公开(公告)号：KR1020090033665A

公开(公告)日：2009-04-06

申请号：KR1020070098812

申请日：2007-10-01

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이한보람 ,  손종역 ,  김형준

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/28556 ,  H01L21/28518

Abstract: A method of manufacturing the metallic silicide layer using the plasma atomic layer deposition is provided to form the metal silicide without the thermal process and to maintain the thermal stability of the device structure. The metallic silicide layer is manufactured by the PE-ALD(plasma-enhanced atomic layer deposition) method. Firstly, the metal precursor is put into in the atomic layer deposition equipment. The metal precursor is absorbed on the semiconductor substrate. The evaporated metal precursor is reduced to metal by the gas plasma. The reducing metal reacts to the material including silicon to form the metal silicide. The material including silicon can be silane. The metal precursor can be the cobalt precursor, and the titanium precursor or the nickel precursor.

Abstract translation: 提供了使用等离子体原子层沉积来制造金属硅化物层的方法，以在没有热处理的情况下形成金属硅化物，并且保持器件结构的热稳定性。 金属硅化物层通过PE-ALD（等离子体增强原子层沉积）方法制造。 首先将金属前体放入原子层沉积设备中。 金属前体被吸收在半导体衬底上。 蒸发的金属前体通过气体等离子体还原成金属。 还原金属与包括硅在内的材料反应形成金属硅化物。 包括硅的材料可以是硅烷。 金属前体可以是钴前体，钛前体或镍前体。

公开(公告)号：KR100848813B1

公开(公告)日：2008-07-28

申请号：KR1020070041249

申请日：2007-04-27

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 김형준 ,  신영한 ,  우윤성 ,  이한보람 ,  이성균 ,  손종역

IPC: H01L41/107 ,  H01L29/72 ,  B82Y15/00

CPC classification number: G11C13/025 ,  H01L41/107 ,  Y10S977/742

Abstract: A transistor using deformation caused by piezoelectric effect of a carbon nano tube is provided to obtain a transistor of a new concept using deformation of a carbon nano tube caused by deformation of a piezoelectric device by using a device of a several nano meter using a carbon nano tube. A piezoelectric device(6) is disposed at one side of a carbon nano tube(5) so that the carbon nano tube is deformed by contraction or expansion of the piezoelectric device. A switching process is performed by a difference of specific resistance of the carbon nano tube generated by a deformation quantity of the carbon nano tube caused by the contraction or expansion of the piezoelectric device. The piezoelectric device can be a shape memory piezoelectric actuator.

Abstract translation: 提供使用由碳纳米管的压电效应引起的变形的晶体管，以通过使用使用碳纳米管的几纳米器件来获得使用由压电器件的变形引起的碳纳米管的变形的新概念的晶体管 管。 压电装置（6）设置在碳纳米管（5）的一侧，使得碳纳米管通过压电装置的收缩或膨胀而变形。 通过由压电装置的收缩或膨胀引起的碳纳米管的变形量产生的碳纳米管的电阻差的差异进行切换处理。 压电器件可以是形状记忆压电致动器。

公开(公告)号：KR101134184B1

公开(公告)日：2012-04-09

申请号：KR1020090065446

申请日：2009-07-17

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 양승윤 ,  전금혜 ,  김형준 ,  손종역 ,  이창수 ,  김진곤 ,  변진석

IPC: B82B3/00 ,  G01N27/12 ,  G01N27/00

CPC classification number: H01L21/02554 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

Abstract: Provided is a method of manufacturing a sensor structure, where vertically-well-aligned nanotubes are formed and the sensor structure having an excellent performance can be manufactured at the room temperature at low cost by using the nanotubes. The method of manufacturing a sensor structure includes: (a) forming a lower electrode on a substrate; (b) forming an organic template having a pore structure on the lower electrode; (c) forming a metal oxide thin film in the organic template; (d) forming a metal oxide nanotube structure, in which nanotubes are vertically aligned and upper portions thereof are connected to each other, by removing the organic template through a dry etching method; and (e) forming an upper electrode on the upper portions of the nanotubes.

公开(公告)号：KR100991863B1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：KR1020080007071

申请日：2008-01-23

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 손종역 ,  신영한 ,  김성규 ,  김형준

IPC: H01L27/105

Abstract: 본 발명은 종류가 다른 두 층의 강유전체 박막을 적층 할 때 발생하는 임프린트(imprint) 현상을 이용하여, 인가 전기장의 방향에 따라 두 가지의 다른 크기를 갖고 외부의 전원이 없이도 형상이 기억되는 형상 기억(shape memory) 방법 및 이를 이용한 소자에 관한 것이다.
강유전체에 임프린트 현상이 발생할 경우, 외부의 전기장이 가해지지 않더라도 즉 외부 전원이 없더라도, 두 가지의 서로 다른 크기의 압전 성질을 갖게 되며, 이는 내부의 전기적 불균형에 의한 것이다.
본 발명은 종류가 다른 두 층의 강유전체 박막 구조와 형성된 두 층으로 이루어진 강유전체 박막 구조와 형성된 박막 구조의 박막 두께 비 조절을 통해, 내부의 전기적인 불균형의 조절이 가능하도록 한 것을 특징으로 한다.
다층 박막, 강유전체, 임프린트, 형상 기억

