/30 ,  G01Q80/00 ,  G11B9/1409

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor probe having a resistant tip is provided to simplify a fabrication process by forming a resistant region between semiconductor electrode regions on a center of the resistant tip and forming a low-density resistant region. CONSTITUTION: A tip(30) is doped by the first impurity. The tip is installed on an end part of a cantilever(41). A resistant region is formed on a top part of the tip. The resistant region is doped by the second impurity having the different polarity from the first impurity. The first and the second semiconductor electrode regions(32,34) are formed on a slope part of the tip. The resistant region is formed by performing a thermal process for the first and the second semiconductor electrode regions for diffusing the second impurity.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有电阻尖端的半导体探针的方法，以通过在耐电极尖端的中心处的半导体电极区域之间形成电阻区域并形成低密度电阻区域来简化制造工艺。 构成：尖端（30）由第一杂质掺杂。 尖端安装在悬臂（41）的端部上。 在尖端的顶部形成有电阻区域。 电阻区域由与第一杂质具有不同极性的第二杂质掺杂。 第一和第二半导体电极区域（32,34）形成在尖端的斜坡部分上。 通过对用于扩散第二杂质的第一和第二半导体电极区域进行热处理形成电阻区域。

公开(公告)号：KR1020040005258A

公开(公告)日：2004-01-16

申请号：KR1020020039748

申请日：2002-07-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오 ,  박홍식 ,  조범석

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/123

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor substrate is provided to form a contact layer on a substrate and then form a copper line on the contact layer so as to increase adhesion of the substrate and copper line. CONSTITUTION: A thin film transistor substrate includes an insulating substrate(110), a gate line having a gate electrode(123) and a gate pad(125), a gate insulating layer(140) formed on the insulating substrate, a semiconductor layer(151,153) formed on the gate insulating layer, and an ohmic contact layer(163,165) formed on the semiconductor layer. The thin film transistor substrate further includes a data line having a source electrode(173), a drain electrode(175) and a data pad(179), a passivation layer(180) that is formed on the data line and has a contact hole, and a pixel electrode(190) formed on the passivation layer and electrically connected to the drain electrode through the contact hole. At least one of the gate line and data line is composed of a double layer of a contact layer and a copper layer.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管衬底以在衬底上形成接触层，然后在接触层上形成铜线，以增加衬底和铜线的粘附。 构成：薄膜晶体管基板包括绝缘基板（110），具有栅极（123）和栅极焊盘（125）的栅极线，形成在绝缘基板上的栅极绝缘层（140），半导体层（ 形成在栅极绝缘层上的欧姆接触层（163,165），形成在半导体层上的欧姆接触层（163,165）。 薄膜晶体管基板还包括具有源电极（173），漏电极（175）和数据焊盘（179）的数据线，形成在数据线上并具有接触孔的钝化层（180） ，以及形成在钝化层上并通过接触孔电连接到漏电极的像素电极（190）。 栅极线和数据线中的至少一个由接触层和铜层的双层组成。