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公开(公告)号：KR101003870B1
公开(公告)日：2010-12-30
申请号：KR1020080056563
申请日：2008-06-16
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은, 복수개의 시편에 대하여 동시에 일렉트로마이그레이션 특성을 측정할 시에, 직류 전원 대신 펄스 신호를 이용함으로써 시편의 구조상 특정 부분에 국부적 전류 밀집현상이 많이 발생하는 시편 구조에서 줄 열의 발생을 최소화시키는 일렉트로마이그레이션 측정 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 일렉트로마이그레이션(Electromigration; EM) 측정을 위한 복수개의 시편이 상호 직렬 연결되도록 구성되어 있는 일렉트로마이그레이션 측정 장치로서, 상기 복수개의 시편에 펄스 신호를 인가하는 펄스 생성기를 포함하는 것을 특징으로 하는 일렉트로마이그레이션 측정 장치가 제공된다.
일렉트로마이그레이션(electromigration), 줄 열(Joule Heating), 저항,펄스 전류(pulse current)-
公开(公告)号：KR100903418B1
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：KR1020070123778
申请日：2007-11-30
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 전자이주 현상을 이용한 메모리 셀이 개시된다. 본 발명에 따른 메모리 셀은 전류가 흐름에 따라 전자이주 효과가 나타나는 물질로 이루어지는 메모리부(100), 메모리부(100)에 전압을 인가하기 위하여 메모리부(100)의 양단에 각각 연결되는 제1(120) 및 제2 전극(130), 메모리부(100)의 저항 변화를 감지하기 위하여 메모리부(100)의 중간 부근에 연결되는 제3 전극(140), 제1 전극(120)과 연결되는 제1 액세스 트랜지스터(110a), 및 제2 전극(130)과 연결되는 제2 액세스 트랜지스터(110b)를 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 메모리 셀은 전자이주 재료에 흐르는 전류의 밀도 차이를 수월하게 제어할 수 있으므로 비휘발성 메모리를 생산함에 있어서 면적 효율적이면서 생산 비용이 절감되는 효과가 있다.
전자이주(electromigration), 메모리, 기록장치-
公开(公告)号：KR100864416B1
公开(公告)日：2008-10-20
申请号：KR1020070016963
申请日：2007-02-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 반도체의 전기적 특성과 신뢰성을 프로빙하는 반도체의 전기적 특성과 신뢰성 검사장치에 관한 것이다.
본 발명의 주요한 기술적 구성은, 검사대상 반도체(DUT)를 상대로 복수 개가 구비되는 머니퓰레이터; 상기 복수 개의 머니퓰레이터에 각각 장착되며 상기 DUT의 전기적 특성 탐지를 위한 팁이 구비된 프로브; 상기 복수 개의 머니퓰레이터에 각각 설치되어 상기 DUT를 상대로 해당 프로브를 변위시키는 위상제어수단을 포함하여 이루어진다.
본 발명은 개별 조작되는 복수 개의 머니퓰레이터를 구비함에 따라 여러 개의 DUT에 대한 전기적 특성 및 그에 따른 신뢰성 검사를 매우 신속하고 용이하게 수행할 수 있고, 개개의 머니퓰레이터에 구비된 위상제어수단에 의해 DUT의 패드 또는 해당 패드의 검사대상 부분에 대한 프로브 팁의 위치 설정이 용이하여, 작업 효율이 크게 향상되는 효과가 있다. 또, 본 발명은 복수 개의 머니퓰레이터 각각이 개별적으로 구비하고 있는 프로브에 의해 DUT의 검사를 수행하게 되므로, 단일 프로브로 여러 개의 DUT에 대한 검사를 수행하는 종래의 경우에 비하여 프로브 팁의 교체 빈도를 줄일 수 있어 경제적인 면에서 매우 유리한 효과가 기대된다. 또한, 본 발명은 다양한 종류의 DUT를 상대로 검사를 수행할 수 있는 범용성을 가지므로 경제적인 면에서 매우 유리한 효과가 있다.
