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公开(公告)号：WO2023022453A1
公开(公告)日：2023-02-23
申请号：PCT/KR2022/012138
申请日：2022-08-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G01R19/165 , G01R31/26 , G01R19/00 , G01R31/3181 , H01L29/78
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 스위칭 전하 측정장치는 게이트 산화물을 포함하는 트랜지스터의 게이트에 미리 정해진 주파수의 전압 펄스를 인가하는 전압 인가부, 전압 펄스에 응답하여, 트랜지스터의 웰(well)과 상기 트랜지스터의 소스(source)의 사이 및 트랜지스터의 웰과 드레인(drain)사이 중 적어도 어느 하나의 평균 직류 전류를 측정하는 SMU(source measure unit) 및 측정된 평균 직류 전류를 기초로 스위칭 전하를 계산하는 프로세서를 포함하며, 게이트 산화물은 강유전체를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020090056569A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：KR1020070123778
申请日：2007-11-30
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/2436 , G11C13/0004
Abstract: A memory cell using electromigration effect is provided to realize high area efficiency in producing a nonvolatile memory by using the difference of the current density flowing electromigration material and controlling it easily. A memory unit(100) is made of material in which an electromigration effect is generated. A first and a second electrode(120,130) are connected to both ends of the memory unit in order to supply a voltage to the memory unit. A third electrode(140) is connected to the middle part of the memory unit in order to sense resistance variation of the memory unit. A first access transistor(110a) is connected to the first electrode, and a second access transistor(110b) is connected to the second electrode.
Abstract translation: 提供使用电迁移效应的存储单元，以通过使用电流密度流动的电迁移材料的差异并容易地控制来实现制造非易失性存储器的高面积效率。 存储单元（100）由其中产生电迁移效应的材料制成。 第一和第二电极（120,130）连接到存储器单元的两端，以向存储器单元提供电压。 第三电极（140）连接到存储器单元的中间部分，以便检测存储器单元的电阻变化。 第一存取晶体管（110a）连接到第一电极，第二存取晶体管（110b）连接到第二电极。
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公开(公告)号：KR100903418B1
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：KR1020070123778
申请日：2007-11-30
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 전자이주 현상을 이용한 메모리 셀이 개시된다. 본 발명에 따른 메모리 셀은 전류가 흐름에 따라 전자이주 효과가 나타나는 물질로 이루어지는 메모리부(100), 메모리부(100)에 전압을 인가하기 위하여 메모리부(100)의 양단에 각각 연결되는 제1(120) 및 제2 전극(130), 메모리부(100)의 저항 변화를 감지하기 위하여 메모리부(100)의 중간 부근에 연결되는 제3 전극(140), 제1 전극(120)과 연결되는 제1 액세스 트랜지스터(110a), 및 제2 전극(130)과 연결되는 제2 액세스 트랜지스터(110b)를 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 메모리 셀은 전자이주 재료에 흐르는 전류의 밀도 차이를 수월하게 제어할 수 있으므로 비휘발성 메모리를 생산함에 있어서 면적 효율적이면서 생산 비용이 절감되는 효과가 있다.
전자이주(electromigration), 메모리, 기록장치-
公开(公告)号：KR101545512B1
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：KR1020120153450
申请日：2012-12-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: G11C13/0064 , G11C13/004 , G11C29/50008 , G11C2013/0054 , G11C2029/0409
Abstract: 본발명은반도체메모리장치, 검증독출방법및 시스템을개시하고있다. 반도체메모리장치는반도체메모리장치는복수의저항성메모리셀을포함하는메모리셀 어레이및 상기복수의저항성메모리셀의저항값상태를반영한적어도 2비트이상의디지털코드값에기초하여메모리셀의저항값상태를판별하도록제어하는제어블록을포함한다. 따라서, 디지털코드값의산포를분석하여메모리의데이터를구별함으로써현재메모리셀 어레이의특성을모니터링할수 있고, 신뢰성있는데이터의독출이가능하다.
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公开(公告)号：KR1020140110332A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：KR1020130024491
申请日：2013-03-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Inventor： 권기원
IPC: H04L25/40
CPC classification number: H04L25/40 , H03M1/124 , H04L7/0331
Abstract: A reception apparatus through a baud rate sampling of the present invention obtains transaction status information of a current point of received data by extracting the data by improving extraction sensitivity for a part of the received data, and restores the data by reading the data around the obtained transaction status information by reducing the extraction sensitivity for other parts of the received data based on the obtained transaction status information in the reception apparatus for restoring the data by executing the sampling around the baud rate which samples the data in the same speed as the data transmission speed. Therefore, the read of the reliable data is possible regardless of a relationship with the transaction point of the data in a sampling point when the baud rate ADC sampling is executed.
