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公开(公告)号：KR1020170026812A
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：KR1020150121815
申请日：2015-08-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G02F1/155
Abstract: 본발명은전기변색물질층및 음의전압이인가되어상기전기변색물질층에전자를제공하는전극사이에계면층을포함하는전기변색소자및 상기전기변색소자를구비한전기변색유리에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101506801B1
公开(公告)日：2015-03-30
申请号：KR1020130098177
申请日：2013-08-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/06 , B05D1/34 , B05D1/62 , C08G77/045 , C09D183/04 , H01L21/02126 , H01L21/02274 , H01L21/02318 , H01L21/67115
Abstract: 본 발명은 고강도 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 저유전 상수값을 가지면서도 강도, 탄성률과 같은 기계적 강도를 개선시킨 반도체 소자용 고강도 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR101483846B1
公开(公告)日：2015-01-19
申请号：KR1020130024725
申请日：2013-03-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: A61F2/06 , A61F2/0077 , A61F2240/001 , A61F2250/0067 , A61L27/50 , A61L27/507 , A61L2400/18 , B05D1/62 , B05D3/144 , B05D7/02 , B05D7/22
Abstract: 본 발명은 플라즈마를 이용하여 튜브의 내부 표면을 개질시키는 단계를 포함하는 튜브의 제조방법, 튜브를 준비하는 단계; 마이크로플라즈마를 이용하여 상기 튜브 내부 표면을 반응성을 갖도록 개질시키는 단계; 상기 개질된 표면에 노화(aging)방지 또는 접착을 위한 박막층을 형성하는 단계; 및 마이크로플라즈마를 이용하여 상기 박막층의 표면을 세포 부착성이 향상되도록 개질시키는 단계를 포함하는 튜브의 제조방법 및 상기 제조방법에 의해 제조된 이식용 고분자 튜브에 관한 것이다.
본 발명의 마이크로플라즈마를 이용하여 튜브의 내부 표면을 차례로 1) 반응성을 갖도록 개질하고, 2) 탄화수소 박막층을 도입한 후, 3) 추가적으로 세포 부착성이 향상되도록 개질한 고분자 튜브는 상기 과정을 통해 개질된 내부 표면에 대한 평활근세포의 부착능이 증가되었으므로, 생체 내 이식 가능한 인공혈관 등으로 활용될 수 있다. 특히, 마이크로플라즈마 처리에 의한 제조방법을 이용하므로 수 mm의 좁은 내경을 갖는 튜브의 내부 표면도 균일하게 개질시킬 수 있다.-
15.发明公开패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법, 패턴화된 세포 배양용 기판, 세포의 패턴화된 배양 방법, 및 패턴화된 세포칩 有权用于培养细胞的形成图案的方法，用于培养细胞的图案化基质，培养细胞的图案方法和图案细胞芯片
公开(公告)号：KR1020110024244A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020090082152
申请日：2009-09-01
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C12N5/0068 , B01J2219/00509 , B01J2219/00527 , B01J2219/00605 , B01J2219/00612 , B01J2219/00614 , B01J2219/00619 , B01J2219/00621 , B01J2219/00635 , B01J2219/00637 , B01J2219/00743 , C12N2533/12 , C12N2533/30 , C12N2535/10
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing patterned cell culture substrate is provided to selectively culture cells at a certain region. CONSTITUTION: A method for manufacturing patterned cell culture substrate comprises: a step of preparing the substrate; a step of integrating a first precursor material on the substrate using a plasma to form a first plasma polymer layer; a step of placing a shadow mask having a certain pattern on the first plasma polymer layer; and a step of integrating the second precursor material using the plasma to form a second plasma polymer layer. A method for culturing cells comprises: a step of preparing the patterned cell culture substrate; and a step of culturing the cells on the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种制造图案化细胞培养基质的方法，以选择性培养某一区域的细胞。 构成：图案化细胞培养基板的制造方法包括：准备基板的工序; 使用等离子体将第一前体材料集成在基板上以形成第一等离子体聚合物层的步骤; 将具有某种图案的荫罩放置在第一等离子体聚合物层上的步骤; 以及使用等离子体整合第二前体材料以形成第二等离子体聚合物层的步骤。 培养细胞的方法包括：制备图案化细胞培养基底的步骤; 以及在基板上培养细胞的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100962044B1
公开(公告)日：2010-06-08
申请号：KR1020070126331
申请日：2007-12-06
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C08J5/22 , H01L21/203 , C08K5/54 , C08K5/01
CPC classification number: B05D1/62 , B05D3/0254
Abstract: 본 발명은 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 선형 형태의 유·무기 전구체 물질을 사용하여 제조되는 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 증착과 RTA 장치를 이용한 후열처리를 통하여 상기 저유전 플라즈마 중합체 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 저유전 플라즈마 중합체 박막은 열적으로 매우 안정하고 낮은 유전상수를 가지면서 뛰어난 기계적 특성을 갖는 박막 구조로 형성되어 금속 다층 박막을 제조하는데 있어서 효과적이다.
