公开(公告)号：KR100504290B1

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：KR1020010001785

申请日：2001-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신중한 ,  문봉석 ,  한욱 ,  김철희

IPC: G03F7/039

Abstract: 본 발명은 포토레지스트용 옥소옥사알카노노르보넨 함유 공중합체에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하기 화학식 1의 구조를 갖는 포토레지스트용 옥소옥사알카노노르보넨 함유 공중합체 및 그 공중합체를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이며, 본 발명의 옥소옥사알카노노르보넨 함유 공중합체는 ArF 엑시머 레이저 영역(193nm)에서의 투명성, 해상도, 감도 및 건식 에칭 내성이 우수하고, 기판에 대한 접착력이 뛰어나므로, 초고집적 반도체의 ArF 엑시머 레이저 미세가공에 유용하다.
[화학식 1]

상기 화학식에서,
R
1 은 산소원자 또는 NH이고,
R
2 는 수소원자 또는 메틸기이며,
R
3 는 수소원자이거나, 탄소수 1 ~ 12의 사슬형 알킬기, 가지형 알킬기 또는 고리 구조를 포함하는 알킬기이거나, 또는 아릴기이고,
k는 1~4의 정수이며, 및
m은 0.01≤m/m+n≤0.5, n은 0.5≤n/m+n≤0.99를 만족시키는 값임.

公开(公告)号：KR1020040057510A

公开(公告)日：2004-07-02

申请号：KR1020020084268

申请日：2002-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이방린 ,  정은정 ,  신중한 ,  구본원 ,  강인남

IPC: C08G75/32

CPC classification number: H01L51/0036 ,  C08G61/123 ,  C08G61/126 ,  H01B1/127 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0545

Abstract: PURPOSE: Provided is a polythienyl thiazole derivative having low leak electric current by applying a thiazole ring with an n-type semiconductor property to a thiophene unit with a p-type semiconductor property. An organic thin film transistor using the polythienyl thiazole derivative is also provided. CONSTITUTION: The polythienyl thiazole derivative is represented by the formula 1. In the formula, R1 and R4 are independently hydrogen, C1-C9 linear, branched, or cyclic alkyl, R2, R3, R5 are independently hydrogen, C1-C12 linear or branched alkyl, -(CH2O)n-R6, -(CH2)n-C(O)OR6, -(CH2)n-OC(O)R6, -(CH2)n-OC(O)OR6 or -(CH2)n-C(O)OCH2OR6, wherein n is an integer of 0-6, R6 is hydrogen, C1-C12 linear, branched, or cyclic alkyl, l is a real number of 0.01-1.0, m is a real number of 0.99-0.0, and l+m is 1. And the organic thin film transistor contains an organic active layer comprising the polythienyl thiazole derivative.

Abstract translation: 目的：通过将具有n型半导体性质的噻唑环用于具有p型半导体性质的噻吩单元，提供具有低漏电流的聚噻吩噻唑衍生物。 还提供了使用聚噻吩噻唑衍生物的有机薄膜晶体管。 构成：聚噻吩噻唑衍生物由式1表示。在该式中，R 1和R 4独立地为氢，C 1 -C 9直链，支链或环状烷基，R 2，R 3，R 5独立地为氢，C 1 -C 12直链或支链 烷基， - （CH 2 O）n -R 6， - （CH 2）n C（O）OR 6， - （CH 2）n OC（O）R 6， - （CH 2）n OC（O）OR 6或 - （CH 2）n C O）OCH 2 OR 6，其中n为0-6的整数，R6为氢，C1-C12直链，支链或环状烷基，l为0.01-1.0的实数，m为0.99-0.0的实数，以及 l + m为1.有机薄膜晶体管含有包含聚噻吩噻唑衍生物的有机活性层。

公开(公告)号：KR1020030036948A

公开(公告)日：2003-05-12

申请号：KR1020010067898

申请日：2001-11-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한은실 ,  문봉석 ,  신중한 ,  한욱

IPC: G03F7/027

CPC classification number: G03F7/0395 ,  C07C45/455 ,  C07C49/255 ,  C07C49/553 ,  C07C49/577 ,  C08F32/08 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115

Abstract: PURPOSE: Provided are a norbornene-based copolymer for photoresist, a method for preparing the same, and a photoresist composition comprising the same, wherein the photoresist composition can form a pattern profile excellent in resolution and adhesion to substrate. CONSTITUTION: The norbornene-based copolymer, particularly 5-norbonene-2-alkane-1,3-dion derivative is represented by formula 1b(wherein R1 is C1-C12, linear, branched, or cyclic alkyl group, R2 is hydrogen atom, or C1-C6, linear, branched or cyclic alkyl group, R3, R4 and R5 are independently hydrogen atom, or C1-C6, linear, branched or cyclic alkyl group, and R1 and R5 together form a cyclic diketone, each of R6 and R7 is independently C1-C6 alkyl group, and R6 and R7 together form a ring, and p is an integer of 0-6).

