公开(公告)号：KR1020140143764A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：KR1020147027285

申请日：2013-03-21

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 테브스디르크 ,  미할릭파비안 ,  힐이바네스벨렌 ,  브란트루츠 ,  시에맹체 ,  지밍리우

IPC: C23C18/20 ,  C23C18/26

CPC classification number: C23C18/24 ,  C23C18/1641 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1675 ,  C23C18/2006 ,  C23C18/22 ,  C23C18/28 ,  C23C18/285 ,  C23C18/30 ,  C23C18/36 ,  C23C18/38 ,  C23C18/40 ,  C23C18/405 ,  C25D3/18 ,  C25D3/38 ,  C25D5/022 ,  C25D5/54 ,  C25D5/56

Abstract: 본 발명은, 유기실란 조성물을 도포한 다음 산화 처리하는 유전체 기판 표면의 금속화를 위한 신규한 프로세스들에 관한 것이다. 그 방법은 금속 도금된 표면들이 기판과 도금된 금속 사이에 높은 접착을 나타내게 하는 한편 동시에 매끄러운 기판 표면을 온전한 상태로 둔다.

公开(公告)号：KR1020100126355A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：KR1020107019893

申请日：2009-02-27

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 스파링크리슈티안 ,  뤼초브노르베르트 ,  테브스디르크 ,  톰스마르틴

IPC: C09J201/02 ,  C09J179/00 ,  C09J175/00 ,  H05K3/38

CPC classification number: H05K3/389 ,  C23C22/02 ,  C23C22/52 ,  C23F11/12 ,  C23F11/128 ,  C23F11/149 ,  C23F11/16 ,  C23F11/165 ,  C23F11/173 ,  H05K3/064 ,  H05K3/108 ,  H05K3/282 ,  H05K2203/12 ,  H05K2203/122 ,  H05K2203/124

Abstract: 매우 얇은 구리 기재가 손상되지 않도록 하면서, 상기 구리 기재에 대한 레지스트 코팅물, 더욱 특히 감광성 레지스트 코팅물의 양호한 접착성을 달성하기 위해, i) 하나 이상의 티올 부분을 포함하는 헤테로시클릭 화합물 및 ii) 하기 화학식을 갖는 4급 암모늄 중합체를 포함하는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 접착제를 포함하는, 구리 기재 처리용 비에칭 무레지스트 조성물을 제공한다:

[식 중, R
3 , R
4 ,
R
5 , Y 및 X
- 는 청구항에 정의된 바와 같음].

公开(公告)号：KR101842320B1

公开(公告)日：2018-03-26

申请号：KR1020147000195

申请日：2012-06-29

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 휠스만토마스 ,  클리퀴아르노 ,  테브스디르크 ,  클로피쉬미르코 ,  룡안드리

IPC: C23C22/52 ,  H05K3/38 ,  C23F1/18

CPC classification number: B05D3/102 ,  B05D1/02 ,  B05D1/32 ,  C23C22/52 ,  C23F1/18 ,  H05K3/28 ,  H05K3/385 ,  Y10T428/265

Abstract: 본발명은구리또는구리합금표면에의유기레지스트재료의접착을증가시키는방법에관한것이다. 구리또는구리합금표면은적어도하나의유기산, 과산화물화합물, 및선택적으로는, 요소 (urea), 그의유도체와수용성폴리머로구성된그룹으로부터선택되는하나이상의물질을포함하는수성접착촉진용액과접촉된다.

Abstract translation: 本发明涉及增加有机抗蚀剂材料对铜或铜合金表面的粘附性的方法。 铜或铜合金表面与包含至少一种有机酸，过氧化物化合物和任选的至少一种选自尿素，其衍生物和水溶性聚合物的材料的含水粘附促进溶液接触。

公开(公告)号：KR101628434B1

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：KR1020127027382

申请日：2010-05-26

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 테브스디르크 ,  슈파링크리슈티안 ,  톰스마르틴

IPC: C23F1/18 ,  H05K3/38 ,  B44C1/22 ,  H05K3/28

CPC classification number: C23F1/18 ,  H05K3/28 ,  H05K3/383

Abstract: 인쇄회로판의제조과정에서구리또는구리합금의마이크로에칭을위한조성물및 상기조성물을적용하는방법을개시한다. 상기조성물은구리염, 할로겐화물이온공급원, 완충계및 에칭리파이너인벤조티아졸화합물을포함한다. 본발명의조성물및 방법은특히

公开(公告)号：KR1020140009376A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：KR1020137024617

申请日：2012-02-09

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 우드닐 ,  테브스디르크

IPC: C23F1/40 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3213 ,  H05K3/00 ,  C23F1/44

CPC classification number: H05K3/26 ,  C23F1/40 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/7684 ,  H05K3/3473 ,  H05K2203/054 ,  H05K2203/0793

Abstract: 본 발명은 딤플들의 형성을 회피하는 주석 또는 주석 합금으로 채워진 리세스된 구조들의 평탄화를 위한 방법을 개시한다. 이러한 구조들은 전자 디바이스들에서 안정적이고 신뢰성 있는 솔더 접합들을 위한 솔더 성막물들로서 작용할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120005458A

公开(公告)日：2012-01-16

申请号：KR1020117023654

申请日：2010-03-30

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 뤼초브노르베르트 ,  슈파링크리슈티안 ,  테브스디르크 ,  톰스마르틴

IPC: H05K3/20 ,  H05K3/38

CPC classification number: H05K3/205 ,  H05K2203/124 ,  H05K3/20 ,  H05K3/38

Abstract: 회로의 도전체 라인들이 유전체 기판 포면에 대한 양호한 접착을 갖는 유전체 기판상에 고 밀도 회로를 제조할 수 있도록, 다음의 방법 단계들: a) 두개의 측면들을 갖는 보조 기판을 제공하는 단계로서, 상기 측면들 중 적어도 하나는 도전성 표면을 갖는, 상기 두개의 측면들을 갖는 보조 기판을 제공하는 단계; b) 적어도 하나의 도전성 표면 중 적어도 하나의 도전성 표면을 적어도 하나의 릴리즈 층 형성 화합물로 처리하는 단계로서, 상기 릴리즈 층 형성 화합물은 적어도 하나의 티올기를 갖는 헤테로사이클릭 화합물인, 상기 적어도 하나의 릴리즈 층 형성 화합물로 처리하는 단계; c) 적어도 하나의 릴리즈 층 형성 화합물로 처리된 적어도 하나의 도전성 표면의 적어도 하나상에 패턴화된 레지스트 코팅을 형성하는 단계로서, 패턴화된 레지스트 코팅은 적어도 하나의 레지스트 개구를 가져서 도전성 표면을 노출시키는, 패턴화된 레지스트 코팅을 형성하는 단계; d) 노출된 도전성 표면상에 금속을 전착하여 적어도 하나의 레지스트 개구에 도전성 패턴을 형성하는 단계; e) 보조 기판의 각각의 측면상에 각각의 유전체 재료 층을 형성하여 유전체 재료에 각 도전성 패턴을 형성하는 단계; 및 f) 각각의 임베딩된 도전성 패턴을 포함하는 각 유전체 재료와 보조 기판을 서로 분리시키는 단계를 포함하는 방법이 제공된다.