Abstract translation: 通过本发明的波特率采样的接收装置通过提高接收数据的一部分的提取灵敏度来提取数据，从而获得接收数据的当前点的交易状态信息，并通过读取所获得的数据周围的数据来恢复数据 交易状态信息，通过基于获取的用于恢复数据的交易状态信息的接收装置的交易状态信息，通过执行以与数据传输相同的速度对数据进行采样的波特率的采样来减小接收数据的其他部分的提取灵敏度 速度。 因此，当执行波特率ADC采样时，可以读取可靠数据而不管与采样点中的数据的交易点的关系如何。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101431215B1
公开(公告)日：2014-08-19
申请号：KR1020120139735
申请日：2012-12-04
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: G11C13/0033 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C29/50008 , G11C29/52 , G11C2013/0092 , G11C2029/0409
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치, 리프레쉬 방법 및 시스템을 개시하고 있다. 반도체 메모리 장치는 복수의 저항성 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이 및 상기 복수의 저항성 메모리 셀의 저항 상태를 반영한 디지털 코드값을 기반으로 상기 복수의 저항성 메모리 셀에 대한 리프레쉬(refresh) 동작의 모드 및 스케줄 중 적어도 어느 하나를 가변시키도록 제어하는 제어 블록을 포함한다. 따라서, 저항성 메모리의 리프레쉬를 효율적으로 수행하여 성능 저하를 최소화하고, 디바이스의 수명 시간을 연장할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101416879B1
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：KR1020080097786
申请日：2008-10-06
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: G11C8/06 , G06F12/0238 , G06F2212/7201 , G11C13/0069
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 비휘발성 메모리의 동작 방법은, 통상적인 프로그래밍 동작에서는 비휘발성 메모리의 상태를 한쪽 방향으로만 천이시킨다.
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8.发明授权동적 루프 대역을 갖는 위상고정루프 및 동적 루프 대역을 사용하여 기준신호에 동기하는 출력신호를 생성하는 방법 有权具有动态环路带宽的相位锁定环路和使用动态环路带宽同步参考信号的输出信号的生成方法
公开(公告)号：KR101201116B1
公开(公告)日：2012-11-13
申请号：KR1020100079546
申请日：2010-08-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명에 따른 동적 루프 대역을 갖는 위상고정루프는 기준신호와 출력신호 간의 위상차를 감지하여, 출력신호를 기준신호에 동기화시키기 위한 펄스를 생성하는 위상 주파수 비교기, 위상 주파수 비교기에서 생성된 펄스에 대응되게 루프 대역을 동적으로 조절하는 루프 대역 제어기, 루프 대역 제어기에서 조절된 루프 대역에 따라 업(up)전류 또는 다운(down)전류가 동적으로 출력되는 전하펌프 및 전하펌프의 전류를 기준으로 제어 전압을 변동하여 출력신호를 생성하는 전압 제어 발진기를 포함한다.
본 발명에 따른 위상고정루프는 위상 주파수 비교기에서 생성된 펄스에 대응되게 루프 대역을 조절하는 루프 대역 제어기를 갖고, 전하펌프에 공급되는 전류를 조절하여 효율적인 동기화가 수행된다.-
公开(公告)号：KR1020110072278A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020090129136
申请日：2009-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L23/538
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L23/538 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: An electronic device including an inductive coupling communication unit is provided to stably transmit and receive a signal with low power by reducing an eddy current. CONSTITUTION: A first silicon chip and a second silicon chip are successively laminated. A first inductor(112) is arranged on the first silicon chip. A second inductor(122) is arranged on the second silicon chip to correspond to the first inductor and is inductively coupled with the first inductor. A penetration hole(130) is formed on the second silicon chip and includes an inductive coupling communication unit to correspond to the first inductor. The penetration hole is formed in the second inductor. An insulator fills the penetration hole.
Abstract translation: 目的：提供一种包括电感耦合通信单元的电子设备，通过减少涡流来稳定地发送和接收具有低功率的信号。 构成：依次层叠第一硅芯片和第二硅芯片。 第一电感器（112）布置在第一硅芯片上。 第二电感器（122）布置在第二硅芯片上以对应于第一电感器并且与第一电感器感应耦合。 穿孔（130）形成在第二硅芯片上，并包括与第一电感相对应的电感耦合通信单元。 穿透孔形成在第二电感器中。 绝缘体填充穿透孔。
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公开(公告)号：KR1020110032720A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：KR1020090090352
申请日：2009-09-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A charge pump circuit is provided to reduce power consumption by driving a charge pump with low power. CONSTITUTION: In a charge pump circuit, a charge pump circuit has a plurality of pumping stages. Each pumping stage comprises two inverters, two pump capacitors, and an electric charge recycle unit. Two inverters are cross-connected. The inverter unit is controlled by first and second clock signals. A second clock signal has a reversed phase to the first clock signal. The pump capacitor is connected between an input terminal and inverter units of the clock signal. The clock signals are provided to one end of the pump capacitors. The recycle unit is connected to the other end of the pump capacitors.
Abstract translation: 目的：提供电荷泵电路，通过驱动低功率的电荷泵来降低功耗。 构成：在电荷泵电路中，电荷泵电路具有多个泵送级。 每个泵送阶段包括两个逆变器，两个泵电容器和一个电荷循环单元。 两台逆变器交叉连接。 逆变器单元由第一和第二时钟信号控制。 第二时钟信号具有与第一时钟信号相反的相位。 泵电容器连接在时钟信号的输入端子和逆变器单元之间。 时钟信号提供给泵电容器的一端。 再循环单元连接到泵电容器的另一端。
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