公开(公告)号：KR1020070054289A

公开(公告)日：2007-05-29

申请号：KR1020050112126

申请日：2005-11-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영숙 ,  임정택 ,  전충삼 ,  지윤정

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01N23/2251

Abstract: 보다 신뢰성을 갖는 결함 검출 방법에 있어서, 우선 피 측정 이미지를 획득하고, 상기 피 측정 이미지와 기준 이미지를 오버랩한다. 이어서, 상기 기준 이미지를 기준으로 피 측정 이미지의 벗어난 정도를 수치로 환산하고, 상기 산출된 값이 기 설정된 값과 비교하여 결함 유무를 검출한다. 상기와 같은 방법을 사용함으로써 종래보다 정확하게 결함 유무를 확인할 수 있으며, 이미지를 이용함으로써 피 측정물의 불량 여부로 확인이 가능하다.

公开(公告)号：KR1020060014217A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：KR1020040062820

申请日：2004-08-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이병석 ,  엄태민 ,  전충삼 ,  양유신 ,  지윤정

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2601 ,  H01L22/12

Abstract: 박막의 수평한 표면을 검출하여 박막의 특성을 정확하게 측정하기 위한 박막의 특성 측정 방법 및 상기 방법을 수행하기 위한 박막의 특성 측정 장치에서, 수평 방향으로 위치된 기판 상에 형성된 박막 상으로 기 설정된 입사각을 갖는 입사 경로를 따라 광을 조사한다. 상기 광이 입사되는 박막 지점을 수평 방향으로 변화시키면서 상기 기판에 대하여 상기 입사각과 실질적으로 동일한 반사각을 갖는 반사 경로 상에 위치된 감지센서를 이용하여 상기 반사 경로를 따라 반사된 광을 검출한다. 상기 반사된 광이 검출된 상기 박막의 지점에 탐침을 접촉하여 상기 박막의 특성을 측정한다. 한편, 상기 박막의 수평한 표면에 탐침을 접촉하여 상기 박막의 특성을 측정하기 위한 박막의 특성 측정 장치를 구비한다. 따라서, 상기 박막의 수평한 표면에 탐침을 접촉하여 상기 박막 및 탐침과의 접촉면적을 항상 동일하게 유지시킴으로써 상기 박막의 특성을 정확하게 측정할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050064263A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：KR1020030095618

申请日：2003-12-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태경 ,  지윤정 ,  신경수 ,  전충삼

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68785 ,  H01L21/6776

Abstract: 웨이퍼 홀더 및 웨이퍼 홀더가 구비된 웨이퍼 운반 장치를 제공한다. 웨이퍼 홀더는 웨이퍼를 지지하여 챔버 내에서 회전 및 수평이동한다. 웨이퍼와 접촉면적을 줄이고, 마모에 의해 오염물이 발생할 수 있는 부품은 커버에 의해 외부로 부터 밀폐된다. 이 웨이퍼 홀더는 가이드 레일에 고정되어 수평이동하기 때문에 이 웨이퍼 운반 장치는 가이드 레일과 웨이퍼 홀더의 마찰에 의한 마모를 발생시키지 않는다.

公开(公告)号：KR1020040077040A

公开(公告)日：2004-09-04

申请号：KR1020030012425

申请日：2003-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 지윤정 ,  최선용 ,  전충삼 ,  류관우

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/9501

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for monitoring a depth profile of dopants are provided to monitor the depth profile of the dopants included in a pattern of a semiconductor substrate by using a non-destructive method. CONSTITUTION: A monitoring position input process is performed to monitor a depth profile of a thin film formed on a substrate(S10). A profile exposure part for exposing a profile of the thin film is shifted to a monitoring position(S20). A local profile of the thin film corresponding to the monitoring position is exposed(S30). An image of the exposed local profile is formed(S40-S70). The depth profile corresponding to the image of the exposed local profile is monitored(S80).

Abstract translation: 目的：提供一种用于监测掺杂剂深度分布的方法和装置，以通过使用非破坏性方法来监测包括在半导体衬底图案中的掺杂剂的深度分布。 构成：进行监视位置输入处理，以监视形成在基板上的薄膜的深度分布（S10）。 用于曝光薄膜轮廓的轮廓曝光部分移动到监视位置（S20）。 露出对应于监视位置的薄膜的局部轮廓（S30）。 形成曝光的局部轮廓的图像（S40-S70）。 监视对应于曝光的局部轮廓的图像的深度轮廓（S80）。

公开(公告)号：KR1020160107006A

公开(公告)日：2016-09-13

申请号：KR1020150029856

申请日：2015-03-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정호 ,  고우석 ,  양유신 ,  지윤정

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H04N5/23212 ,  G06T7/0004 ,  G06T2207/30148 ,  H04N5/2256 ,  H04N13/20 ,  H01L22/12 ,  H01L2225/06596

Abstract: 본발명의기술적사상은포커스위치조절을고속으로수행하여 3차원영상을획득하고상기 3차원영상을이용하여웨이퍼를검사함으로써, 웨이퍼상의패턴들의대한 3차원적검사를정확하고고속으로수행할수 있는 3차원영상을이용한웨이퍼검사장치를제공한다. 그웨이퍼검사장치는웨이퍼가배치되는스테이지(stage); 상기웨이퍼상의패턴에대한영상을스캔(scan) 방식으로획득하는광학장치; 상기광학장치의상기스캔의속도와연동하여상기웨이퍼로조사되는광의포커스(focus)의위치를변경하는포커스조정부; 및상기포커스의위치에따른영상들을통합처리하여 3차원영상(3-dimensional image)을생성하고분석하는영상처리장치;를포함한다.

