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公开(公告)号：KR1020210029166A
公开(公告)日：2021-03-15
申请号：KR1020210005340
申请日：2021-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: A47L9/28
Abstract: 일실시예에따른청소장치는, 집진통을포함하는진공청소기; 및상기집진통이연결되는도킹스테이션;을포함하고, 상기도킹스테이션은, 상기집진통의연결여부를감지하는센서; 상기집진통에서도킹스테이션내부로공기를이동시키는흡입팬; 상기흡입팬을회전시키는모터; 상기흡입팬의구동에의해공기와함께이동하는이물질을포집하는포집부; 및상기센서의출력값에기초하여상기집진통이상기도킹스테이션에연결되는지결정하고, 상기집진통이상기도킹스테이션에연결되면, 상기집진통으로흡입기류를공급하도록상기모터를제어하는제어부;를포함한다.
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公开(公告)号：KR100867631B1
公开(公告)日：2008-11-10
申请号：KR1020070010377
申请日：2007-02-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L23/525 , H01L21/7682 , H01L23/3114 , H01L23/5222 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2224/02311 , H01L2224/0236 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/06136 , H01L2224/11901 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 반도체 장치 및 그 제조 방법에서, 반도체 장치는 하부 구조물 상에 위치하는 제1 배선들 및 하부 구조물 상에 제1 배선들을 도포하도록 형성되는 절연 패턴을 포함한다. 절연 패턴은 제1 배선들 사이에서 수평 및 수직 방향으로 연장하는 보이드를 갖는다. 반도체 장치는 상기 절연 패턴 상에 보이드와 적어도 일부가 수직하게 대응하는 제2 배선을 더 포함할 수 있다. 하부 구조물은 보이드와 적어도 일부가 수직하게 대응하는 도전 소자를 더 포함할 수 있다. 따라서 제1 배선들 사이에서 수평하게 발생하는 기생 커패시턴스 및 제2 배선과 도전 소자 사이에서 수직하게 발생하는 기생 커패시턴스를 줄일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070017796A
公开(公告)日：2007-02-13
申请号：KR1020050072389
申请日：2005-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L24/11 , H01L21/0273 , H01L23/49816 , H01L2224/03914 , H01L2924/01079
Abstract: 본 발명은 포토레지스트의 소모량을 줄이기 위하여 포토레지스트층의 높이를 낮추면서 원하는 체적의 범프를 형성하는 범프 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명은 UBM층을 개방시키는 개구부를 형성하되 노광 초점이 초점심도(DOF; Depth Of Focus)를 벗어나도록 포커스 오프셋(focus offset)을 조정해주어 포토레지스트층 상면에서 소정 깊이까지 내경이 감소되도록 하여 경사면을 형성하는 노광 및 현상 단계, 개방된 UBM층으로부터 소정 높이까지 범프 하부 금속층을 형성하는 단계 및 포토레지스트층의 개구부에 의해 노출된 범프 하부 금속층 상에 범프를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 장치용 범프 형성 방법을 제공한다. 이에 의하여 범프가 버섯형태(mushroom type)로 형성되어 상부에서 보다 많은 체적이 확보됨으로써 포토레지스트층의 높이를 낮출 수 있어 포토레지스트의 소모량이 감소될 수 있다.
범프, 솔더 볼, 금 범프, 버섯형, 플립 칩 본딩, 범프 본딩-
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公开(公告)号：KR1020210033968A
公开(公告)日：2021-03-29
申请号：KR1020210035828
申请日：2021-03-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: A47L9/28
Abstract: 일실시예에따른청소장치는, 집진통을포함하는진공청소기; 및상기집진통이결합되는도킹스테이션;을포함하고, 상기도킹스테이션은, 상기집진통에서도킹스테이션내부로공기를이동시키는흡입장치; 상기흡입장치의구동에의해상기공기와함께이동하는이물질을포집하는포집부; 상기도킹스테이션내부에서상기공기가이동하는흡입유로; 상기흡입유로를개방또는폐쇄하는유량조절장치; 및상기집진통이상기도킹스테이션에결합되면상기흡입장치가동작하도록제어하고, 상기흡입장치가동작하는상태에서주기적으로상기흡입유로를개폐하도록상기유량조절장치를제어하는제어부;를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102208334B1
公开(公告)日：2021-01-28
申请号：KR1020200070265
申请日：2020-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: A47L9/28
Abstract: 일실시예에따른청소장치는, 집진통을포함하는진공청소기; 및상기집진통이결합되는도킹스테이션;을포함하고, 상기도킹스테이션은, 상기집진통에서도킹스테이션내부로공기를이동시키는흡입장치; 상기흡입장치의구동에의해상기공기와함께이동하는이물질을포집하는포집부; 상기도킹스테이션내부에서상기공기가이동하는흡입유로; 상기흡입유로를개방또는폐쇄하는유량조절장치; 및상기집진통이상기도킹스테이션에결합되면상기흡입장치가동작하도록제어하고, 상기흡입장치가동작하는상태에서주기적으로상기흡입유로를개폐하도록상기유량조절장치를제어하는제어부;를포함한다.