公开(公告)号：KR100973522B1

公开(公告)日：2010-08-02

申请号：KR1020070078440

申请日：2007-08-06

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 김우희 ,  손종역 ,  김형준

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 균일하며 높은 정렬도를 갖고 다양한 형상으로 구현될 수 있는 나노 구조물의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 (a) 산 용액에 기판을 투입하고 상기 기판상에 알루미늄을 양극산화시킴으로써, 상기 기판의 표면으로부터 수직하게 나노 크기의 구멍이 형성된 산화 알루미늄 나노 템플릿을 형성하는 단계와; (b) 원자층 증착법을 이용하여, 상기 나노 구조물을 이루는 물질로 상기 나노 템플릿에 형성된 구멍을 채우는 단계와; (c) 상기 산화 알루미늄을 제거하는 단계를 포함하는 나노 구조물의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 나노 구조물의 제조방법은 대면적으로 제조가능하며, 환경 센서나 바이오 센서로의 응용이 직접적으로 가능할 뿐 아니라, 메모리 축전기의 제작이나 연료 전지용 전극 분야 등 다양한 분야에 응용이 가능하다.
자기 조립 나노 템플릿, 양극 산화 알루미늄, 원자층 증착, 나노 구조물, 환경 센서, 바이오 센서, 대면적 공정

公开(公告)号：KR1020100050122A

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：KR1020080109252

申请日：2008-11-05

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 ,  주식회사 포스코

Inventor： 이창수 ,  김형준 ,  손종역 ,  맹완주 ,  이재륭 ,  조두환 ,  김정원 ,  최원용

IPC: B05D7/14 ,  B05D5/00 ,  C01G23/047

CPC classification number: B05D7/14 ,  B05D5/00 ,  B05D2202/15 ,  C04B2237/346 ,  C23C14/24

Abstract: PURPOSE: A method for coating a titania thin film on the surface of a metal is provided to rapidly coat the titania thin film on the surface of the metal while preventing faults such as crack and a pin hole from being generated on the surface of the metal. CONSTITUTION: A method for coating a titania thin film on the surface of a metal comprises the following steps: washing a metal surface; and forming the titania thin film on the metal surface through a plasma-enhanced atomic layer deposition. The titania thin film has TDMAT(Trakisdimethylamidotitanium) as a precursor. The titania thin film is deposited using oxygen of plasma state as a reactive group. The deposition method comprises: a step injecting the TDMAT on a heated metal surface; a purging step for eliminating remaining precursor; injecting oxygen of plasma state to react with the TDMAT; and the purging step for removing remaining gas and by-products.

Abstract translation: 目的：提供一种在金属表面涂覆二氧化钛薄膜的方法，可以在金属表面快速涂覆二氧化钛薄膜，同时防止在金属表面产生裂纹和针孔等故障 。 构成：在金属表面上涂覆二氧化钛薄膜的方法包括以下步骤：洗涤金属表面; 以及通过等离子体增强的原子层沉积在金属表面上形成二氧化钛薄膜。 二氧化钛薄膜具有TDMAT（Trakisdimethylamidotitanium）作为前体。 使用等离子体状态的氧作为反应性基团沉积二氧化钛薄膜。 沉积方法包括：在加热的金属表面上注入TDMAT的步骤; 用于消除剩余前体的清洗步骤; 注入等离子体状态的氧与TDMAT反应; 以及用于除去剩余气体和副产物的清洗步骤。

公开(公告)号：KR1020090081145A

公开(公告)日：2009-07-28

申请号：KR1020080007071

申请日：2008-01-23

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 손종역 ,  신영한 ,  김성규 ,  김형준

IPC: H01L27/105

Abstract: A ferroelectric thin film and a shape memory device using the same indicating the shape memory formation method of the ferroelectric thin film are provided to control an imprint phenomenon to ferroelectric. A shape memory formation method of a ferroelectric thin film is as follows. The imprint phenomenon that laminates the ferroelectric is used. According to the direction of the applied electric field, it has the other size of two kinds of and the shape is memorized without the external power supply. The thickness-chord ratio of the thin film comprising 2 layer is controlled.

Abstract translation: 提供表示铁电薄膜的形状记忆形成方法的强电介质薄膜和使用其的形状记忆装置，以控制铁电体的印记现象。 铁电薄膜的形状记忆形成方法如下。 使用层压铁电体的印记现象。 根据施加电场的方向，其具有两种尺寸，而外部电源的形状被记忆下来。 控制包含2层的薄膜的厚度和弦比。