Abstract translation: 本发明提供一种使用三维图像的晶片检查装置，其以高速调整聚焦位置以获取三维图像，并且使用三维图像来检查晶片，以精确地对晶片上的图案进行三维检查 高速。 使用三维图像的晶片检查装置包括：布置晶片的台阶; 通过扫描方法获取晶片上的图案的图像的光学装置; 与所述光学装置的扫描速度相关联以改变发射到所述晶片的光的焦点的位置的焦点调节单元; 以及图像处理装置，根据焦点的位置对图像进行综合处理，生成和分析三维图像。

公开(公告)号：KR1020080076251A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：KR1020070015953

申请日：2007-02-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조한수 ,  지윤정 ,  전충삼 ,  김종안

IPC: G01N1/28 ,  G01N21/31

Abstract: A specimen for analyzing an element, a method for manufacturing the same, and a method for analyzing the element using the same are provided to analyze ingredients of a reference specimen by using signals obtained through the irradiation of an electronic beam into a thin film for the reference specimen. A specimen(100) for analyzing an element includes a first rotational shaft(130), a second rotational shaft(140), a substrate(110) and a thin film(120). The first rotational shaft is spaced apart from the second rotational shaft in parallel to each other. The first and second rotational shafts are disposed on a stage of a device of analyzing elements. The substrate has a film form having flexibility such that the substrate is wounded around the first and second rotational shafts.

Abstract translation: 提供用于分析元件的样本，其制造方法和使用其的元件的分析方法，以通过使用通过将电子束照射获得的信号转换为薄膜来分析参考样品的成分 参考标本。 用于分析元件的样品（100）包括第一旋转轴（130），第二旋转轴（140），基底（110）和薄膜（120）。 第一旋转轴与第二旋转轴彼此平行地间隔开。 第一和第二旋转轴设置在分析元件的装置的台上。 基板具有具有柔性的膜形式，使得基板围绕第一和第二旋转轴受伤。

公开(公告)号：KR100543469B1

公开(公告)日：2006-01-20

申请号：KR1020030095618

申请日：2003-12-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태경 ,  지윤정 ,  신경수 ,  전충삼

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68785 ,  H01L21/6776

Abstract: 웨이퍼 홀더 및 웨이퍼 홀더가 구비된 웨이퍼 운반 장치를 제공한다. 웨이퍼 홀더는 웨이퍼를 지지하여 챔버 내에서 회전 및 수평이동한다. 웨이퍼와 접촉면적을 줄이고, 마모에 의해 오염물이 발생할 수 있는 부품은 커버에 의해 외부로 부터 밀폐된다. 이 웨이퍼 홀더는 가이드 레일에 고정되어 수평이동하기 때문에 이 웨이퍼 운반 장치는 가이드 레일과 웨이퍼 홀더의 마찰에 의한 마모를 발생시키지 않는다.

公开(公告)号：KR1020050118906A

公开(公告)日：2005-12-20

申请号：KR1020040044053

申请日：2004-06-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이미성 ,  지윤정 ,  이병석 ,  전충삼

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01R29/24 ,  H01L21/68721

Abstract: 본 발명은 기판에 형성된 절연막의 금속 오염 정도를 측정할 때 안정적인 신호를 얻을 수 있도록 웨이퍼의 표면에 일정량의 전하를 공급하는 장치에 관한 것으로, 상기 장치는 웨이퍼의 가장자리와 접촉하여 이를 지지하는 에지 척들과 웨이퍼의 후면을 따라 이동되면서 전하를 공급하는 전하 공급기를 가진다.

公开(公告)号：KR1020050003101A

公开(公告)日：2005-01-10

申请号：KR1020030043232

申请日：2003-06-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 엄태민 ,  양유신 ,  전충삼 ,  지윤정 ,  김정수 ,  김문경 ,  전상문 ,  최선용

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N21/47 ,  G01N21/55 ,  G01N2021/556

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus of inspecting a surface of a wafer is provided to perform an accurate surface inspection process by using wafer location information to correct a location of the wafer. CONSTITUTION: A wafer is loaded into a surface inspection region(S100). Incident rays including a first incident ray for sensing a vertical location of the wafer and a second incident ray for inspecting a surface of the wafer are irradiated on the wafer(S200). The location of the wafer is controlled by detecting the first incident ray reflected from the wafer(S300). The surface of the wafer is inspected by detecting the second incident ray scattered by the wafer(S400).

Abstract translation: 目的：提供一种检查晶片表面的方法和装置，以通过使用晶片位置信息来校正晶片的位置来执行精确的表面检查处理。 构成：将晶片装入表面检查区域（S100）。 包括用于感测晶片的垂直位置的第一入射光线和用于检查晶片表面的第二入射光线的入射光线照射在晶片上（S200）。 通过检测从晶片反射的第一入射光来控制晶片的位置（S300）。 通过检测由晶片散射的第二入射光来检查晶片的表面（S400）。