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公开(公告)号：KR100639703B1
公开(公告)日：2006-10-30
申请号：KR1020050072883
申请日：2005-08-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A method for compensating for an undercut of a metal base layer is provided to guarantee the area of a metal base layer by compensating for an undercut of a metal base layer under a redistribution layer or a solder bump. An insulation layer is formed on a semiconductor wafer(91). The insulation layer is covered with a multilayered metal base layer(92). A photomask having an open part is formed on the metal base layer(93). The photomask is dry-etched to form a concave part that rounds toward the inner lower part of the inner wall of the open part adjacent to the metal base layer(94). The open part including the concave part is filled with a plating layer(95). The photomask is eliminated(96). The metal base layer outside the plating layer is wet-etched(97). The metal base layer that is etched toward the inside of the outer surface of the plating layer on the upper part of a protrusion part is reduced by the protrusion part of the plating layer filled in the concave part so that an area of the metal base layer under the plating layer is guaranteed. The plating layer can be a redistribution layer or a solder plating layer for a solder bump.
Abstract translation: 提供一种用于补偿金属基层的底切的方法，以通过补偿重新分布层或焊料凸块下方的金属基层的底切来保证金属基层的面积。 在半导体晶片（91）上形成绝缘层。 绝缘层覆盖有多层金属基层（92）。 在金属基底层（93）上形成具有开口部分的光掩模。 对光掩模进行干蚀刻，形成朝向与金属基底层（94）邻接的开口部的内壁的内侧下部呈圆形的凹部。 包括凹部的开口部分填充有镀层（95）。 光罩被消除（96）。 对电镀层外部的金属基层进行湿蚀刻（97）。 通过填充在凹部中的镀层的突出部分来减少在突出部分的上部上朝向镀层的外表面内侧蚀刻的金属基底层，从而使金属基底层的面积 在镀层下有保证。 镀层可以是用于焊料凸块的再分布层或焊料镀层。
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公开(公告)号：KR1020060007846A
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：KR1020040057245
申请日：2004-07-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L21/76838 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05671 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/01006 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H05K3/062 , H05K3/108 , H05K3/244 , H05K3/388 , H05K2203/0505 , H05K2203/0597 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 본 발명은 재배선 보호 피막을 가지는 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 시드 금속층 식각 공정에서 발생하는 재배선 측면의 과도 식각, 재배선 하단부의 언더컷, 재배선의 쓰러짐과 들림 등과 같은 문제를 해결하기 위한 것이다. 본 발명에 의한 웨이퍼 레벨 패키지는 재배선의 상부면 뿐만 아니라 측면 전체를 둘러싸도록 재배선 보호 피막이 형성된다. 재배선 보호 피막은 이어지는 시드 금속층 식각 공정에서 식각 용액으로부터 재배선을 보호한다. 재배선 보호 피막은 감광막 패턴과 재배선 사이에 틈을 만들어 전해도금으로 형성할 수 있다. 보호 피막을 형성하기 위한 틈은 감광막을 재차 노광하거나 다시 도포하여 만들 수 있다.
웨이퍼 레벨 패키지, 재배선, 시드 금속층, 과도 식각, 언더컷, 보호 피막-
公开(公告)号：KR1020210033966A
公开(公告)日：2021-03-29
申请号：KR1020210035804
申请日：2021-03-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: A47L9/28
Abstract: 일실시예에따른청소장치는, 집진통을포함하는진공청소기; 및상기집진통이결합되는도킹스테이션;을포함하고, 상기도킹스테이션은, 상기집진통에서도킹스테이션내부로공기를이동시키는흡입장치; 상기흡입장치의구동에의해상기공기와함께이동하는이물질을포집하는포집부; 상기도킹스테이션내부에서상기공기가이동하는흡입유로; 상기흡입유로를개방또는폐쇄하는유량조절장치; 및상기집진통이상기도킹스테이션에결합되면상기흡입장치가동작하도록제어하고, 상기흡입장치가동작하는상태에서주기적으로상기흡입유로를개폐하도록상기유량조절장치를제어하는제어부;를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020080072113A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：KR1020070010377
申请日：2007-02-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L23/525 , H01L21/7682 , H01L23/3114 , H01L23/5222 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2224/02311 , H01L2224/0236 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/06136 , H01L2224/11901 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to reduce parasitic capacitance by forming a void between conductors and filling the void with air of a low dielectric constant. A plurality of first wirings(135a) are positioned on a lower structure(101). A plurality of insulating patterns(110,140a) are formed on the lower structure in order to coat the first wirings and include at least one void. The insulating patterns between the first wirings are extended to vertical or horizontal direction. A sidewall of the first wiring has a negative slope. The void is adjacent to sidewalls of the first wirings. A part of second wirings is perpendicular to the void on the insulating patterns. The lower structure includes a conductive element perpendicular to the void.
Abstract translation: 提供了半导体器件及其制造方法，以通过在导体之间形成空隙并用低介电常数的空气填充空隙来减小寄生电容。 多个第一布线（135a）位于下结构（101）上。 多个绝缘图案（110,140a）形成在下部结构上以便涂覆第一布线并且包括至少一个空隙。 第一布线之间的绝缘图案延伸到垂直或水平方向。 第一布线的侧壁具有负斜率。 空隙与第一布线的侧壁相邻。 第二布线的一部分垂直于绝缘图案上的空隙。 下部结构包括垂直于空隙的导电元件。
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