반도체, 전기적 특성, 검사, 멀티-머니퓰레이터, 프로브-
公开(公告)号：KR100864406B1
公开(公告)日：2008-10-20
申请号：KR1020070016923
申请日：2007-02-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은, 반도체 및 패키지의 전기적 특성을 측정하기 위한 반도체 테스트 장치에 있어서, 복수 개의 반도체 시료를 탑재하여 지지하기 위한 하부 프레임과, 상기 반도체 시료의 전기적 특성을 측정하기 위하여 상기 하부 프레임 상부에 장착되는 상부 프레임과, 일단이 상기 상부 프레임에 결합되고 타단이 상기 하부 프레임에 탑재된 각 반도체 시료에 전기적으로 접속되는 복수 개의 도전성 콘택 막대를 포함하는 반도체 및 패키지의 전기적 특성과 신뢰성 검사장치에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 여러 개의 반도체 시료를 한번에 측정할 수 있으므로 경제적이고 효율적으로 반도체 시료의 신뢰성을 평가할 수가 있다.
반도체, 웨이퍼, 프로브, 전기적 특성, 측정장치-
公开(公告)号：KR1020040085353A
公开(公告)日：2004-10-08
申请号：KR1020030020001
申请日：2003-03-31
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: F02C7/06
Abstract: PURPOSE: A thrust gas bearing for a micro-turbine of a hybrid type is provided to make the thrust gas bearing stably work, covering all speed ranges from low-speed rotation of a turbine rotor to high-speed rotation. CONSTITUTION: In a thrust gas bearing for a micro-turbine of a hybrid type, several orifices(30), through which high-pressure gas comes in from the outside, are formed around the center(20) of a body(10) formed as a silicon substrate and several spiral grooves(40) are formed around the orifices. High-pressure gas passing through the orifices adjusts the position of a turbine rotor by a pressure difference resulting from vertical bias of the turbine rotor, while flowing along the spiral grooves. Passages(50), through which the high-pressure gas passing through the spiral grooves is exhausted to the outside, are formed around the spiral grooves. A circular channel(60) is formed around the spiral grooves.
Abstract translation: 目的：提供一种用于混合型微型涡轮机的推力气体轴承，以使推力气体轴承稳定工作，覆盖从涡轮转子的低速旋转到高速旋转的所有速度范围。 构成：在用于混合型微型涡轮机的推力气体轴承中，围绕形成的主体（10）的中心（20）形成有几个从外部进入高压气体的孔（30） 作为硅衬底，并且在孔口周围形成几个螺旋槽（40）。 通过孔口的高压气体通过涡轮转子的垂直偏压产生的压力差来调节涡轮转子的位置，同时沿着螺旋槽流动。 在螺旋槽周围形成有通过螺旋槽的高压气体向外部排出的通路（50）。 围绕螺旋槽形成圆形通道（60）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090056569A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：KR1020070123778
申请日：2007-11-30
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/2436 , G11C13/0004
Abstract: A memory cell using electromigration effect is provided to realize high area efficiency in producing a nonvolatile memory by using the difference of the current density flowing electromigration material and controlling it easily. A memory unit(100) is made of material in which an electromigration effect is generated. A first and a second electrode(120,130) are connected to both ends of the memory unit in order to supply a voltage to the memory unit. A third electrode(140) is connected to the middle part of the memory unit in order to sense resistance variation of the memory unit. A first access transistor(110a) is connected to the first electrode, and a second access transistor(110b) is connected to the second electrode.