Abstract translation: 目的：提供一种用于光致抗蚀剂的降冰片烯系共聚物及其制备方法，以及含有该光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂组合物，其中，光致抗蚀剂组合物可以形成分辨率和对基材的粘附性优异的图案。 构成：降冰片烯系共聚物，特别是5-降冰片烯-2-烷烃-1,3-二酮衍生物由式1b表示（式中，R 1为C 1〜C 12，直链状，支链状或环状烷基，R 2为氢原子， 或C 1 -C 6直链，支链或环状烷基，R 3，R 4和R 5独立地为氢原子或C 1 -C 6直链，支链或环状烷基，R 1和R 5一起形成环状二酮，R 6和 R7独立地为C1-C6烷基，R6和R7一起形成环，p为0-6的整数）。

公开(公告)号：KR102085082B1

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：KR1020130130411

申请日：2013-10-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기철 ,  신중한 ,  구봉진 ,  김태곤 ,  최한메

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR1020170031827A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：KR1020150128907

申请日：2015-09-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이남훈 ,  서정우 ,  신중한 ,  오병주 ,  이정민 ,  박기남 ,  이종현

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67115 ,  C23C14/48 ,  G02B5/003 ,  G02B5/205 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/68757 ,  H05B3/0047

Abstract: 본발명은투명플레이트, 및그를포함하는기판처리장치를개시한다. 그의장치는, 챔버와, 챔버아래의램프와, 챔버내의기판을수납하는플레이트를포함한다. 플레이트는제 1 투과율을갖는중심영역과, 제 1 투과율보다높은제 2 투과율을갖는에지영역을포함한다.

Abstract translation: 本发明公开了一种透明板和包括该透明板的基板处理设备。 该设备包括腔室，腔室下方的灯和用于接收腔室中的基板的板。 该板包括具有第一透射率的中心区域和具有比第一透射率高的第二透射率的边缘区域。

公开(公告)号：KR101001471B1

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：KR1020030070549

申请日：2003-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신중한 ,  서은미 ,  한국민 ,  이브게니바마토브 ,  발레리시바에브

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L51/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0545

Abstract: 본 발명은 표면요철구조에 의해 향상된 전하 이동도를 갖는 유기박막 트랜지스터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판, 게이트전극, 유기절연층, 유기반도체 활성층 및 소스/드레인 전극을 포함하는 유기박막 트랜지스터에 있어서, 상기 유기절연층과 유기반도체 활성층의 계면간에 표면요철구조가 형성된 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터에 관한 것이며, 본 발명에 의해 유기절연층의 소재에 상관없이 유기 TFT 소자의 전기적 특성을 향상시키는 방법을 제공할 수 있다.
유기박막 트랜지스터, 유기절연층, 유기반도체층, SRG(Surface Relief Grating), 표면요철구조, 전하 이동도

公开(公告)号：KR101001441B1

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：KR1020040064690

申请日：2004-08-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신중한 ,  이재준 ,  이상윤 ,  김창주

IPC: C07F7/18 ,  C07F7/28 ,  C07F5/06

CPC classification number: C08G77/58 ,  C08L83/14 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0525 ,  C08L2666/02

Abstract: 본 발명은 유무기 금속 하이브리드 물질 및 이를 포함하는 유기 절연체 조성물에 관한 것으로, 상기 물질은 유기용매와 단량체에 대한 용해성과 기판에 대한 접착력이 우수할 뿐만 아니라, 높은 유전상수와 높은 가교도에 의해 단독 또는 이를 포함한 조성물의 형태로 습식공정을 필요로 하는 다양한 전자소자에 응용될 수 있다.