저유전, 플라즈마 중합, PECVD, RTA, 후열처리-
公开(公告)号：KR100896800B1
公开(公告)日：2009-05-11
申请号：KR1020080016365
申请日：2008-02-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L51/0096 , H01L31/022475 , H01L51/504 , H01L51/5056
Abstract: 본 발명은 기판 상에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되는 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성되는 발광층; 상기 발광층 상에 형성되고, 피로멜리트산 이무수물 및 그 유도체, 트리멜리트산 무수물 및 그 유도체, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질로 이루어진 제1 음극 계면층; 및 상기 제1 음극 계면층 상에 형성되는 제2 전극;을 포함하고, 여기서 상기 음극 계면층은 제2 전극으로부터 발광층으로의 전자 주입이 용이하도록 하기 위한 것인 유기 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 제2 전극과 발광층의 일함수 차이에 의하여 전자 주입에 필요한 에너지 장벽을 감소시키기 위하여 피로멜리트산 이무수물(pyromellitic dianhydride, PMDA) 등을 진공 증착하여 음극 계면층을 형성함으로써 제2 전극에서 발광층으로의 전자 주입이 용이해지도록 할 수 있다.
음극 계면층, 유기 발광 소자, 피로멜리트산 이무수물, 트리멜리트산 무수물-
公开(公告)号：KR100845941B1
公开(公告)日：2008-07-14
申请号：KR1020070029594
申请日：2007-03-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01L21/02126 , B05D1/62 , B05D3/0254 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02337 , H01L21/3122
Abstract: Plasma polymerized low-k thin films with considerably low dielectric constant values are provided, and treatment methods are provided to improve dielectric constants and mechanical strengths of the low-k thin films. A manufacturing method of a low-k thin film comprises the steps of: depositing a plasma polymerized thin film onto a substrate(1) by a plasma enhanced chemical vapor deposition process using a polymer precursor material; and performing a post-heat treatment at a temperature of 300 to 550 deg.C and a pressure of 0.5 to 1.5 atmospheric pressure in a gas atmosphere containing oxygen gas or nitrogen gas for 1 to 5 minutes by using an RTA(Rapid Thermal Annealing) apparatus. The polymer precursor material is decamethylcyclopentasiloxane or cyclohexane. The step of performing the post-heat treatment comprises injecting the substrate into a chamber(70) of the RTA apparatus, and generating heat relative to the substrate by using a plurality of halogen lamps(80) disposed within the chamber.
Abstract translation: 提供具有相当低介电常数值的等离子体聚合低k薄膜，并且提供了处理方法以改善低k薄膜的介电常数和机械强度。 低k薄膜的制造方法包括以下步骤：通过使用聚合物前体材料的等离子体增强化学气相沉积方法将等离子体聚合的薄膜沉积到基底（1）上; 并使用RTA（快速热退火）在含有氧气或氮气的气体气氛中，在300〜550℃的温度和0.5〜1.5大气压的压力下进行1〜5分钟的后热处理， 仪器。 聚合物前体材料是十甲基环五硅氧烷或环己烷。 执行后热处理的步骤包括将基板注入到RTA装置的室（70）中，并且通过使用设置在室内的多个卤素灯（80）相对于基板产生热量。
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公开(公告)号：KR101818610B1
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：KR1020150159154
申请日：2015-11-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , C01B31/30 , C07F5/06 , H01L21/205 , H01L21/31
CPC classification number: C07F5/06 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/31
Abstract: 본발명은탄소; 산소; 및알루미늄, 티타늄, 하프늄, 탄탈륨, 지르코늄및 텅스텐으로구성된군으로부터선택되는금속;을포함하는박막으로서, 총중량을기준으로 5 내지 85중량%의탄소, 5 내지 60중량%의산소; 및 5 내지 40중량%의금속을포함하는금속탄화산화물박막에관한것이다. 본발명의금속탄화산화물박막은반응전구체의단일주입공정을통해증착되어형성되므로박막두께를축소화할수 있어공정의단순화및 제조원가의절감이가능해지며이를통해생산성향상에기여할수 있다. 또한, 본발명의금속탄화산화물박막을제조하는방법은증착조건을변화시켜박막중의각 성분의함량비를조절할수 있고이에따라제조되는박막의강도, 내식각성, 전도도등의물성을조절할수 있으므로, 사용하고자하는용도에맞는성질을갖는박막을제조하기에유리하다.
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公开(公告)号：KR1020160101285A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：KR1020150023297
申请日：2015-02-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L51/44 , H01L21/02 , C07C211/10 , H01L31/0256
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/448 , C07C211/10 , H01L21/02274 , H01L2031/0344
Abstract: 본발명은무기박막, 및디아민화합물을전구체물질로사용하여제조되는플라즈마중합체박막을포함하는산소또는수분차단용다층박막, 상기산소또는수분차단용다층박막을구비한유기전자소자, 및상기산소또는수분차단용다층박막이코팅된포장재에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于阻断氧和/或水分的多层薄膜，其包括通过使用二胺化合物前体材料制成的有机薄膜和等离子体聚合物薄膜，包括多层薄膜的有机电子器件 用于阻挡氧气和/或水分的膜，以及涂覆有多层薄膜以用于阻断氧气和/或水分的包装材料。
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