Abstract translation: 提供使用电迁移效应的存储单元，以通过使用电流密度流动的电迁移材料的差异并容易地控制来实现制造非易失性存储器的高面积效率。 存储单元（100）由其中产生电迁移效应的材料制成。 第一和第二电极（120,130）连接到存储器单元的两端，以向存储器单元提供电压。 第三电极（140）连接到存储器单元的中间部分，以便检测存储器单元的电阻变化。 第一存取晶体管（110a）连接到第一电极，第二存取晶体管（110b）连接到第二电极。
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公开(公告)号：KR100990815B1
公开(公告)日：2010-10-29
申请号：KR1020080065702
申请日：2008-07-07
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 저농도의 수소 농도를 측정하기에 적합한 수소센서 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 수소센서의 제조방법은 (a) 기판(110) 상에 제1 및 제2 전극(120, 130)을 형성하는 단계; (b) 제1 및 제2 전극(120, 130)간에 전압을 인가하여 나노선(160)을 형성하는 단계; 및 (c) 나노선(160) 상에 반응막(170)을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 기존의 벌크 및 박막 형태의 저항형 수소센서보다 응답 시간, 민감도 및 내구성(박리 현상 감소)이 향상되고, 아울러 제조 과정이 간단하여 제조 비용의 절감과 수율의 향상을 도모할 수 있는 수소센서의 제조가 가능하다.
수소센서, 저항형 수소센서, 나노선-
公开(公告)号：KR100982055B1
公开(公告)日：2010-09-14
申请号：KR1020070108540
申请日：2007-10-26
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 간편하면서도 단시간 내에 고순도의 나노선을 효과적으로 성장시킬 수 있는 나노선 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 나노선 제조방법은 a) 기판 상에 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계; 및 (b) 제1 및 제2 전극간에 소정의 전압을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
나노선, 전극, 전압, 물-
公开(公告)号：KR1020090102555A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：KR1020080028068
申请日：2008-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L23/62
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: An electrical fuse device and method of operating the same are provided to use the existing processing of semiconductor device using the material of the metal gate of the cell region or the metal wiring. CONSTITUTION: The electrical fuse device includes the cathode(100) and the anode(200), and the fuse link(150). The cathode is separated from the anode. The fuse link connects a cathode and anode. The fuse link includes laminated two metal layers. The number of the metal layer which becomes blowing is changed according to the voltage applied in the fuse link and the intensity.
Abstract translation: 目的：提供一种电熔丝装置及其操作方法，以使用半导体器件的现有处理，其使用电池区域的金属栅极或金属布线的材料。 构成：电熔丝装置包括阴极（100）和阳极（200）以及熔断体（150）。 阴极与阳极分离。 熔断体连接阴极和阳极。 熔断体包括层压的两层金属层。 根据施加在熔断体中的电压和强度，变成吹塑的金属层的数量变化。
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公开(公告)号：KR1020090042667A
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：KR1020070108540
申请日：2007-10-26
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L21/02603 , B82Y40/00 , H01L29/413
Abstract: A method for manufacturing nano wire is provided to produce nano wire with high purity, thereby improving properties of electric devices such as semiconductor. A method for manufacturing nano wire comprises the following steps of: forming first and second electrodes(104a,104b) on a substrate(102); and applying predetermined voltage to an interval between the first and second electrodes. Materials of the first and second electrodes comprise alloy consisting of two or more elements. The Interval between the first and the second electrodes has a range of hundreds of mum. Water is dropped on one electrode among the first and second electrodes before applying predetermined voltage to an interval between the first and second electrodes.
Abstract translation: 提供了一种制造纳米线的方法来制造高纯度的纳米线，从而改善诸如半导体的电子器件的性能。 制造纳米线的方法包括以下步骤：在基底（102）上形成第一和第二电极（104a，104b）; 以及将预定电压施加到所述第一和第二电极之间的间隔。 第一和第二电极的材料包括由两个或更多个元件组成的合金。 第一和第二电极之间的间隔具有数百个母体的范围。 在将预定电压施加到第一和第二电极之间的间隔之前，水在第一和第二电极中的一个电极上滴下。
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