유무기 금속 하이브리드 물질, 유기절연체, 유전상수, 유기박막 트랜지스터

公开(公告)号：KR1020080051818A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：KR1020060123539

申请日：2006-12-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최태영 ,  신중한

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0545

Abstract: A thin film transistor display panel and a manufacturing method thereof are provided to improve the characteristic of an organic thin film transistor by preventing damage of an organic material and lowering the contact resistance between an organic layer and an inorganic layer. A first insulating layer is formed on a gate electrode(124), and has a first opening for exposing the gate electrode. A second insulating layer is formed on the first insulating layer, and has a second opening larger than the first opening. A gate insulator(144) is positioned on the first opening, and a source electrode(173) and a drain electrode(175) are formed on the second insulating layer. A self-aligned thin film(178) is formed on the source electrode and the drain electrode, and has a surface property different from the gate insulator. An organic semiconductor(154) is positioned on the gate insulator, and contacts the source electrode and the drain electrode.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管显示面板及其制造方法，通过防止有机材料的损坏和降低有机层与无机层之间的接触电阻来提高有机薄膜晶体管的特性。 第一绝缘层形成在栅电极（124）上，并且具有用于暴露栅电极的第一开口。 在第一绝缘层上形成第二绝缘层，并且具有大于第一开口的第二开口。 栅极绝缘体（144）位于第一开口上，源电极（173）和漏电极（175）形成在第二绝缘层上。 在源电极和漏电极上形成自对准薄膜（178），具有与栅极绝缘体不同的表面特性。 有机半导体（154）位于栅极绝缘体上，并与源电极和漏电极接触。

公开(公告)号：KR1020080026236A

公开(公告)日：2008-03-25

申请号：KR1020060090920

申请日：2006-09-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송근규 ,  신중한 ,  조승환

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/133 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L51/0516 ,  H01L27/283 ,  H01L51/107

Abstract: A thin film transistor display panel and a method for manufacturing the same are provided to form contact holes for penetrating gate and interlayer insulating layers by performing once an etching process using the same mask and etch liquid. A thin film transistor display panel includes gate and data lines(121,171), an interlayer dielectric layer(160), source and drain electrodes(193,195), an organic semiconductor(154), and a gate insulating layer(140). The gate lines include a gate electrode. The data lines are formed to cross with the gate lines. The interlayer dielectric layer insulates between the gate and data lines. The source electrodes are connected to the data lines. The drain electrodes are formed opposite to the source electrodes. The organic semiconductor is contacted with the source and drain electrodes. The gate insulating layer, which is formed between the gate electrode and organic semiconductor, has the same etch ratio as the interlayer dielectric layer.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管显示面板及其制造方法，以通过使用相同的掩模和蚀刻液体进行一次蚀刻工艺来形成用于穿透栅极和层间绝缘层的接触孔。 薄膜晶体管显示面板包括栅极和数据线（121,171），层间介电层（160），源极和漏极（193,195），有机半导体（154）和栅极绝缘层（140）。 栅极线包括栅电极。 数据线形成为与栅极线交叉。 层间绝缘层在栅极和数据线之间绝缘。 源电极连接到数据线。 漏电极与源电极相对地形成。 有机半导体与源极和漏极接触。 形成在栅电极和有机半导体之间的栅极绝缘层具有与层间电介质层相同的蚀刻比。

公开(公告)号：KR1020070014699A

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：KR1020050069542

申请日：2005-07-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김규식 ,  김보성 ,  신중한 ,  홍문표

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L51/10 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/107

Abstract: A method for manufacturing an organic thin film transistor in an LCD is provided to simplify the manufacturing process, by using a diamond-like-carbon film serving as an alignment layer and a passivation layer. A gate conductive pattern(20) is formed on a substrate(10). A gate insulating layer(30) is formed on the gate conductive pattern and the substrate. Source and drain electrodes(40) are formed on the gate insulating layer. An organic semiconductor thin film(50) is formed on an exposed surface of the gate insulating layer and the source and drain electrodes. A diamond-like-carbon film(60) functioning as an alignment layer is formed.

Abstract translation: 提供一种用于制造LCD中的有机薄膜晶体管的方法，以通过使用用作取向层和钝化层的类金刚石膜来简化制造工艺。 栅极导电图案（20）形成在衬底（10）上。 栅极绝缘层（30）形成在栅极导电图案和基板上。 源极和漏极（40）形成在栅极绝缘层上。 在栅极绝缘层和源极和漏极的暴露表面上形成有机半导体薄膜（50）。 形成用作取向层的类金刚石碳膜（60）。